SnO_2－SiO_2双层薄膜氢敏元件的特性研究

采用溶液－凝胶浸渍涂布工艺在Ａｌ＿２Ｏ＿３陶瓷管上制备了掺杂ＳｎＯ＿２气敏薄膜；利用高温热解法在ＳｎＯ＿２薄膜表面覆盖ＳｉＯ＿２气体分离膜后制得双层薄膜气敏元件。分别测试并比较单层和双层薄膜元件的气敏特性，结果表明：单层薄膜元件对可燃性气体无选择性、响应和恢复时间短；而双层薄膜元件对氢气表现出极高的灵敏度和优越的选择性，其响应和恢复时间都比单层薄膜元件有所延长，结合实验结果，从理论上阐述了双层薄膜元件对氢气的敏感机理。     

三元气敏阵列和有机溶剂识别

三元气敏阵列和有机溶剂识别林海安，吴冲若，马骏（东南大学电子工程系南京２１００１８）关键词气敏阵列；溶剂识别；氧化锡；选择性中图分类号ＴＰ２１２．２用３种ＳｎＯ２气敏元件构造了三元气敏阵列，用自制的测试系统进行静态测试获得必须的数据。定量进样由微进样...     

平面薄膜型气敏传感器

平面薄膜型气敏传感器刘文利，李建明，吕红浪，裘南畹（山东工业大学济南２５００１４）关键词薄膜；氧化锡；酒敏元件中图分类号ＴＰ２１２．２１介绍用粉末浅射研制的ＳｎＯ２／ＧｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、掺杂量、温度等的关系．发现其最佳厚度在１０－１～２×１...     

掺杂镍酸镧材料的气敏特性研究

研究了ＴｉＯ＿２掺杂ＬａＮｉＯ＿３的气敏特性，实验表明，在中等掺杂时，材料的电导适中，气敏性能最好；ＸＲＤ证实，掺杂后ＬａＮｉＯ＿３仍属于ＡＢＯ＿３钙钛矿结构，且有新相生成。还对掺杂ＳｎＯ＿２，Ｓｂ＿２Ｏ＿３及Ｖ＿２Ｏ＿５进行了研究，指出ＳｎＯ＿２中等掺杂及Ｓｂ＿２Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５低掺杂时，同样能使ＬａＮｉＯ＿３的气敏性质有所改善。     

用PECVD制备的SnO_2薄膜气敏特性研究

ＳｎＯ２薄膜制备及其应用日益受到人们的重视。本文阐述了用低温等离子体化学气相沉积法制备ＳｎＯ２薄膜的工艺，并研究了所制得的纯净及掺杂Ａｇ，Ｐｄ的ＳｎＯ２薄膜的气敏特性。此法制得的元件对还原性气体，尤其是低浓度Ｈ２Ｓ，Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有很高的灵敏度及快速的响应．     

Au-SnO2高温CO气敏元件的研制

在 Ｓｎ Ｏ２ 基体材料中掺杂 Ｔｈ Ｏ２ 及 Ａｕ, Ｐｄ 等贵金属催化剂,获得了２７０ ℃高温区域对 Ｃ Ｏ 具有高灵敏度的气敏元件．通过活性碳过滤技术,改善了该元件的选择性．测试结果表明,该元件具有良好的稳定性,是一种实用化的 Ｃ Ｏ气敏元件．     

制备方法对Ag－SnO_2材料结构与气敏性能的影响

采用化学浸渍法和光照分解法合成了银掺杂的ＳｎＯ２气敏材料，用Ｘ射线衍射法分析了材料的物相组成，用Ｘ光电子能谱研究了材料的价键结构，用静态配气法测试了材料的气敏性能．结果表明：浸渍法Ａｇ－ＳｎＯ２的气敏性能优于光照分解样品，光照波长为４１５ｎｍ时，样品的气敏性能优于其它波长照射的样品。经ＸＲＤ谱图分析，浸渍法Ａｇ－ＳｎＯ２样品没有Ａｇ物相分离，而光照法样品出现Ａｇ２Ｏ２和ＡｇＣｌ物相。浸渍法样品的ＸＰＳ谱图表明，Ａｇ在ＳｎＯ２的表面以Ａｇ和Ａｇ２Ｏ组成．     

常温乙炔敏感振荡元件研究

报道了一种新型乙炔气体敏感元件。这种元件以Ｓｎｏ２为基体材料，工作在室温条件，对低浓度Ｃ２Ｈ２气体非常敏惑，对１０００ｐｐｍＨ２几乎没有气敏响应；其输出特性与一般加热元件明显不同，呈现为规律性极强的振荡波形，并对这种元件的气敏振荡机理进行了讨论．     

溶胶－凝胶法研制SnO_2微粉及其CO气敏特性

应用溶胶－凝胶方法，以非醇盐为起始原料，研制了ＳｎＯ２微粉，通过ＢＥＴ比表面测定、晶粒尺寸测算、ＸＲＤ，ＤＴＡ差示热分析、ＴＥＭ电镜观察、以及ＣＯ气敏元件的特性测试等手段，对所研制的ＳｎＯ２微粉进行了结构、性能表征．     

新型常温半导体气敏元件的研制及其特性研究

采用高活性的ＳｎＯ２为基体材料，选择适宜的掺杂剂，制成了性能独特的常温气敏元件．对其特性进行研究发现，其对ＣＯ，Ｈ２，Ｃ４Ｈ１０及混合气体具有不同的响应特征．     

2种不同工艺制备的“气敏－光学”敏感膜

２种不同工艺制备的“气敏－光学”敏感膜姚纲照，翁文华，周佐平（华南理工大学应用物理系广州５１０６４１）关键词薄膜；氧化锡；气敏膜；光学膜中图分类号ＴＰ２１２．２近年来，发现了ＳｎＯ２半导体薄膜的“气敏－光学”特性，即薄膜的光透过率随其周围的气体种类及...     

