单晶铜纳米切削过程的研究

采用分子动力学三维模型研究单晶铜纳米切削过程，工件原子间相互作用力和工件与刀具原子间相互作用力采用Morse势计算．通过分析切削过程中瞬间原子图像、切削力、单位切削力和轴向切削力与切向切削力比值。发现在整个切削过程中有位错产生，在加工表面发生弹性恢复，但未发生切屑体积的改变，切屑以原子团方式去除，单位切削力和轴向切削力与切向切削力的比值比传统切削时大得多．单晶铜纳米切削过程是位错在晶体中运动产生的塑性变形．     

纳米生物传感器的研究进展

本文简要概括了纳米材料在生物传感器中的应用,综述了近年来各类纳米生物传感器的研究进展,包括纳米颗粒生物传感器,纳米管生物传感器,纳米线、纳米棒生物传感器、纳米纤维生物传感器。     

我国合成首例单晶碲化物纳米带

在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下，中国科学院长春应化所稀土化学与物理院重点实验室张洪杰研究员课题组，在一维碲化锑纳米材料合成方法的开发方面取得了重大突破。     

单晶Bi纳米带的合成与表征

采用溶剂热方法,以苯乙烯为还原剂和配位剂,合成了宽度为40nm-60nm、长度为600nm-1μm铋纳米带,并对其反应机理进行了探讨。在铋纳米带的合成中,α-铋的层状结构是形成铋纳米带的关键因素。配位试剂在各晶面的吸附对产物的形貌具有重要影响。通过改变配位试剂与铋盐的质量比,可以实现对铋纳米结构和形貌的调控。     

单晶银纳米带的合成与机理分析

采用甲苯作为还原剂,水热条件下还原生成宽度为20nm左右,长度1～2μm单晶银纳米带.甲苯与银离子形成的配位聚合物的线状结构导致了银纳米结构的取向生长,是形成银纳米带的关键因素.     

低温化学法合成单晶氧化锌纳米带

用低温化学溶液法在100℃制备了非层状结构的单晶ZnO纳米带。在反应初期先形成层状结构的碱式醋酸锌(Zn(OH)_(2-x)(CH_3COO)_x nH_2O)前驱体,然后在水热条件下使其转化成单晶ZnO纳米带。用透射电子显微镜(TEM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光光谱(PL)对ZnO纳米带的形态、结构和光学性质进行了表征.结果表明,在上述反应中醋酸根阴离子和弱有机碱六次甲基四胺(HMT)对前驱体和ZnO纳米带的形成起了关键作用。     

ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征

在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右。初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理。     

基于氧化钛纳米带及钯纳米颗粒的吗啡传感器的制备

氧化钛纳米带是一种性能优异的新型功能材料,其合成方法及应用是研究的热点。采用乙醇热溶剂法合成了氧化钛纳米带,并通过扫描电镜观察了纳米带的形貌。将氧化钛纳米带固定到电极表面,采用恒电位沉积钯纳米粒子后制得吗啡电化学传感器。结果表明,该传感器稳定性好、灵敏度高、选择性好、制作简单、成本低,应用于血清中吗啡的测定,结果令人满意。     

硫化锑单晶纳米带的水热制备、表征及性能研究

运用水热法大量制备出了高长径比的硫化锑(Sb2S3)纳米带。十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为形貌控制剂在纳米带的形成过程中起了至关重要的作用,运用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等对所得产物进行了系统的表征,结果表明制备出的Sb2S3纳米带是沿[001]晶面方向生长的,带的宽度在1μm以内,长度可达几十个微米。对Sb2S3纳米带的生长机理和光学性质进行了初步的讨论和研究。     

氧化石墨烯纳米带杂化粒子和石墨烯纳米带的研究进展

氧化石墨烯纳米带杂化粒子是将氧化石墨烯纳米带(GONRs)与其他纳米粒子经π-π键、氢键等结合方式复合在一起,通过这种特殊的结合形态一方面可以有效地防止GONRs的聚积,另一方面新的纳米粒子的引入能够赋予该杂化材料某些特殊的性能,从而有利于充分发挥GONRs杂化材料在聚合物改性等领域的综合性能。本文综述了氧化石墨烯纳米带杂化粒子的制备方法、性能和应用现状。此外,针对GONRs的还原产物石墨烯纳米带(GNRs)的结构、性能、制备方法及其应用领域也进行了系统性地论述。相关研究表明,氧化石墨烯纳米带杂化粒子的设计与制备是氧化石墨烯纳米带迈向实用领域的一个有效途径,而石墨烯纳米作为石墨烯的一种特殊结构的二维变体,继承了石墨烯优良的导电和导热等性能,同时特殊的边缘效应,因而呈现出了更广阔的应用潜力。     

水热法合成MoO3单晶纳米带及其形成机理

以HCl和Na2MoO4·2H2O为原材料,不用任何模板剂的情况下,用简单的水热法成功地制备了正交相单晶α-MoO3纳米带.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外-可见光分光光度计对产物进行了表征.结果显示,α-MoO3纳米带是由低温条件下形成的亚稳相h-MoO3微米棒通过溶解-重结晶转变而来,其沿着c轴方向生长,加入表面活性剂CTAB可以提高α-MoO3纳米带的长径比.     

