Sr2SiO4:Sm3+红色荧光粉的发光特性

用高温固相法合成了Sr2SiO4:Sm3 红色荧光粉,并研究粉体的发光性质.发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于570,606nm和653nm,对应了Sm3 的4G5/2→6H5/2,4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2特征跃迁发射,606nm的发射最强.激发光谱表现从350 nm到420nm的宽带,可以被近紫外光辐射二极管(near-ultraviolet light-emitting diodes,UVLED)管芯产生的350～410 nm辐射有效激发.研究了Sm3 掺杂和不同电荷补偿剂对样品发光亮度的影响,Sm3 掺杂摩尔分数为6%、电荷补偿剂为Cl-时的效果最好.Sr2SiO4:Sm3 是一种适用于白光LED的红色荧光粉.     

用燃烧法和沉淀法制备橙红色Sr5(PO4)3X:Eu3+,Na+(X=F,Cl)荧光粉

分别采用沉淀法和以尿素为燃烧剂的燃烧法制备一系列可被近紫外光(393 nm)激发的橙红色Sr5(PO4)3X:xEu3+,xNa+(X=F,C1)荧光粉.X射线粉末衍射分析和Fourier红外光谱测试结果表明:合成样品为六方晶系Sr5(PO4)3X(X=F,C1).荧光光谱测试结果证明:燃烧法合成样品的发光性能优于沉淀...     

BaMg2-x（PO4）2：xEu^3＋橙红色荧光粉的制备及发光性质

采用高温固相法合成BaMg2–x（PO4）2：xEu^3＋橙红色光致荧光粉。研究了激活剂Eu^3＋掺量及电荷补偿剂对其发光性质的影响。X射线衍射显示样品为纯相BaMg2（PO4）2晶体结构。光致光谱表明,该样品适于UV–LED（ultraviolet–light emitting diode）管芯（350～410 nm...     

蓝色荧光粉Sr2Al2SiO7:Ce3+的制备与发光性能

利用高温固相法在H2和N2还原气氛中制备了Ce3+掺杂的Sr2Al2SiO7蓝色荧光粉。通过X射线衍射和扫描电子显微镜研究了荧光粉的组成和表面形貌。探讨了Ce3+含量,锻烧温度等对合成样品发光性能的影响。结果表明:所制得的样品为Sr2Al2SiO7晶粒;样品晶粒均匀,粒径为2.0μm左右。掺0.03(摩尔分数)Ce3+的样品,在1400℃锻烧10h样品的发光强度最高。Sr2Al2SiO7:Ce3+的激发光谱和发射光谱在350～420nm和450～650nm范围内分别呈现1个宽峰;激发峰值位于362nm处,发射峰值位于478nm处。Sr2Al2SiO7:Ce3+可被紫外光有效激发,并且发出很强的蓝光,是一种很好的用于紫外光芯片基的白光发光二极管的荧光粉。     

BaAl2Si2O8∶Eu3+荧光粉的制备及发光性能

利用高温固相法制备Eu3+掺杂的BaAl2Si2O8荧光粉并研究其发光性能,通过X射线衍射分析该发光材料的结构特征.光致发光谱表明:在近紫外光激发下该荧光粉可以发出较好的红光,峰值位于615nm处;Eu3+的最佳掺杂量为0.08mol.分析了BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+材料的发射强度随电荷补偿剂Li+,Na+和K+掺杂量的变化规律,结果表明:随着电荷补偿剂含量的增大,BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+的发射强度均出现先增大后减小趋势;K+具有更好的补偿效果.色参数测量结果表明,该荧光粉是一种较好的用于白光发光二极管的红色荧光粉.

Abstract：

Eu3+ doped BaAl2Si2O8 phosphors were synthesized by a high temperature solid state method, and the luminescent properties were also investigated. The structure characteristics of the luminescent materials were determined by X-ray powder diffractometer. Photoluminescence measurements indicate that the phosphors exhibit a bright red emission centered at 615 run excited by near ultraviolet. The optimal concentration of the doping Eu3+ in BaAl2Si2O8:Eu3+ phosphor was 0.08 mole. The influence of concentration of Li+, Na+ and K+ on the emission spectra of BaAl2Si2O8:0.08Eu3+ were analyzed. The results show that the emission intensity of BaAl2Si2O8:0.08Eu3+ firstly increases and then decreases with increasing the concentration of charge compensator, and K+ has better compensation effect The color parameters indicate that this phosphor is a superior red phosphor candidate for white light-emitting diodes.     

