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光敏电阻的种类、原理及工作特性 总被引:2,自引:0,他引:2
这里,向大家介绍一种光电器件——光敏电阻。介绍其优缺点、种类、工作原理、应用及主要特性参数。 1.定义 光敏电阻是一种典型的光电导器件。该电阻具有光电导效应,即其组成材料(或器件)在受到光辐射以后,它的电导率(或阻值)会发生变化。 相似文献
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用光电导衰退法和MIS器件的电容-电压特性测量研究了紫外辐照对碲镉汞样品的影响。研究表明:紫外辐照使MIS器件的氧化膜/碲镉汞界面固定电荷减少,表面由积累向平带变化;紫外辐照使碲镉汞样品的电阻明显增大,样品的表面复合速度上升,少子体寿命下降.说明紫外辐射不仅对碲镉汞样品的表面有影响,而且在磅镉汞体内也有影响,这些效应可以用碲镉汞表面能带结构的模型来解释。 相似文献
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光电隔离抗干扰技术及应用 总被引:6,自引:1,他引:6
光电耦合技术主要是为了解决模拟电路和数字电路的集成、交叉应用时的相互干扰问题,同时具有信号整形、降低误操作等功能。本文就光电隔离抗干扰技术的特性及在微机接口、功率驱动、远距离传送、过零检测电路中的应用做了介绍。 相似文献
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基于LabVIEW的光敏电阻自动测试系统是由555定时器和光敏电阻构成的多谐振荡电路,把对光敏电阻阻值的测量归结为频率的测量,结合LabVIEW采集电路实现电阻对频率的测量,并自动完成测量值转换成电阻值以及显示而制作的一套完整的自动测试系统。系统通过外置LED灯作为光源,控制其电压的变化使输出光强发生改变,从而使电路中光敏电阻阻值发生变化,继而引起输出信号频率发生改变,通过LabVIEW采集卡采集,自动测试、记录并处理分析得出某个频率下对应的光敏电阻阻值,并对这些器件的性能进行研究并以曲线显示出来。 相似文献
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随着光电子学的发展,光学电子器件正在迅速地向实用化渗透,其中用电来控制光信号的手段之一,是称作布喇格元件,或AO元件的声光器件.为了发生光信号,除了直接开关光源的直接调制外,还有利用光源外部器件而进行的外部调制,通常,LED和半导体激光等是利用前者,而He-Ne激光等是利用后者.在外调制方面,除了以机械手段遮断光的方法之外,还有利用声光效应的声光器件,利用泡克尔斯效应和克尔效应等电光效应的电光器件和利用法拉第效应的磁光器件等.其中声光器件由于下述原因, 相似文献
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研究了一款光敏电阻型开关,用以实现光控有源频率选择表面(Optically Controlled Active Frequency Selective Surface, OCAFSS)。该开关在LED等光源激励下亮态阻值可小于20Ω,暗态值接近0.2 MΩ,并随着光源强度的变化阻值可调。通过对光敏电阻内部结构的分析以及借鉴硅片型光控微波开关的建模经验,使用CST等电磁仿真软件对该开关进行了建模与仿真。经实物加工和测试,所得测试结果与仿真结果一致,显示出该光敏电阻在频段0.1~1 GHz可切换亮/暗状态,其S21参数分别为-3 dB以上和-10 dB以下,对应的传输信号可以通过或被阻挡;但随着频率的升高,开关效果不再明显,当频率大于2 GHz以后,亮暗态S21均在-7 dB以上,不再具备开关性能。对该光敏电阻的开关特性研究表明,可将其使用于特定频段OCAFSS。为验证这一结论的正确性,我们制作了一款该使用频段的吸波型OCAFSS,最终测试结果与预期值符合。 相似文献
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GaSb材料特性、制备及应用 总被引:4,自引:0,他引:4
Ga Sb 材料在制作长波长光纤通信器件方面具有极大的潜力,因而引起人们广泛的重视。文章简要地概述了 Ga Sb 材料的物理和电学特性,较详细地介绍了 Ga Sb 单晶材料的制备技术和薄膜生长技术。并介绍了 Ga Sb 在光电器件制造方面的进展情况 相似文献
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本文对InP微波光电器件的物理特性进行了研究。具体分析了InP材料中产生微分负迁移率的条件。介绍了InP材料的速度场特性,计算了InP体效应器件理论上可获得的最大效率,对在InP器件中形成稳定畴的条件进行了详细的数学分析。 相似文献
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高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象 总被引:6,自引:3,他引:6
本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增GaAs光电导开关中的光激发畴现象.分析了畴的产生与辐射发光在Lock-on效应中的作用.指出正是光激发畴的性质与行为决定了GaAs光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性. 相似文献
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光电耦合器的发展及应用 总被引:5,自引:0,他引:5
半导体光电耦合器现已发展成为一类特殊的半导体隔离器件。它体积小、寿命长、无触点、抗干扰、能隔离,并且有单向信号传输和容易连接等功能。文中介绍了光电耦合器的典型结构和特点以及国内外的发展现状,最后给出了半导休光电隔离耦合器件的多种应用电路实例。 相似文献
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瞬态电压抑制器TVS的特性及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
瞬态电压抑制器(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。有的文献上也称为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10~(-12)秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计锋机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。总之,瞬态电压抑制器TVS二极管在各种电路的应用是极为广泛的,有以下三大效用: 相似文献