WINODWS下VB5.0通信的二种方式

介绍在Ｗｉｎｄｏｗｓ９．ｘ下用ＶＢ５．０的串行通信控件（ＭＣＳＯＭＭ．ＯＣＸ）和应用编程接口（ＡＰＩ）来实现通讯功能。     

Cr2O3改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研究了Ｃｒ２Ｏ３作为改性添加剂对（ＰｂＳｍ）（ＴｉＭｎ）Ｏ３系压电陶瓷介电及压电性能的影响．实验表明，添加适量的Ｃｒ２Ｏ３能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料，其ｋｔ＝４５％～５０％，ｋｔ／ｋｐ＝１５～１８，ＴＣｆｔ３＝－０．８～－６ｐｐｍ／℃．因此，在研究、开发高性能压电材料过程中，Ｃｒ２Ｏ３不失为一种优良的改性材料．     

Pb（WO4）0.9（MoO4）0.1晶体的生长及闪烁性能研究

以０．１ｍｏｌＭｏＯ３取代ＰｂＷＯ４中ＷＯ３生长Ｐｂ（ＷＯ４）０．９（ＭｏＯ４）０．１晶体。测试了晶体的密度、透射率和闪烁性能。克服了ＰｂＷＯ４晶体在生长中出现的开裂。生长出质量优良的Ｐｂ（ＷＯ４）０．９（ＭｏＯ４）０．１晶体。     

用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析

用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。     

印制线路板EMC及CAE基本原理

文章概述了印制线路板产品（ＰＣＢ）的计算机辅助仿真系统（ＣＡＥ）的理论计算基础方法──有限元法（ＦＥＭ），以及如何运用于ＰＣＢ的建模和仿真，并籍此设计出符合有关电磁兼容（ＥＭＣ）规则的ＰＣＢ电子产品。     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压

分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。     

K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

宽带相干源波达方向估计的新方法

相干信号子空间处理方法（ＣＳＭ）是一种通过构造聚焦（ｆｏｃｕｓｉｎｇ）矩阵来估计宽带相干源波达方向（ＤＯＡ）的有效方法。本文基于一致聚焦的概念，给出了一种可用于任意阵列的完全聚焦方法，从而极大地改善了ＤＯＡ的估计分辨率、估计精度等性能，大大降低了估计方法的信噪比阈值。文中在最后通过计算机仿真，与ＣＳＭ方法进行了比较，验证了本方法的优良性能。     

基于CSE／MA的多Agent协同环境的设计

多ａｇｅｎｔ协同环境与客户／服务器模式的分布计算环境的融合是必要且有益的．本文首先提出了一种ａｇｅｎｔ互操作语言ＡＣＯＬ，该语言在ＫＱＭＬ语言的基础上增加了＂共享组＂、＂私有组＂、＂组信号量＂等概念及相应语言成分，然后，提出了一种在基于集成中间件ＣＳＥ／ＭＡ上实现Ａ－ＣＯＬ以建立多ａｇｅｎｔ协同环境的方案．     

干线系统C／CTB,C／CSO计算及其与频道数的关系

本文说明干线系统如何实际计算Ｃ／ＣＴＢ和Ｃ／ＣＳＯ，认为Ｃ／ＣＴＢ与传输频道数的关系不同于Ｃ／ＣＳＯ与传输频道数的关系，即Δ（Ｃ／ＣＴＢ）≈－２０ｌｇ（实传频道数／额定频道数）３／２，Δ（Ｃ／ＣＳＯ）＝－２０ｌｇ（实传频道数／额定频道数）。     

NaCl（OH^—或O^—2）：F^＋2）H色心激光研究的进展

文中介绍了近几年来ＮａＣｌ（ＯＨ＾－２或Ｏ＾－２）：（Ｆ＾＋２）Ｈ色心激光研究的进展，简要说明了它的应用前景。     

无线局域网MAC标准

８０２１１为无线局域网标准，其物理层的无线媒体决定了它与现有的有线局域网（ＬＡＮ）的媒体访问控制（ＭＡＣ）层不同，具有独特的媒体访问控制机制，各站以载波侦听多路访问／碰撞避免（ＣＳＭＡ／ＣＡ）的方式共享无线媒体。本文结合具体设计研制过程，介绍ＭＡＣ的分布式协调功能（ＤＣＦ）和点协调功能（ＰＣＦ）、及ＭＡＣ帧格式等。     

未来电信网的基础标准简介─—综合业务数字网和智能网的结构标准

简介了原ＣＣＩＴＴ拟定的电信网的基础标准：综合业务数字网（ＩＳＤＮ）的基本结构，与宽带综合业务数字网（Ｂ—ＩＳＤＮ）、专用电信网等连接的参考结构；电信管理网（ＴＭＮ）标准的拟订，与一般电信网的关系；智能网（ＩＮ）标准的拟订，ＩＮ的特点和概念性模式（ＩＮＣＭ）。     

脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征

利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜,发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表明ＳＢＮ薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为２００ｎｍ。ＳＢＮ薄膜的剩余极化强度为１８．６μＣ／ｃｍ２,矫顽场为２２．３ｋＶ／ｃｍ。     

一种用于PCA与MCA的神经网络学习算法

主元分析（ＰＣＡ）和次元分析（ＭＣＡ）是用于特征提取、数据压缩、频率估计、曲线拟合等信号处理的基本技术．以神经网络来实现ＰＣＡ和ＭＣＡ是当今研究的一大热点，相关矩阵Ｒ的特征值重数不为１时的主、次元分析则是其中一大难题．本文提出了一种新的学习算法，使得在输入数据的相关矩阵含多重特征值时，网络权重矢量亦收敛于相关矩阵的单位正交特征矢量     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究

本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明,热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因．     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

0．2μmCMOS门阵列

０．２μｍＣＭＯＳ门阵列日本ＮＴＴ公司采用ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＩｓｏｌａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）工艺研制成功０．２μｍＣＭＯＳ门阵列。产品特点是低功耗和高集成度，其功耗是０．５μｍＣＭＯＳ门阵列的１０倍。产品的电路元件由波长...     

ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ＺｎＯ及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ．利用前者,通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３和ＭｇＯ,制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ,Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ线性陶瓷电阻．利用后者,通过适当的杂质配比,在１００