低热膨胀磷酸盐陶瓷材料K_xSr_(1-x/2)Zr_4(PO_4)_6的研究

ＫｘＳｒ１－ｘ／２Ｚｒ４（ＰＯ４）６（０≤Ｘ≤２．０）属于 ＮＺＰ族磷酸盐陶瓷材料,它是新的一类低热膨胀陶瓷材料．研究发现ＳｒＺｒ４（ＰＯ４）６（Ｘ＝０）及Ｋ２Ｚｒ４（ＰＯ４）６（Ｘ＝２）时的轴膨胀特性正好相反,因此当Ｘ为某一值时热膨胀系数将为零,控制烧结条件可得到热膨胀系数低及热膨胀异向性小（耐热冲击）的陶瓷材料．本研究采用液相反应法合成了ＫｘＳｒ１－ｘ／２Ｚｒ４（ＰＯ４）６磷酸盐陶瓷材料,当Ｘ＝１、烧结时间为 １．５ ｈ时,热膨胀系数为 ０． ８ × １０－６℃－１,而且具有较小的热膨胀异向性．     

燃烧法制备SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料

以硝酸盐和尿素为基质,采用一次燃烧法在较低炉温(600～620℃)下合成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.通过对比实验,研究了原料的用量对产物合成及性能的影响.实验结果表明,在n(尿素):n(硝酸盐)=12∶1,硼酸摩尔分数为0.10%～0.12%,Eu2O3为0.2%,Dy2O3为0.4%时,制备的SrAl2O4: Eu2+,Dy3+具有好的余辉性能.     

Mn~(2+)离子在NaTaOGeO_4和Na_4Ca_3(AlO_2)_(10)基质中的发光特性

采用高温固相法制备了掺杂Mn~(2+)离子的NaTaOGeO_4和Na_4Ca_3(AlO_2)_(10)荧光粉,并比较了Mn~(2+)离子在两种基质中的发光特性.研究表明:在248nm处的Mn~(2+)→O~(2-)电荷迁移跃迁的激发下,NaTaOGeO_4:Mn~(2+)荧光粉在576nm处有较强的属于Mn~(2+)离子的~(4 )T_1→~(6 )A_1能级跃迁的发射峰,其能量来源于基质的能量传递;而Na_4Ca_3(AlO_2)_(10):Mn~(2+)荧光粉,在540nm处有Mn~(2+)离子的~(4 )T_1→~(6 )A_1能级跃迁,由于该处无辐射能级跃迁的作用非常弱,导致Mn~(2+)离子的发光强度很弱.     

燃烧法制备SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋长余辉发光材料

以硝酸盐和尿素为基质,采用一次燃烧法在较低炉温（600-620℃）下合成了SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋长余辉发光材料．通过对比实验,研究了原料的用量对产物合成及性能的影响．实验结果表明,在n（尿素）：n（硝酸盐）=12：1,硼酸摩尔分数为0．10％～0．12％,Eu2O3为0．2％,Dy2O3为0．4％时,制备的SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋具有好的余辉性能．     

Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4磁致冷材料的研究与发展

为了促进室温磁致冷技术的实用化,本文系统全面地介绍了室温磁致冷材料Gd5(SixGe1-x)4系金属间化合物近年来的发展概况,阐明了巨磁热效应与晶体结构、相变类型的关系,着重介绍了优化合金磁热性能的各种途径,最后针对合金实用化存在的问题提出了解决方法,并对其应用前景进行了展望．     

橙红色荧光粉Mg2-x SnO4:Eu3+x发光性能的研究

采用高温固相法合成Mg2-xSnO4∶Eu3+x系列橙红色发光粉.用X射线衍射分析测定Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉的晶体结构,用F-4600荧光分光光度计测定其激发光谱和发射光谱.结果表明:Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉属于正交晶系,在250～370 nm是一个很宽的激发峰,它属于O-Eu的电荷迁移带和Eu3+的f-f高能级跃迁吸收.发射光谱由588 nm、595 nm、598 nm、617 nm4个主要发射峰组成,它们分别属于Eu3+的5D0-7F1(588 nm,595 nm,598 nm)和5D0-7F2(617 nm)跃迁,以5D0-7F1跃迁为主.具体研究激活剂Eu3+的掺杂量对Mg2-xSnO4∶Eu3+x发光粉发光性能的影响.结果表明Eu3+的最佳掺杂浓度为7%.     

