真空电子技术

()463 94020139利用静电粒子法模拟捕获电子和捕获离子在自洽场中的轨道/王胜利,王敬芳(中国电波传播研究所)/j电波科学学报一1 993,8(4)一s一14 采取静电粒子法,用计算机模拟了在有外电场的冷等离子体和热等离子体情况下,自洽场中捕获粒子的轨道.结果表明:考虑电场的自洽性后,在有外场的冷等离子体中,捕获电子在相空间的轨道既不是椭圆也不是极限环,而是不规则的近似于椭口的曲线;在电子为Maxwcll分布,离子是冷背景情况下,自洽场中捕获电子在相空间的轨道形成极限环;在电子和离子都是Maxwell分布时,捕获电子和捕获离子的轨道变得异常复杂.…     

真空电子技术

0463.1 2004040061强流电子枪电子光学性能的研究/殷学军、夏佳文、刘振濒,(2!杨建成,(2」武军霞,(2」刘伟,(2〕夏国兴,(2〕刘勇(中国科学院近代物理所)jI强激光与粒子束一2 004,16(2).一246一250利用SLAC一226程序对一种工业用大功率电子加速器(45OkW)的电子枪光学系统性能进行了研究.计算程序以带电粒子的洛伦兹力运动方程的相对论形式为基础,在充分考虑了空间电荷效应和电子自身产生磁场的情况下编写而成.在该程序中,网格的划分采用正方形网格;解泊松方程采用半迭代切比雪夫法;解轨迹方程采用四阶龙格一库塔法.经过对轴上电位的优化计…     

真空电子技术

TN10 01020071电子透镜的两种逆设计方法比较/屠彦,仲雪飞(东南大学电子工程系)11真空电子技术一2 000,(l)一15一19分别讨论了最小二乘法和神经网络法用于电子光学透镜逆设计的情况,并比较了各自优缺点.可以看到在较好的选取学习样本情况下,神经网络技术在电子透镜的逆设计中有着明显的优越性.是求解电子光学系统逆设计问题的一个行之有效的方法.图5表2参6(许)0463.1 01020072成像系统均方根半径及调制传递函数的计算/张良忠,金伟其,周立伟(北方交大光波技术所)11电子学报一20。。,2s(s).一5一8文中给出了逸出电子在最佳像面上落点的均方根…     

真空电子技术

0463.1 2002060085磁浸没透镜的宽束曲轴像差分析的微分代数方法研究/程敏,唐天同,姚振华,王振华(西安交通大学电信工程学院)“电子学报.一2 002,30(6),一846一848微分代数是计算机数值分析领域中的一个非常有效的方法,可以实现任意高阶微分的准确计算.文中根据微分代数方法的基本原理,将其引入到磁浸没透镜的宽束曲轴像差的分析计算中,得到了任意阶曲轴像差的微分代数表达式.文中针对轴上磁场具有某种解析表达式的一个实际的磁浸没透镜系统,利用微分代数的曲轴像差分析方法,计算了它的曲轴像差,并给出了全部二阶和三阶几何像差的分布图形.…     

真空电子技术

O纽62 02010]_50金属热一场电子发射特性研究/窦菊英,朱长纯,谢涛,杨德清(西安交通大学电信工程学院〕11西安交通大学学报.一200],35(6).一655一657用一简单直观的金属电子发射物理模型,对热、Schottky、热一场和场致电子发射进行了分析,定义了热隧道电子的新概念.用数值方法对常用发射材料(W)的热隧道电子电流部分进行了计算,并采用比值拟合的方法,得到了该部分电子的发射电流密度与温度及场强的关系式.在引基础上,可求出W的热一场电子发射方程.用该方法能清晰池了解金属的电子发射机理,从而为热一场阴极的研究开发提供了理论依据.图2参3…     

真空电子技术

0462 2003030119zro/W肖特基发射阴极的研制/戴宏,(21潘尔达,陈尔纲,周庆(云南大学)11微细加工技术.一2002,(2).一11一14,23研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极一一错/钨(ZrO/W)阴极.这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面,采用特别的涂覆法或蒸镀法,形成含ZrO膜层,并经特殊处理后得到的.实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为 2 .86电子伏特左右,低于钨阴极的功函数值.图4表1参10(刚)研究的重要课题.文中综述了国内超扭曲液晶显示材料中所用单晶化合物、手性添加剂和取向剂的合成进展情况,并阐述了超扭曲液晶…     

真空电子技术

0463.1 2003050061热拉伸和化学腐蚀相结合制备弯曲光纤探针/徐凯,潘石,吴世法,孙伟,李银丽(大连理工大学)11物理学报一2 003,52(5).一1190一1 195提出了原子力/光子扫描隧道显微镜(AF/P STM)系统的关键部分一一双功能弯曲光纤探针的制作方法.采用热拉伸与动态、静态两步化学腐蚀相结合的方法制作出AF/P STM弯曲光纤探针.弯曲角度约为1 500,尖端曲率半径优于IO0nm,锥角范围为600一900.将这种双功能弯曲光纤探针应用在新研制的AF/PSTM系统上,同时获得了样品的光学与形貌图像,实现了图像分解.图8参11(午)能占电子(E>1 00 eV)对背向电…     

