闭空间升华法制备CdTa薄膜

用闭空间升华法制备CdTe薄膜。研究了衬底材料，基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的CdS薄膜生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液，呵促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。     

太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能

在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中，薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程深入研究沉积过程中的热交换、物质输运，有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜．通过分析近空间沉积的物理机制，测量近空间沉积装置内温度分布，对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明，不同气压下制备的样品，均有立方相CdTe，此外，还有CdS和SnO2：F衍射峰，CdTe晶粒随气压增加有减小趋势；随气压的增加．透过率呈下降趋势，相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2：F／CdS／CdTe／Au的串联集成电池。     

温场均匀性对CdTe薄膜及太阳电池性能的影响

采用近空间升华法(CSS)制备CdTe多晶薄膜,模拟制备过程中的温场变化,结合,I-V、C-V特性及深能级瞬态谱研究温场均匀性对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,温场分布和薄膜厚度分布基本一致,温场均匀性对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.通过改进温场的均匀性能够制备出组件转换效率为8.2%的CdS/CdTe太阳电池.     

硝酸-冰乙酸腐蚀对CdTe太阳电池性能的影响

在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能。采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接触层,制备CdTe太阳电池。结果表明,化学腐蚀后在膜面生成了富碲层,硝酸-冰乙酸腐蚀为各向同性刻蚀。对背接触层进行优化退火处理,获得转化效率11.75%的CdTe太阳电池。     

磁控溅射CdTe薄膜的光电学特性

采用射频磁控溅射方法在玻璃和Si(111)衬底上制备了碲化镉(CdTe)薄膜,并研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.X射线衍射分析表明,所有样品均沿(111)面择优取向; 平均晶粒尺寸随溅射功率的增加而增加,即从73.0 nm(70 W)增加到123.6 nm(110 W).紫外 - 可见 - 近红外光谱分析表明, CdTe薄膜在可见光范围内具有较高的吸光度; 薄膜的带隙随着溅射功率的增加而减小,最小值为1.38 eV.CdTe薄膜的导电性随溅射功率的增加而明显增强,当溅射功率为110 W时电阻率仅为21.5 Ω?cm.该研究结果可为制备高导电性和高吸收率的半导体薄膜提供参考.     

升华型催化剂活性组分的升华机理与流失动力学

本文将升华型催化剂活性组分升华流失机理分为四类:即平行升华;连串升华;并列升华和独立升华。给出了话性组分在载体上的脱附等温式和流失动力学方程式。证明Levenspiel的失活动力学方程式可以应用到升华型催化剂失活的研究中。     

CdTe量子点碳糊修饰电极的制备及多巴胺测定

在碳糊中加入CdTe量子点制成修饰电极(CdTe/CPE),并研究了多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为.实验结果表明:在pH 7.0 PBS缓冲液中,电极上的CdTe量子点对DA的氧化还原呈现明显的电催化作用,电催化过程为表面吸附控制过程.闭路吸附时间为60s达到饱和,此电极可用于测定DA,响应迅速(1.5 s).峰电流与DA浓度在4×10-4-5×10-5 mol/L范围内呈线性关系,灵敏度高达0.061 9 A·L/mol,检测极限可达1.4 × 10-6mol/L.     

柔性基底上电沉积法制备铜铟硒太阳电池薄膜

采用简单的二电极系统,以大面积的铂网为阳极,钼或不锈钢薄片为阴极,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电沉积液,利用一步电沉积技术在不锈钢薄片柔性基底上电沉积制备铜铟硒(CIS)薄膜前驱体,该前驱体经热处理后得到具有黄铜矿型晶体结构CIS薄膜.采用XRD、SEM和EDAX等对制备的CIS薄膜进行了表征,结果表明所制备CIS多晶薄膜物相纯净、晶型发育好,表面无裂纹,晶粒均匀.     