BaAl2Si2O8∶Eu3+荧光粉的制备及发光性能

利用高温固相法制备Eu3+掺杂的BaAl2Si2O8荧光粉并研究其发光性能,通过X射线衍射分析该发光材料的结构特征.光致发光谱表明:在近紫外光激发下该荧光粉可以发出较好的红光,峰值位于615nm处;Eu3+的最佳掺杂量为0.08mol.分析了BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+材料的发射强度随电荷补偿剂Li+,Na+...     

Li_2ZnSiO_4∶Eu~(3+)红色荧光粉的制备及其发光性能

采用溶胶-凝胶法合成了适合于近紫外激发的Li2ZnSiO4∶Eu3+红色荧光粉,用X射线衍射、红外光谱和荧光光谱对样品进行了结构及发光性能表征。结果表明:合成样品为四方晶相Li2ZnSiO4晶体。样品的激发光谱由O2--→Eu3+电荷迁移带和Eu3+的离子特征激发峰组成。在波长为395nm的紫外激发下样品发射红光,发射主峰位于613nm,对应于Eu3+离子的5 D0→7 F2跃迁。随着Eu3+掺杂量的增加,其发光强度先增加后减小,Eu3+的最佳摩尔掺量为3.5%。     

白光二极管用荧光粉LiBaPO_4:Tb~(3+)的制备及发光性质

采用高温固相法合成白光发光二极管用绿色荧光粉LiBaPO4:Tb3+,并研究荧光粉的发光性质。测定荧光粉的激发光谱和发射光谱,发射峰由位于436nm(5D3→7F4)、490nm(5D4→7F6)、544nm(5D4→7F5)、587nm(5D4→7F4)及621nm(5D4→7F3)的五组线状峰构成,对应Tb3+的特征跃迁,其中544nm处的最强,样品呈现绿色发光。激发光谱由4f75d1宽带吸收(200～280nm)和4f–4f电子跃迁吸收(330～390nm)组成,其中以380nm处的激发峰最强,可被紫外发光二极管(ultraviolet-light-emittingdiode,UV-LED)有效激发。研究Tb3+掺量(摩尔分数,下同)对发光亮度的影响,结果显示:当Tb3+掺量为9%时,荧光粉的亮度最高,之后出现浓度淬灭现象。Na+、K+和Cl–作为电荷补偿剂均能提高发光亮度,以Cl–作为电荷补偿剂的效果最好。Ce3+对Tb3+具有明显的敏化作用。结果表明:LiBaPO4:Tb3+是一种适用于白光发光二极管用的绿色荧光材料。     

电荷迁移态敏化Ba3Gd2WO9:Eu3+红色荧光粉的光学性能

采用高温固相法制备了一系列不同Eu~(3+)掺杂浓度的Ba_3Gd_2WO_9:Eu~(3+)红色荧光粉,并对其结构、形貌、光致发光以及电致发光特性进行了研究。结果表明:Eu~(3+)的~7F_0→~5L_6激发带坐落在O~(2–)→W~(6+)电荷迁移带的肩部,后者有效提高了395 nm处激发线宽与强度;在近紫外光激发下,~5D_0→~7F_2电偶极跃迁与~5D_0→~7F_1磁偶极跃迁强度相当,反映出Eu~(3+)同时占据具有中心和非中心对称的多个结晶学格位。根据荧光强度与掺杂浓度的变化趋势,确定出最佳Eu~(3+)掺杂量为50%(摩尔分数),并得出浓度猝灭是由Eu~(3+)间电偶极-电偶极相互作用引起;利用~5D_0–电荷迁移态共振跃迁模型分析了荧光温度猝灭行为,并计算得到热活化能为0.367 3 eV。将此荧光粉涂覆在近紫外LED芯片上,得到了性能优良的红光和白光LED灯珠。     

