深亚微米同步辐射x射线光刻模拟

用束衍生法研究了深亚微米同步辐射x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应,并对x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术,研制了一个取名为XLLS1.0的模拟软件。本文对这个软件进行了详细介绍。     

X射线光刻现状

本文介绍x射线光刻的x射线源、光刻机、掩模和抗蚀剂的现状。     

深亚微米同步辐射x射线光刻技术

报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米 x射线光刻图形的实验结果     

X射线光刻和剥离技术制作声表面波叉指换能器

提供了采用电子束光刻、X射线光刻和金属剥离技术制作亚微米尺寸的声表面波叉指换能器的方法.首先利用电子束光刻和微电镀技术制作x射线光刻的掩模,然后利用X射线光刻和剥离技术高效地制作大面积、纳米尺电、电极陡直均匀的叉指换能器.制备出的叉指电极特征尺寸为600 nm,面积为4 mm×6 mm,断指率小于3‰,可应用于高频声表面波器件中.研究结果表明,X射线光刻结合剥离技术是一种制备高频SAW器件的优良方法.     

软 X 射线光刻掩模制备技术

本文描述了用硅的各向异性择优选择腐蚀与金属剥离技术相结合,研制软 x 射线光刻用的金-硅掩模的基本实验结果。     

同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

X射线光刻技术研究的现状

目前看来, Ｘ 射线光刻技术能否真正应用到 ０１３μｍ 及 ０１３μｍ 以下的集成电路工业中去是光刻技术工作者很关心的一个问题。分别从光源、曝光系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对 Ｘ 射线光刻技术的现状进行了介绍,并对它的应用前景进行了简要分析。     

同步辐射软X射线曝光工艺研究

本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。     

IBM公司1980—1992年X射线光刻的发展

IBM公司12年X射线光刻研究和开发计划为X射线光刻建立了一系列里程碑。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来,１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很有希望应用到０．１３μｍ及０．１３μｍ以下的集成电路工业中去,而掩模制作对这两种光刻技术而言是非常重要的。本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。     

半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

本文介绍Ｘ射线晶体衍射的测试原理，讨论了半导体薄片异质结构材料Ｘ射线晶体衍射测量中正、负失配，晶片微弯曲，摇摆曲线的对称性，复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ工艺调整的重要性。     

X射线Bragg—Fresnel元件中衍射图形制作技术研究

本文研究Ｘ射线Ｂｒａｇｇ－Ｆｒｅｓｎｅｌ元件中衍射图形的制作技术。介绍了衍射图形制作技术方案的确定，金属吸收层厚度的计算，制作技术工艺流程及衍射图形测试结果。     

CMOS器件的x光总剂量效应

主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线辐照的结果与 60 Co辐照的结果比较得出 ,x射线辐照对器件损伤严重。同时 ,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。     

用于软X射线光刻的等离子体源及干涉诊断分析

阐述了等离子体的产生机理和影响软 Ｘ 射线产生的因素,利用产生软 ｘ 射线的实验系统,分析了软ｘ 射线转换效率与原子数的关系及其空间相干性。给出了等离子体的干涉诊断方法及几个重要的结论。     

光刻技术的发展动态

介绍了目前几种主流光刻技术（光学光刻，电子束光刻，ｘ射线光刻和离子束光刻）的发展动态     

3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的 3B1光束线与LIGA实验站过去使用的 3W 1光束线相比 ,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱 ,但可实现专用光和兼用光两用。现在LIGA实验站移到 3B1光束线 ,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作。结合此研究目的 ,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算 ,分别得到了专用和兼用时 3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据 ,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模 :Au PI组合和Au Si组合。     

角状螺旋固体激光器热畸变自补偿特性分析

利用张量方法对角状螺旋光路固体激光器作了分析，证实其在ｘ、ｙ两方向对激光介质的热畸变有自补偿作用，且ｘ、ｙ两方向呈对称性．     

Reversible and Rapid Laser Actuation of Liquid Crystalline Elastomer Micropillars with Inclusion of Gold Nanoparticles

It is highly desirable for liquid crystal elastomer (LCE) based microactuators to activate and actuate in a highly controlled fashion without perturbing the surrounding environment. To reach this goal, in this study, a novel experimental protocol is developed to successfully incorporate gold nanosphere (AuNS) and gold nanorod (AuNR) into polyacrylate based LCE elastomer to fabricate LCE/AuNR and LCE/AuNS micropillars or microactuators. The effect of gold nanoparticle inclusion has been studied by spectroscopy (UV–vis‐near‐infrared), microscopy (transmission electron microscopy), thermal analysis (differential scanning calorimetry and thermogravimetric analysis), and x‐ray scattering (wide‐angle x‐ray scattering and small‐angle x‐ray scattering). Finite element analysis is performed to examine the feasibility of utilizing the photothermal effect of AuNR/AuNS to enable photothermal actuation of LCE/AuNR and LCE/AuNS micropillars. The comparative experimental studies on the thermal and photothermal actuation behavior of the LCE, LCE/AuNS, and LCE/AuNR micropillar suggested that AuNR is an excellent candidate for developing high‐performance LCE actuators with photothermal actuation capability. With inclusion of less than 1 wt% of AuNR, the very high maximum actuation strain (30%) and rapid response (a few seconds) have been achieved in LCE/AuNR micropillar actuators under 635 nm laser irradiation.     

A method for correcting the depth-of-interaction blurring in PET cameras

A method is presented for correcting PET images for the blurring caused by variations in the depth-of-interaction in position-sensitive gamma ray detectors. The method uses an empirically determined, tabulated relationship between depth-of-interaction and most probable pulse-height to estimate the unknown depth from the measured pulse-height for each detected gamma ray. In the case of one fine-cut 50x50x30 mm BGO block detector, the method is shown to improve the detector resolution by 25%, averaged over the 50x50 mm face, measured in the geometry corresponding to detection at the edge of the field-of-view. Strengths and weaknesses of the method are discussed and its potential usefulness for improving the images of future PET cameras is assessed.