气敏元件的表面修饰技术的研究与应用

表面修饰技术是一种利用物理和化学的方法对气敏元件的表面进行改性的方法，具体地说，它又可分为以下３种方法：１）表面掺杂法，即把贵金属及金属氧化物掺在氧化物气敏半导体表面上的方法（共混，共沉淀，浸渍，喷涂分解和物理吸附等）；２）表面处理法，即将已完成的气敏元件，放入各种气氛中进行处理的方法；３）表面催化层法，即在元件表面上，涂上一种催化层，以除去干扰气体并把非活性气体进行分解的方法，近几年我们通过表面掺杂法，对ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ３等敏感材料进行掺杂，获得了Ｈ２，Ｈ２Ｓ，Ｏ２，ＮＯ２，Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＨ４等高灵敏度、高选择性气体传感器．通过制作掺Ｐｄ，Ｇａ２Ｏ３等催化活性层、防止了Ｃ２Ｈ５ＯＨ等气体的干扰，研制出高选择性ＣＨ４元件并使其实用化．利用表面处理法在开发Ｈ２Ｓ元件，Ｃ２Ｈ５ＯＨ元件方面也取得了良好效果．     

碱土金属掺杂SnO_2薄膜气体传感器

经过真空镀锡膜、氧化和化学浸渍，制作了碱土金属掺杂ＳｎＯ２薄膜气敏元件，并测试了元件的气敏特性．结果表明，元件对乙醇和丙酮气体灵敏度和选择性得到提高、而对苯、丁烷、液化石油气、氨气、氢气和煤气不敏感．     

金属－二氧化锡高选择CH_4气敏元件的研究

阐述了高选择ＣＨ４气敏元件的制造工艺，发现Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等金属超细粉的掺杂，可提高元件的抗干扰能力，对Ｃ２Ｈ５ＯＨ，Ｈ２，ＣＯ等干扰气体灵敏度＜２，而对ＣＨ４的灵敏度＞８．经２年多稳定性考核，＼Ｒ０≤±１０％，对金属超细粉在ＳｎＯ２晶粒表面状态进行了分析和探讨．     

常温可燃性气敏元件

以ＳｎＯ２为主体敏感材料，通过掺杂及表面处理等技术，对常温可燃性气敏元件进行了研究。结果表明，对甲烷及异丁烷（３０００ｐｐｍ）的灵敏度＞３，元件初期稳定性、响应及恢复特性好，抗干扰能力强．     

烧结型SnO_2可燃气体敏感元件研究

采用化学沉淀法与浸渍法结合制备的Ａｇ－ＳｎＯ＿２粉料，金属银无规则地分布于ＳｎＯ＿２的表面，当Ａｇ的掺杂量为２ｗｔ％左右、工作温度在２６０℃左右时，可获得气敏性能良好的可燃气体敏感元件。     

常温振荡式CO气敏元件的研制

常温振荡式ＣＯ气敏元件的研制孙良彦，刘正绣（吉林大学电子工程系长春１３００２３）关键词常温元件；振荡；一氧化碳；气敏元件中图分类号ＴＰ２１２．２目前已实用化的半导体气敏元件大多是加热式的，随着科学技术的发展，工业及日常生活等领域对可燃气体及毒性气体（...     

温度和气氛对M（Ⅱ）－α－Fe_2O_3电导和气体灵敏度的影响

采用α－ＦｅＯＯＨ脱水法合成了Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ等二价金属离子掺杂的α－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料，用Ｘ射线衍射仪测定了材料的结构和组成；用动态气敏测试法测试了气氛、温度对α－Ｆｅ２Ｏ３电导和气敏性能的影响；用空间电荷层模型讨论了这些材料的气敏机理。     

消除电网波动所引起的报警点漂移误差

气敏元件测试时与其加热功率和气氛条件有关，当气氛条件一定时，加热电压对气敏元件阻值影响很大。当电网波动±１０％时，加热电压也随之发生相应变化。采用误差平移的办法，解决电网波动时气体报警器报警点电压的漂移，从而达到报警器准确报警．     

热处理温度对氧化锡气敏特性的影响

利用硝酸氧化法、化学沉淀法合成了纳米ＳｎＯ２及贵金属掺杂ＳｎＯ２材料,并对合成材料进行了物相表征和气体灵敏度测量．结果表明：在４００℃～９００℃热处理温度范围内,ＳｎＯ２的平均晶粒度随处理温度升高而增大,但均＜４０ｎｍ;纯ＳｎＯ２材料的气体灵敏度随平均晶粒度的增大而减小,主要受尺寸效应控制,而贵金属掺杂ＳｎＯ２的气体灵敏度受尺寸效应和催化效应共同控制;通过控制掺杂和热处理温度可改善ＳｎＯ２的气敏性能,实现对可燃气体的普敏检测或选择性检测