量子点激光器

半导体激光器是许多日常装置的关键部件。光纤通信和小型光盘驱动器可能是两个最为人熟知的例子，目前仍在世界范围努力研究与开发，以改善这些器件的性能，如使其更小，亮度更高，更有效，或可在新波长下激射。新的一类半导体激光器，即自组成量子点激光器，则在上述诸多方面显现很大希望。当一个导带中的电子与一个价带中的电子空位或空穴复合时，半导体激光器便辐射激光，发光波长一般取决于半导体的带隙宽度，即价带顶端与导带底部之间的能量差。例如，GainS半导体，带隙约1．9eV，发射红光。对半导体的大多数有用性能起重要作用的带…     

量子点及其量子点激光器

本文介绍了零维量子阱结构的量子点生长以及使用这种量子点制作量子点激光器的研究现状。     

量子线激光器

本文评述了极低闽值电流(在微安范围内)、较高调制带宽、较窄谱线宽和低的温度灵敏度的半导体量子线(QWR)激光器的优异性能。这些优异性能的根源起因于较窄的态密度分布。介绍了制造这种新颖结构的方法。     

量子线和量子箱激光器—下一代高性能半导体激光器

本文讨论了量子线和量子箱激光器的特性,如呈现非常低的阈值电流、展宽的调制带宽和窄的谱线宽度。还介绍了量子尺寸结构的制造工艺、尺寸起伏和非线性增益对激射特性的影响。最后给出量子微腔激光器的新概念。     

量子点及其量子点激光器

本介绍了零维量子阱结构的量子点生长以及使用这种量子点制作量子点激光器的研究现状。     

半导体量子点激光器的发展

本文综述了半导体量子点激光器的发展和研究现状，并简单介绍了量子点材料的自组装生长，量子点在其他光电子器件上的应用及其发展趋势。     

量子点激光器

主要介绍了量子点激光器的产生、量子点的生长制作、激光器基本结构和性能、最新进展和未来发展要解决的问题。     

准零维量子点激光器的发展瓶颈

近年来半导体材料主要朝两个方向发展:一方面是材料工程,即通过不断探索扩展新的半导体材料实现;另一方面是能带工程,即通过改变已知材料的维度进而实现能带的调节。准零维半导体量子点就是通过改变其尺寸调控能带的典型代表。主要论述了准零维量子点激光器发展过程中遇到的一些瓶颈问题。     

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波长在8590～8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.     

Quantum Dot Lasers Fabricated by Self-organized Growth

Quantum dot lasers have excellent characteristics such as timperature stability of threshold current and ultra-high material gain.Quantum dot structures fabricated by self-organized growth have high crystalline perfection,high quantum yield of radiative recombination and high size homogeneity .Main advantages and operating properties of quantum dot alsers fabricated by self-organized growth are briefly introduced.     

半导体量子点材料

综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。     

大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时     

微结构量子器件

微结构量子器件是八十年代中期伴随着微结构物理的发展而出现的一种新的半导体器件,这种器件以量子力学原理工作,具有常规“经典”器件无法比拟的优异特性。本文在简要介绍了微结构系统电子状态的基础上,较详细地描述了量子谐振隧道器件以及量子线和量子点激光器的基本原理、特点及其应用前景。     

半导体量子点和量子线材料及其制备技术

综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。     

具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术

本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件，评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还讨论了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

量子点激光器瞬态响应及调制特性分析

基于二能级系统建立量子点激光器的载流子-光子速率方程模型,分析量子点激光器的瞬态响应和调制特性,获得其动态特性.同时分析了注入电流对量子点激光器输出光子密度的影响,随着注入电流的增大,激光器光电延迟时间缩短,弛豫过程缩短,弛豫振荡频率增大,且输出光子峰值和稳态功率增加,适当增加注入电流可拓宽量子点激光器调制带宽.通过小信号调制分析,发现量子点激光器上限调制频率比普通激光器高一个数量级,证明了其具有良好的高频调制特性.