Zn_(1/3)Nb_(2/3)含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响

以xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料。结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,性能最好的组成位于MPB(四方相边界)附近靠近四方相含量较高的区域,组成Zn1/3Nb2/3含量的变化影响了MPB的位置。     

梭形Fe_5(PO_4)_4(OH)_3·2H_2O的一步水热法制备及生长机理研究

采用可控的一步水热法制备出了具有对称棱边的梭形Fe5(PO4)4(OH)3·2H2O产物。利用X-射线衍射、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜等手段对产物进行了表征,发现产物的生长机理符合Ostwald熟化过程。研究表明:在180℃下反应96h后会得到多臂形貌的纯相Fe5(PO4)4(OH)3·2H2O产物,且在低温下更容易获得纯相的Fe5(PO4)4(OH)3·2H2O梭形产物。此外研究发现,产物在500℃热处理后具有较好的形貌和尺寸上的热稳定性。     

极板间距对反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的影响

利用射频磁控反应溅射法,以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1－x薄膜,研究了极板间距对沉积的影响。结果表明,随极板间距的减小,沉积速率增大,薄膜的均匀性变差,薄膜中Ge／C的原子比增加.     

（Ca,Na,Ce）P2O7的制备及发光性能研究

对（Ｃａ，Ｎａ，Ｃｅ）Ｐ２Ｏ７紫外荧光粉的制备，组成及发光性能进行了研究，实验证明；该荧光粉的最佳组成为「Ｃａ（２－ｘ－６），Ｎａ（ｘ），Ｃｅ（ｙ）」Ｐ２Ｏ７，其中ｘ＝ｙ＝０．１８５；该荧光粉在２５４ｍｍ紫外照射下，能发射出波长范围为３００－４００ｎｍ，波峰在３３５ｎｍ的紫外光。     

燃烧法制备CaO：Eu^3＋荧光粉及其发光性能

采用燃烧法合成红色荧光粉CaO：Eu^3＋,并利用x-射线衍射仪（XRD）、电子扫描电镜（SEM）、激光粒径分析仪和荧光光谱（PL—PLE）等研究了样品的结构、形貌、粒度以及煅烧温度和Eu^3＋离子掺杂量对样品发光性质的影响。结果表明：掺杂Eu^3＋作为发光中心占据了Ca^2＋离子的位置,但未改变基质CaO的立方晶型结构;样品颗粒基本上为球形结构,其平均粒径在0．4～3．0μm;Eu^3＋离子在晶格中处于两种不同的格位,即立方体心和正交体心,随着煅烧温度和Eu^3＋离子掺杂量的提高,样品的最大发射峰由592nm（5D0→7F1）向614nm（5D0→7F2）红移,这是由于立方／正交体心的比例减少以及Eu^3＋离子的对称环境的变化造成的。     

绿色荧光粉Ba2MgSi2O7：Eu^2＋的制备与发光性能研究

采用高温固相法合成Ba2MgSi2O7：Eu^2＋绿色荧光粉,研究其发光性能．通过XRD测试样品的晶相结构,荧光分光光度计测试样品的激发和发射光谱,研究激活剂Eu^2＋的物质的量对荧光粉发光强度的影响。XRD结果表明,所合成的样品硅酸镁钡即Ba2MgSi2O7晶体结构．光谱分析结果表明,当Eu^2＋的物质的量为0．1mol时,Ba2MgSi2O7：Eu^2＋样品的发光强度最高．     

沉淀法制备形貌可控YVO_4:Eu~(3+),Bi~(3+)粉体及其发光性能

采用沉淀法合成了YVO4:Eu3+,Bi3+荧光粉,利用XRD,SEM和TEM对样品的结构和形貌进行表征,并用荧光光谱仪测试了样品的激发和发射光谱。X射线衍射图分析表明,所制得的荧光粉与YVO4的物相一致,样品属于体心四方相。其扫描电镜和透射电镜照片显示颗粒为纺锤形,大小比较均匀,长径为250nm左右,短径为100nm左右。在275nm近紫外光激发下,该荧光粉的发光峰分别归属于Eu3+的5 D0→7 F1(596nm),5 D0→7F2(617nm,621nm),5 D0→7F3(654nm),5 D0→7F4(702nm)辐射跃迁。最强发射位于617nm左右,属于红光。研究了Eu3+浓度对样品发光强度的影响。随着Eu3+浓度的增加,发射峰强度增大,当Eu3+摩尔分数为12%时,峰值强度最大。Bi3+对Eu3+的发光有一定的敏化作用,当Bi3+摩尔分数达到5%时,敏化作用最强。     

