湿法合成PZT粉体的研究

以硝酸铅、氧氯化锆、钛酸四丁酯为反应物前躯体,氢氧化钾为矿化剂,采用水热法和溶剂热法合成PZT粉体。系统研究了两种方法得到的PZT晶体物相和形貌的区别,通过XRD和SEM对粉体进行了表征。研究结果表明:在KOH浓度为2mol/L,200℃反应6h的条件下两种方法均得到了粒径约为1μm,粒径均匀的钙钛矿结构的PZT粉体;在两种反应体系中引入PVA,都得到了径向尺寸约为100nm的棒体结构。但是两种方法得到的PZT粉体的形貌有很大的不同。     

水热法制备PZT压电陶瓷粉体

本文报道了水热法制备 Ｐ Ｚ Ｔ 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 Ｐ Ｚ Ｔ 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 Ｘ Ｒ Ｄ、 Ｓ Ｅ Ｍ 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 Ｐ Ｚ Ｔ粉体为四方晶相钙钛矿结构, 粒子粒径为０.６ ～２.１μｍ , 呈立方体状     

PZT陶瓷粉体的水热合成

利用水热法合成了单相、立方体形貌且平均颗粒尺寸在1 μm的锆钛酸铅(PZT)陶瓷粉体. 研究了碱度、反应时间对最终产物的影响, 着重研究了不同碱度下Pb缺失的补偿问题. 结果表明: 碱度对最终PZT产物A位Pb离子的固溶程度有着重要的影响. 碱度越高, A位缺失的Pb离子就越多. 原料中适当的Pb过量能够有效补偿Pb离子的缺失, 碱度越高, 所需添加的Pb离子的过量程度也就越高. 但过多的Pb离子加入量会导致最终产物中出现第二相.     

立方体形低介电PZT粉体的合成研究

采用Sol-Gel法,通过适量的元素掺杂合成了具有钙钛矿结构的PZT粉体.探讨粉体的合成条件,合成粉体具有较低的介电常数和立方体形貌,同时还具有较高的压电常数,适合于用作复合压电材料的陶瓷相.     

水热合成PZT热电体结晶粉末工艺及相关性能的研究

研究了水热合成ＰＺＴ热电体结晶粉末及相关性能，考察了合成温度、合成时间和促进剂对结晶性的影响。用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和原子吸收光谱等测试手段分析了实验结果，表明这种结晶粉末的粒子粒径为０．１ｕｍ￣３ｕｍ，呈立方体状。用它制作的ＰＺＴ热电体陶瓷烧结温度１１６０℃左右，比传统的固相法降低６０℃左右，在烧结过程中ＰｂＯ的挥发速率比固相法小得多，有害杂质Ｋ＾＋离子的含量为０．００２％￣０．００６％。     

铌酸钠粉体的水热法合成研究

以Nb2O5和NaOH为原料，KOH为矿化剂，在200℃，浓度为1mol／L或2．5mol／L的碱性溶液中用水热法制备了具有正交晶系结构的NaNbO3粉体．采用XRD和FTIR对产物结构进行了表征，用SEM观察了粉体的结晶形貌，用EPMA方法估算了产物的主要化学成分．研究了KOH、表面活性剂以及反应时间等工艺条件对产物形貌和晶体结构的影响．结果表明，在相同温度下，OH^-的摩尔浓度及反应时间是影响产物结构和形貌的关键因素．利用透射电镜（TEM）和电子衍射（EDS）发现合成的NaNbO3晶粒中存在超结构．     

SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究

我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的影响.我们运用将Zr及Ti有机物溶液加入Pb的有机溶液的新的制备工艺流程以精确地控制Pb/Zr/Ti的组分,从而制备出性能良好的铁电薄膜.在大量实验的基础上,我们绘制出扩散炉和快速热退火时,钙钛矿的形成与退火温度及时间的关系图,并且得出PZT铁电薄膜最佳的退火温度和时间区域.     

钛基钙钛矿陶瓷粉体的溶胶-水热法合成机理研究

采用溶胶-水热法,在较低的温度下已成功地合成了多种结晶良好的纳米或亚微米钛基钙钛矿型陶瓷粉体.在本文中通过对溶胶-水热法合成PbTiO3的各阶段产物的X射线衍射谱(XRD)和红外光谱 (IR) 的分析研究,获得了其初步的合成机理:溶胶过程缩短了其反应扩散距离,促进了水热反应的进行.由于该方法合成温度低,可用于多种陶瓷亚微米粉、纳米粉的制备,因此对其反应机制的深入研究有利于纳米粉末合成技术的发展.     