Li+掺杂浓度对Sr3ZnNb2O9:Eu3+荧光粉发光特性的影响

Li⁺作为电荷补偿剂可以提高Sr₃ZnNb₂O₉:Eu³⁺荧光粉的发光强度和热稳定性。本文通过高温固相反应成功制备了Sr₃ZnNb₂O₉:xEu³⁺,yLi⁺(0≤x≤0.5,0≤y≤0.5)荧光粉,为了鉴定和描述样品的物相、发光特性和热稳定性,进行了XRD和发光光谱测试。结果表明:Eu³⁺和Li⁺已经成功掺入到基质材料中,并取代Zn²⁺位点;Li⁺的最佳掺杂浓度为0.3(摩尔分数),浓度猝灭类型是在最近邻离子之间;掺杂Li⁺提高了荧光粉的热稳定性,活化能为0.193 eV,CIE色坐标为(0.651,0.349),非常接近国际照明委员会规定的标准色坐标。     

Ca6Sr4(Si2O7)3Cl2∶Dy3+荧光粉的制备及其荧光性能

采用高温固相法合成了系列单相全色Ca6Sr4(Si2O7)3Cl2∶Dy3+荧光粉.通过X射线粉末衍射、荧光光谱等对合成的荧光粉样品进行了表征,并系统地研究了烧结温度、Dy3+离子掺杂量以及添加不同电荷补偿剂(Li+、Na+、K+)对样品发光强度的影响.结果表明:该荧光粉能被350nm的近紫外光有效激发;当烧结温度为950℃、Dy3+的掺杂量为4％(摩尔分数),Na+作为电荷补偿剂时,样品的荧光强度最强.     

红色荧光粉YAl3(BO3)4:Eu3+的制备及发光性能研究

以稀土氧化物、硝酸铝和硼酸为原料,高温固相反应制备了单相红色荧光粉YAl3(BO3)4:Eu3+,用X射线衍射和发射光谱对荧光粉末的结构和发光性能进行了分析.研究了煅烧温度、Eu3+掺杂量对其发光性能的影响.结果表明,反应物在1 250 ℃下煅烧可制得单相YAl3(BO3)4:Eu3+晶体,在YAl3(BO3)4:Eu3+晶体中,Eu3+取代了YAl3(BO3)4晶体中Y3+,占据了非对称中心格位.在394 nm的紫外光激发下,YAl3(BO3)4:Eu3+荧光粉具有很强的发光性能,与(Y,Gd)BO3:Eu3+荧光粉相比,最强发射线波长由596 nm变为618 nm,由橙红色光变为红色光,色纯度有了很大提高.Eu3+的最佳掺杂量为8%(物质的量分数).     

SrIn2O4∶Sm3+的发光特性及其在发光二极管中的应用

采用高温固相法制备了SrIn2-xO4∶xSm3+红色荧光粉,研究了荧光粉的发光特性.在410nm近紫外光激发下,SrIn2O4∶Sm3+荧光粉呈红色光发射,发射光谱主峰位于607 nm,对应sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁发射.研究了Sm3+掺杂量对荧光粉发射强度的影响,发现随Sm3+掺杂量的增大,荧光粉的发射强度先增大、后减小;Sm3+摩尔掺杂量为0.1时,发光强度最大;能量传递对应的临界距离Rc为1.2 nm,其浓度猝灭机理为电多极相互作用.此外,添加碱金属离子A+ (A=Li,Na,K)提高了荧光粉的发射强度,且以添加Na+时效果最好.将该荧光粉与405 nm n-UV芯片组合,获得了红光发射.     