水溶性CdTe/CdS量子点的制备及发光特性

采用水相合成法,以三种不同的稳定剂：巯基乙醇,巯基乙酸和巯基乙胺制备了CdTe/CdS核壳结构的量子点.研究了反应时间和稳定剂的种类对量子点荧光的光学特性的变化趋势的影响.结果表明,随着量子点晶体生长时间的增加,量子点的荧光峰向红移,荧光发射强度增加,半峰宽几乎保持不变.稳定剂的种类对量子点的荧光发射峰的波长有较大的影响.采用CdS对CdTe进行包裹,制备壳核结构的CdTe/CdS量子点.包裹后能增强水相制备过程中量子点在水相中的荧光强度和发光稳定性,改变量子点的荧光特性.采用红外光谱,对稳定剂和量子点之间的连接关系进行了初步探讨,并采用透射电子显微镜,对CdTe/CdS量子点的微观形态进行观察.     

Preparation and Properties of CdTe Polycrystalline Films for Solar Cells

The structure and characteristics of CdTe thin filrns are closely dependent on the whole deposition process in close-space sublimation （CSS）. The physical mechanism of CSS was analyzed aud the temperature distribution in CSS system was measured, and the influences of the increasing-temperature process and pressure on the preliminary nucleus creation were studied. The resuits indicate ： tire samples deposited at different pressures hare a cubical structure of CdTe and the diffraction peaks of CdS and SnO2 ： F. As the atmosphere pressure increases, the crystal size of CdTe decreases, the rate of the transparency of the thin film decreases and the absorption side moves towards the short-wave direction. After a 4-minute depositing process with a substrate teraw.rature of 500℃ and a source temperature of 620 ℃, the polycostallinc thin films can be mmade , so the production of high-quality integrated cell with StrO2： F/ CdS/ CdTe/ Au structure is hopeful.     

聚四乙烯基吡啶复合型CdTe量子点合成

以巯基丙酸为稳定剂,采用水热法合成了CdTe量子点,并以CdTe量子点为核,包覆4-乙烯基吡啶(4-VPy),制备得到核壳型4-VPy /CdTe荧光纳米复合粒子.用荧光(FL)分光光度、透射电子显微镜(TEM)等分析测试手段,对得到的荧光纳米复合粒子的性能进行表征.结果表明,4-VPy /CdTe纳米复合粒子是核壳粒子拥有较好的水溶性,有效地提高了量子点的稳定性.吸收光谱和荧光光谱表明,所合成的CdTe量子点具有优异的发光特性.     

Effect of ZnTe/ZnTe:Cu complex back-contact on device characteristics of CdTe solar cells

ZnTe/ZnTe:Cu complex layers deposited by vacuum co-evaporation have been in- troduced to CdS/CdTe solar cells. The C-V and I-V curves have been investigated and the effects of un-doped ZnTe layer thickness as well as annealing temperatures on I-V characteristics of CdTe solar cells have been studied. The results show that the “roll over” and “cross over” phenomena of dark and light I-V curves can be eliminated by use of ZnTe/ZnTe:Cu layer and the fill factor for a typical sample has increased to 73%, where there is no high resistance transparent layer. The reasons have been discussed combined with the energy band diagram of CdTe solar cells.     

Studies of key technologies for CdTe solar modules

In this paper, CdS thin films, which act as the window layer and n-type partner to the p-type CdTe layer, were prepared by chemical bath deposition (CBD). CdTe thin films were deposited by the close-spaced sublimation (CSS) method. To obtain high-quality back contacts, a Te-rich layer was created with chemical etching and back contact materials were applied after CdTe annealing. The results indicate that the ZnTe/ZnTe:Cu complex layers show superior performance over other back contacts. Finally, by using laser scribing and mechanical scribing, the CdTe mini-modules were fabricated, in which a glass/SnO₂:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni solar module with a PWQC-confirmed total-area efficiency of 7.03% (54 cm²) was achieved. Supported by the Hi-Tech Research and Development Program of China (Grant No. 2003AA513010), and the Science and Technology Program of Sichuan Province, China (Grant No. 05GG021-003-3)     

固态物料升华干燥过程传输特性的测定

本文建立固态物料升华干燥过程中干燥层传输特性的数学模型，利用由实验测得的牛肉干燥速率，计算出牛肉干燥层的有效导热系数和有效质扩散系数．把两个传输特性参数与文献值进行比较，证明传输特性模型合理，所得传输特性数据基本可靠．分析发现有效导热系数主要受真空空压力的影响；有效质扩散系数不仅受真空室压力的影响，也受物料表面温度的影响．