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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
设计了一种在大气下脉冲放电产生毫米量级等离子体柱的裴置,采用延时光谱法,用3.5kHz直流脉冲电源在气液界面放电,产生等离子体,对其进行了时间分辨光谱研究.根据大气脉冲放电等离子体的光谱图,测量和计算了等离子体的电子温度,并考察了其随放电峰值电压和时间变化的关系.结果表明:电子温度随电压的升高而增加,随时间延长先增大后减小.  相似文献   

2.
利用带有抛物面反射电镜的无磁场TOF(Time-Of-Flight)电子能谱仪,以氩气作为工作介质,测量了不同功率密度、不同气压、不同偏振条件下氩的电子能说,结果表明激光脉冲能量(峰值光强)增强则相应的电子能谱的幅值会有所增强,且会出现新的电子峰,即有新的机制参与电离,充气气压较高时产生下许多低气压时所没有的高能电子,而低能电子峰增强幅度不大,圆偏振光相对于线偏振光有利于高能电子的产生。  相似文献   

3.
n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用解析模型,对n型4H—SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大.  相似文献   

4.
为了实现电力电子标准模块的互连,将三相电压源逆变器控制体系划分为5个接口,分析计算了各接口传递的变量和通讯所需要的带宽.根据各接口的带宽,按照电力电子系统集成要求确定了通讯体系的划分.采用USB接口设计了电力电子标准模块的通讯接口,完成了一个基于电力电子标准模块的三相电压源逆变器设计.结果表明,该电力电子标准模块通讯接口的设计和通讯体系的划分可以满足电力电子系统集成的要求.该通讯体系的划分可以随着通讯技术的发展,用于电力电子标准模块不同通讯接口的设计.  相似文献   

5.
本文建立了电子地上衡称体的力学模型,对传感器规格的选择进行了理论计算,通过称体结构分析与计算为工厂电子地上衡设计提供了理论依据。  相似文献   

6.
大功率电子变压器是开关电源(SMPS)的核心部件,占据开关电源绝大部分的体积和重量,因此其设计的优劣将直接关系到开关电源的使用寿命和性能。针对大功率电子变压器损耗大的问题,对非晶合金电子变压器的优化设计方法进行了研究。分析了电子变压器的磁芯损耗和绕组损耗。研究了以变压器的效率为主要的优化目标,磁芯的工作磁感应强度和导体电流密度为变量的优化方法。用MATLAB编写了计算程序,计算了电子变压器的主要参数。通过分析计算结果,得到了在不同的工作磁感应强度和电流密度下,变压器损耗和效率的关系。考虑最优效率原则,给出了具体的变压器设计参数,并对温度场和电场用ANSYS进行了仿真分析,验证了设计的合理性和可行性。  相似文献   

7.
提出了电子工业直接经济效益和间接经济效益的计算模型,并根据四川省1990年投入产出表提供的数据,对四川省电子工业的直接、间接经济效益进行了计算和分析。从计算结果来看,四川省电子工业的间接经济效益比直接经济效益多,这表明,四川省电子工业对国民经济的间接贡献大于直接贡献。  相似文献   

8.
用新发展的金属价键理论,系统分析了金属Zn的电子结构和性质,用单原子状态自洽法确定金属Zn的电子结构,计算了晶格常数,结合能及势能曲线,各种弹性模量和线膨胀系数随温度的变化。计算结果与实验值符合较好。  相似文献   

9.
对高校电子档案管理工作中存在的问题进行了分析,并就电子文件的收集、归档、审核、控制,软硬件设施的管理,专业人员的培养管理等方面提出了相应的对策。  相似文献   

10.
阐述了利用电子全站仪测定圆柱倾斜度的测量原理和计算方法,并对其精度进行了分析,采用程序处理观测数据,从而大大提高了效率。实践证明,该方法简单易行。  相似文献   

11.
本文给出在激光与电子束非对头正撞下产生高能光子的能量公式,并对实施时可能产生的几个问题进行了初步讨论.  相似文献   

12.
γ—Fe—C和γ如Fe—Ni—C合金马氏体相变的价电子分布规律的研究表明,固溶体中,共价数n_c在总价电子中所占的比例与马氏体相变温度M_s以及M_s下奥氏体屈服强度σsMs之间存在很好的线性关系。再一次论证了马氏体相变的难易本质上决定于晶体原子间键强度。计算表明,在γ-Fe—C中,当C at%增加或在γ—Fe—Ni—C中,碳含量不变,Ni at%增加时都导致上升,都会使马氏体相变难以发生,使得M_s下降,这一结果与实验事实一致。  相似文献   

13.
本文用分析电子显微镜(AEM)对快速凝固Al-8Fe-4Ce-3Ti(重量百分比)条带中—未知相进行了会聚京电子衍射(CBED),X—射线能谱(EDS)及高分辨分析。结果表明:它属于菱方晶系,空间群为R3m,点阵常数a=1.81A(10~(-10)m),C=22.9A.[001]位向下的高分辨像显示了同会聚束一致的对称性。  相似文献   

14.
More and more importance has been attached to inductively coupled plasma (ICP) in semiconductor manufacture. For a deep understanding of the plasma discharge process in the etching reactor, this study made a three-dimensional simulation on the Ar plasma discharge process with the commercial software CFD-ACE, which is according to the real experiment conditions and data supplied by North Microelectronic Corporation. The error of the simulation results is in the range of ±20% with credibility. The numerical results show that the three-dimentional spatial distribution of electron density is reduced from the chamber center to the wall. The distribution of electron density, electron temperature and power deposition is related to the shape and placement of the coil.  相似文献   

15.
Space symmetry of prehnite ,which ,occurs in cavities and veins within Skarn from the Tieshan iron mineral deposit,Daye,Hubei province,Central China,has been detemined using seleted area eletron diffiraction (SAED) and comvergent-beam electron diffraction (CBED) on the submicrometer scale,Our results confirm that the natrual prehnite may have the stucture with symmetry Pncm,The unit-cell parameters of imestigated prehnite (a=0.458nm,b=0.555 nm,and c=1.853nm) have been calculated by using the multicrystal diffraction rings of gold ,the internal standard.  相似文献   

16.
为了研究次级电子的分布规律,用充有各种不同组分和压力的气体的正比计这探测单个初妈中电子及由此引起的次级电子数目的分布情况,其结果显示了次级电子脉冲分布不是一个简单的指数分布。  相似文献   

17.
1 IntroductionAreasonableandcompletecharacterizationofthecrystalstructureofprehnitewasfirstreportedbyPengetal[1] .Theystatedthatthespacegroupofprehniteoccur ringinGermanywasPncmanditwasusedinthesolutionofthecrystalstructure .Preisinger[2 ] refinedthestructu…  相似文献   

18.
本文针对绝缘样品在扫描电镜中的负荷问题,分析了电子束轰击样品的物理过程,讨论了电子束能量损失、平均自由程和轨迹,提供了解决负荷问题的物理模型。  相似文献   

19.
对多年来超晶格多量子阱中的电子谱滤波及相关研究成果进行了总结、归纳,并研究了纳米面材料的电子滤波,超晶格多量子阱中的电子谱.叙述了周期超晶格和非周期超晶格中的电子透射和反射系数,介绍了外场下超晶格中的电子谱.外界条件可引起超晶格中内建电场的变化,进而引起隧穿电流的变化.  相似文献   

20.
介绍了用微波CVD法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极,阈值电压低于1.09 V/μm,场发射电流密度高达418 mA/cm2,这是目前文献中报道的最好结果之一.文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制.  相似文献   

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