Ca0.7Sr0.3MoO4：Eu3+红色荧光粉发光性能的改进

采用水热法制备了 Ca0.70Sr0.18MoO4：Eu0.083+, Ca0.70Sr0.18?1.5xMoO4：Eu0.083+, Lax3+与 Ca0.70Sr0.18?yMoO4：Eu0.083+, La0.043+, Nay+红色荧光粉。用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、荧光分光光度计对样品的物相、形貌以及发光性能进行测试和表征。结果表明：La3+离子的共掺杂可显著增强 Eu3+离子的发光性能。当 La3+的掺杂量为4％(摩尔分数)时,在395 nm 激发下,位于616 nm处的主发射峰的相对发光强度最大。另外,电荷补偿剂 Na+的引入,也明显增强了荧光粉的发光强度,荧光粉的最高发光强度是未引入 Na+荧光粉的1.47倍。     

干燥方式对NaY(WO4)2∶Dy3+,Eu3+荧光粉粒度及上转换发光性能的影响

采用水热法合成了Dy3+和Eu3+共掺杂的NaY(WO4)2上转换荧光粉,用XRD, SEM和荧光光谱(PL)等方法对不同干燥方式所得样品的晶体结构、微观形貌、晶粒尺寸及上转换发光性能进行了分析。结果表明,合成样品均为四方白钨矿结构的NaY(WO4)2,空间群为I41/a,掺入Dy3+和Eu3+未改变基质晶格;常规干燥、喷雾干燥、冷冻干燥及真空干燥后荧光粉的尺寸分别为817.91, 486.04, 388.74和349.82 nm,真空干燥的样品分散性最好。在793 nm近红外光激发下,冷冻干燥样品的上转换发光性能最佳,与干燥过程中粉体团聚程度减弱及表面层缺陷减少有关。576 nm处的黄光发射峰来自Dy3+的4F9/2→6H13/2跃迁,595 nm处的橙光、616和655 nm处的红光发射峰分别归属于Eu3+的5D0→7F1, 5D0→7F2和5D0→7F3跃迁。荧光粉的CIE色坐标均位于红光区,表现出良好的红光发射特性,在发光二极管和彩色显示等光电领域具有潜在应用价值。     

NaGd(MoO4)2∶Eu3+红色荧光粉的制备及发光性能研究

本文采用溶胶凝胶法,以钼酸铵、硝酸钠、氧化钆、氧化铕作为原料合成NaGd(MoO_4)_2:Eu~(3+)红色荧光粉。利用XRD对所合成的荧光粉进行结构分析,通过荧光光谱探究了样品的发光性能。结果表明:当退火温度为900℃,稀土离子Eu~(3+)的掺杂浓度为8%时所制备的荧光粉具有最佳的发光效果。     

红色荧光粉LiGd(MoO4)2:Sm3+的制备与性能

利用Sm3+作为激活剂采用高温固相法制备了LiGd1-x(MoO4)2:xSm3+(x=0,0.005,0.010,0.015,0.020,0.030,0.040,0.050,0.060,0.080,0.100)系列红色荧光材料.测量了荧光粉的X射线衍射谱、激发光谱和发射光谱.在紫外光的激发下,该荧光粉的发射光谱为峰值位于564、608、648nm的三峰谱线,其中位于648nm处的红光发射最强.监测648nm发射峰得到的材料的激发光谱为一峰值位于275nm的宽谱和主峰位于363、376、404nm的线状谱线,说明该荧光粉可被紫外光和近紫外光有效地激发.研究了Sm3+掺杂浓度对LiGd(MoO4)2:Sm3+荧光粉的各发射峰发光强度的影响,得出Sm3+的最佳掺杂量(摩尔分数)为3.0％.对浓度猝灭的原因进行了探讨,结果表明该荧光粉是一种较好的用于白光LED的红色发光材料.     

溶胶-凝胶法制备红色荧光粉NaEu(MoO_4)_2的发光性能研究

利用溶胶-凝胶法制备出红光纳米NaEu(MoO4)2荧光粉。通过X-射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、固体荧光对所制备出的荧光粉的结构、形貌以及发光性能进行表征。结果表明在700℃煅烧下的样品的粒径约300 nm,形貌均一,并且红光发射最强。它的CIE(Commission Inter-nationale de l'Eclairage,International Commission on Illumination)坐标值为:x=0.66,y=0.34),色纯度很高。它有可能成为近紫外-紫光InGaN芯片用的红色荧光粉。