真空电子技术

O4612011010206超六边形斑图的4种形成途径/宋倩,董丽芳,李媛媛,杨玉杰(河北大学物理科学与技术学院)//河北大学学报(自然科学版).―2010,30(4).―371～374.为了减弱在斑图形成时实验条件的限制,获得同一斑图的多种形成途径,利用双水电极介质阻挡放电装置,在空气/氩气混合气体放电中,观察到了超六边形斑图的4种形成途径。     

真空电子技术

0462,1 02050064LaZO3一M。阴极材料热分析研究/王金淑,周美玲,左铁铺,张久兴,聂柞仁(北京工业大学)11北京工业大学学报.一2 002,28(1)一103一106采用热分析,X射线衍射、扫描电镜等方法对MO一LaZO3阴极中LaZO3与MoZC的反应情况进行了研究.实验结果表明:LaZO3与M oZC在高温下可以发生化学反应,产生单质La和金属Mo;反应物存在状态不同,二者发生反应的温度不同.粉末样品中二者反应温度(1203K)低于阴极丝中二者的反应温度(1533K).图4参11(午)高亮度高分辨小屏面CDT的黑底制作常见的不良的原因分析及应采取的对策;它有别于一般CDT黑…     

真空电子技术

046 95050125电离气体中控制电子能最产生选择性激发的研究/陈宗柱.袁一鸣,陈磊,王新兵(东南大学)11真空科学与技术学报一了995.15(3)一194一200 依据原子碰撞物理学分析电子碰撞产生选择性激发的速率.采用外加脉冲控制电离气体中电子的能量,获得了选择性激发受电子能量控制,随时间而变化的方法.选择性激发效果由测量光潜相对张度分布来检测.图9参11(许)电子技术公司)/l现代显示一1995,(2).一1~9 运用Fowle,Nordheim方程,对各种规格场发射显示中阴极发射特性的要求进行讨论,并特别强调了场发射而积和发射点数量对场发射显示性能的影响。图1…     

真空电子技术

046 96040079硼膜中的含氢最测最/沈慰慈,王兆中(中国科学院等离子体物理所)//光电子技术一19%,16(1)一“~71 硼膜中的含氢量多少对离子回旋共振加热的功率吸收和托卡马克放电过程中的氢的再循环行为均有很大的影响.图6参8(许)光学系统的计算机优化设计提供了实用的理论依据.表1参7(许)046 96040080出现电势谱元素灵敏度的比较测定/张强基,陆明,华中一〔复旦大学)//真空科学与技术学报一19%,16(2).一勺1~93 对一些元素的出现电势讲(APS)进行了比较测定,给出了8种元素的APS相对灵敏度因子,那些具有较高空密度的元索,如谰系元索、啊系元素…     

真空电子技术

TB71,046 99010087真空漏孔的校准方法/孟扬,李旺奎(兰州物理所)11真空科学与技术学报一1 998,15(2)一135一242文中在检漏工作中,要定量地确定被检漏孔的漏率,需要将漏率的量值从气体微流量标准或漏率标准正确地传递到质谱检漏仪.在这个传递过程中,对参考漏孔的校准是一个很重要的环节.以国内外有关的标准和文献为基础,对真空漏孔的常用校准方法一一定容变压法、恒压变容法、变容变压法和比较法分别给予分析和介绍.图7表1参1s(许)化和气体吸附等干扰效应,分析了标准装置的不确定度(1 a).该标准的校准范围为1。”一10“Pa,校准电容薄膜规和…     

真空电子技术

0463 01040120带电粒子束自生力对束流扩散的影响/戴宏毅,王同权,肖亚斌(国防科技大学)11国防科技大学学报.一2000,22(4).一41一44带电粒子束由于受到静电斥力作用,它在传输时总是扩散的.文中根据相对论的罗仑兹变换以及牛顿运动定律,研究了带电粒子束在其自生空间电荷力作用下通过外层空间的真空中传输时的扩散现象,得出了粒子束传输的扩散方程,提出了一种计算粒子束扩散半径的方法.然后讨论了影响粒子束传输的各种因素,包括粒子束类型、能量、束流、出口初始束半径以及散角等.最后从传输技术角度指出了宜选择高能小流初始半径大的电子束,…     

真空电子技术

O4612006010101高压重复频率纳秒脉冲下电信号的测量与诊断/邵涛,潘洋,王珏,袁伟群,孙广生,严萍,张适昌,苏建仓,俞建国(中国科学院电工研究所)//强激光与粒子束.―2005,17(4).―603～608.为了更准确地获得重复频率纳秒脉冲下气体击穿试验参数,分析了击穿电压、放电电流的测量及     

真空电子技术

丁B71 9801(X】94M。/:一AIZo3界面的二次离子质谱研究/岳瑞峰,(2]王佑祥,(21陈春华,(3]徐传骥(中科院表面物理国家重点实验室)刀真空科学与技术学报一1997,17(4).一佗33~238 采用电子束蒸发方法,在200℃的抛光(l 102)取向的蓝宝石恤一A1203)单晶衬底上淀积厚度为3O0nm的M。膜.