纳米带的研究进展

综述了纳米带的研究进展．重点介绍了纳米带的定义,纳米带的特点,纳米带的制备方法,纳米带的生长机理,并对纳米带的潜在应用做了介绍．     

气相传输法制备大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带

低维Bi₂Se₃纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料, 在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi₂Se₃纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明: 气相传输法合成的单晶Bi₂Se₃纳米片、纳米带相纯度高, 结晶性能好, 均是{001}取向; Bi₂Se₃纳米片水平尺寸大, 约为15~180 μm; Bi₂Se₃纳米带长度达860 μm, 宽度约5 μm。根据不同温度下制备的Bi₂Se₃纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异, 分析了其可能的生长机制: 在较高温度下沿<001>和方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米片; 在较低温度下, 沿方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi₂Se₃纳米材料的制备工艺, 有望在微电子器件领域得到商业化应用。     

纳米结构聚苯胺及聚苯胺纳米复合材料的研究进展

聚苯胺是目前研究最为广泛的导电高分子材料之一。综述了不同纳米结构聚苯胺及聚苯胺纳米复合材料的合成方法,并着重介绍了聚苯胺纳米复合材料在超级电容器、电化学生物传感器、锂离子电池等领域应用的最新进展,最后展望了聚苯胺纳米复合材料的应用前景。     

二硫化钼纳米片的制备及在电化学生物传感器中的研究进展

二硫化钼(MoS2)纳米片是典型的类石墨烯二维纳米材料,具有出色的电学、光学、热学和力学性能,是当前研究的热点。综述了MoS2纳米片的制备方法,包括以微机械剥离法、锂离子插层法和液相超声法为代表的"自上而下"的剥离法和以化学气相沉积、水热合成等为主的"自下而上"的合成法。同时,介绍了MoS2纳米片在电化学生物传感器方面的研究现状和发展趋势。     

金属纳米带的制备及其在电化学传感器中的应用研究进展

综述了金、银等金属纳米带的制备方法(真空冷凝法和模板法)及其在电化学传感器中的应用,展望了其发展前景.着重介绍了真空冷凝法的制备原理、装置、过程等;讨论了模板法中不同类型的有机分子模板(模板作用、兼顾模板和还原剂作用)、制备过程中的反应体系(水热、超声等)、模板分子与金属离子的物质的量比和反应时间等对纳米带微观形貌的影响.     

金属纳米带的制备及其在电化学传感器中的应用研究进展

综述了金、银等金属纳米带的制备方法(真空冷凝法和模板法)及其在电化学传感器中的应用,展望了其发展前景.着重介绍了真空冷凝法的制备原理、装置、过程等;讨论了模板法中不同类型的有机分子模板(模板作用、兼顾模板和还原剂作用)、制备过程中的反应体系(水热、超声等)、模板分子与金属离子的物质的量比和反应时间等对纳米带微观形貌的影响.     

石墨烯纳米带的研究进展

自2010年石墨烯的发现者获得诺贝尔物理奖以来,石墨烯纳米带以其更好的理化性质成为了世界各国学者的研究热点。本文首先介绍了石墨烯纳米带的制备方法:切割碳纳米管法(电极切割碳纳米管法、混酸切割碳纳米管法、钾气裂解碳纳米管法、等离子体刻蚀碳纳米管法)、刻蚀石墨烯法(等离子体刻蚀石墨烯法、半月板掩模光刻石墨烯法、二维胶体晶体刻蚀石墨烯法)、膨胀石墨带减薄法、有机合成法、化学气相沉积法;然后介绍了石墨烯纳米带在电学领域的应用,还简要介绍了其在力学、热学等领域的应用;最后展望了石墨烯纳米带的发展前景。     

纳米材料的基本特征与纳米科技的发展

由于纳米材料独特的显微结构 ,其应用范围已引起了人们的广泛关注。本文中简要地叙述了纳米材料独特的分子结构、组织形态、理化特性以及纳米材料的应用领域和发展前景。     

无催化热蒸发ZnS粉末制备半导体ZnO纳米带

通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法首次制备了互相平行交叉的纤锌矿ZnO纳米带,X射线衍射分析和扫描电镜检测显示所制得的ZnO纳米带沿着它们的长度是平滑而单一的纤锌矿结构.合成的纳米带长度数十微米,宽度几百纳米.同时对纳米带的生长机制作了详细讨论.