SrZrO3基质氧化物粉体的水热合成和表征

用水热晶化法制备了ＳｒＺｒＯ３纯相和ＳｒＺｒ１－ｘＭｘＯ３－α（Ｍ＝Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ；ｘ≤０．２０）体系氧化物，通过ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＩＲ＾２７Ａｌ ＭＡＳＮＭＲ和化学分析，对产物的物相、粒度和所掺杂质进入晶格的数量进行了表征。结果表明，产物为正交结构钙钛矿、粒度为５￣１５μｍ，在０≤ｘ≤０．２０范围内，产物的金属离子比与投料基本一致。     

Microwave Hydrothermal Synthesis PZT of Nanometer Crystal

It was focused on the applications and developments of microwave hydrothermal synthesis piezoelectric ceramic powder. The microwave hydrothermal vessel was designed and manufactured. The microwave hydrothermal synthesis system was established and the PZT piezoelectric ceramic powder was synthesized. XRD and TEM have been used to characterize the products in detail. The diameter of the PZT powder particle is from 40 to 60 nm.     

钙钛矿型氧化合物AgNbO3的水热合成与表征

采用水热法制备了钙钛矿型化合物Ag-NbO3晶体,对化合物进行粉末X射线表征。Rietveld精修结果表明化合物AgNbO3属于三方晶系,空间群为R-3C。并对化合物进行了扫描电子显微镜(SEM)、BET法测定比表面积和对固体紫外漫反射光谱进行表征。对该化合物的光催化性质进行了测试,在可见光照射下降解染料龙胆紫。结果表明此化合物在室温下具有很高的光催化性质,在光催化性能方面具有潜在的应用价值。     

铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响

研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释.实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时εr=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷.     

水热法制备PZT纳米晶体微粉结构与热效应的分析

本文报道了水热条件下制备的ＰＺＴ纳米晶体微粉结构和热效应分析的研究结果，认为ＰＺＴ纳米晶粒尺寸为１２～１４ｎｍ，ＰＺＴ纳米晶体微粉粒度１３０ｎｍ左右，产生最显著的热效应和热失重时的温度分别为８１１．２６℃和９２４．７１℃，用传统固相法制备的ＰＺＴ微粉产生最显著的热效应和热失重时的温度分别为１２４３．４７℃和１２１３．２９℃，这对有效地降低ＰＺＴ陶瓷材料的烧结温度和有效防止ＰｂＯ的挥发有重要意义。     

PZT纳米晶的改进型溶胶-凝胶法制备及其生长过程研究

以乙二醇为溶剂,硝酸锆为锆源,采用改进的溶胶-凝胶法,通过优化工艺参数制备了纳米Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT).通过对工艺条件研究, 揭示了体系的凝胶化可通过升高温度和增加pH值来实现.通过对溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理.通过TG-DTA、XRD、SEM、TEM等手段对从凝胶到PZT纳米晶的生长过程及性能进行了表征.实验证明,改进后工艺简单易行,溶胶稳定,干凝胶在650℃热处理2h,获得较完整的钙钛矿型PZT,粒径约为50～100nm.     

准同型相界附近PZT压电陶瓷电致疲劳性能研究

研究了准同型相界(morphotropic phase boundary 简称MPB)附近不同组分的锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷在交流电场下的电致疲劳特性.发现电场频率对材料的电致疲劳性能有较大影响.高频电场下不同组分PZT材料的疲劳现象均不明显;低频电场下,不同组分的PZT材料疲劳特性差异较大.分析认为氧空位及其缔合缺陷偶极子在不同频率交变电场下的响应差异是其主要原因.拉曼光谱分析表明,低频疲劳后准同型相界区材料中部分菱方相转变为四方相,使其抗疲劳性能下降.     

PZT ceramics obtained from mechanochemically synthesized powders

PZT ceramics were obtained from the mechanochemically synthesized powders. Milling and sintering conditions were optimized based on results of density measurements, as well as on microstructural and electrical characterization. As a result, highly dense and homogeneous ceramics were obtained. Excellent microstructural properties resulted in good electrical properties. Samples showed values of dielectric constants reaching 12 800 at the Curie temperature, as well as low dielectric loss under the optimal processing conditions. High values of remanent polarization, reaching 60 C cm^–2, indicate high internal polarizability.