长余辉光致发光涂料的制备及发光性能的研究

采用SrA l2O4:Eu2 ,Dy3 长余辉发光粉、多种成品清漆,添加分散剂、防沉淀剂等助剂,制备了多种溶剂型长余辉发光涂料。研究了发光粉的掺入量和发光粉的粒度等对发光涂料发光性能的影响。结果表明,SrA l2O4:Eu2 ,Dy3 发光粉可与多种成品清漆配制成发光涂料,这些发光涂料不仅保持了SrA l2O4:Eu2 ,Dy3发光亮度高、余辉时间长的性能,也保持了成品清漆的性能。     

(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3半导体陶瓷的振动光谱研究

本文报道了PTC(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3陶瓷的红外光谱和喇曼光谱。对室温时的红外吸收峰和喇曼散射峰的归属进行了分析,讨论了Pb~(2+)的加入量对振动光谱的影响,以及在25～340℃范围内五种样品处于四方铁电相和立方顺电相时喇曼光谱与温度的关系。     

复合正极材料xLiFePO_4·yLi_3V_2(PO_4)_3/C的合成及其电化学性能

以聚吡咯(PVP K60)为表面活性剂和碳源,采用流变相法合成了x Li Fe PO4·y Li3V2(PO4)3/C正极材料样品。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对样品形貌和结构进行了测试;采用电池测试仪和电化学工作站对样品电化学性能进行了测试,分析了不同复合比(x:y)对其结构和电化学性能的影响。研究表明:复合材料中存在两相复合与元素掺杂两种效应;当复合比为5∶1时材料的电化学性能最优,在0.1和10 C倍率下放电容量分别达到162.7和104.6 m Ah·g-1,且具有良好的循环稳定性。     

(Y1-y,Gdy)3-xAl5O12:Ce3+x荧光粉的合成与发光性能的研究

用高温固相法在还原气氛下制备掺Gd的YAG:Ce3+荧光粉,并用X射线衍射分析测定(Y1-y,Gdy)2.94Al5O12:Ce0.063+荧光粉的晶体结构,用970CRT荧光分光先度计测定激发光谱和发射光谱.研究Ce3+的不同掺入量对YAG:Ce3+荧光粉的发光性能的影响.结果表明,合成样品的结构属于立方形的钇铝石榴石晶体结构.激发峰位于475nm处,归属于Ce3+的4f到5d跃迁,发射峰位于542nm处,归属于Ce3+的5d到4f跃迁.     

低热膨胀磷酸盐陶瓷材料Ca_(1-X)Ba_XZr_4(PO_4)_6的合成

Ca1-XBaXZr4 (PO4 ) 6(0 X 1.0 ,简称CBZP)属于NZP族磷酸盐陶瓷材料 ,它是新的一类低热膨胀陶瓷材料。本文采用共沉淀法合成了CBZP超细粉体 ,研究了共沉淀法反应机理和粉体分散性并对粉体进行了热重 -差热分析及X射线衍射分析。实验结果表明 ,反应过程的pH应控制在 7～ 11之间 ,共沉淀物用乙醇进行分散后 ,可得到粒径为 1.6～ 1.8μm、分布均匀、无硬团聚体的CBZP超细粉体 ;煅烧后所得到的超细粉体具有确定的晶型     

ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH_4)_2Cl_4的制备工艺研究

为了获得高质量的ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH4)2Cl4,采用3种工艺因素和4个水平的16组正交试验设计方法对Zn(NH4)2Cl4输运剂的工艺过程进行了设计和分析研究.通过观察不同工艺下的结晶形貌,进行了物相和热重分析.研究结果表明:最合理的工艺因素为ZnCl2和NH4Cl的摩尔比为1∶1,烘干温度为130℃,结晶条件为室温静置.Zn(NH4)2Cl4的热分解过程分为3步完成,产物是ZnCl2.     

Zn1/3Nb2/3含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响

以xPMnS-（1-x）PZN 四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料.结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,性能最好的组成位于MPB（四方相边界）附近靠近四方相含量较高的区域,组成Zn1/3Nb2/3含量的变化影响了MPB的位置.