宽带激光记录系统的声光调制器的改进

引言最近已研制出具有清晰、高分辨率、高速记录的优点的各种激光记录系统。为了实现高速和宽带记录,重要的是研制许多具有良好性能的光学元件。在系统许多指标中,记录速度被记录介质的灵敏度、激光源的功率以及扫描、成像元件的光学效率所限制。记录的分辨率被光束斑点和调制器带宽所限制。电光调制器和声光调制器已被用来作激光记录系统的调制器。电光调制器具有高达100～200兆赫的宽带宽。但是,电光调制器既要对温度变化稳定,又需要高的驱动电压。而效率高的电光调制器由于它们自然双折射的改变而对温度变化是极其敏感的,它们不是那么合用的。     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

高速InP基半导体电光调制器行波电极结构研究

对PIN型和NIN型两种InP基Mach-Zehnder电光调制器的电极结构进行了数值仿真研究,从而确定出适于这两种电光调制器的行波电极结构。仿真结果表明,NIN型电光调制器可采用简单的单臂类微带电极,而PIN型电光调制器需采用周期容性负载电极,以达到良好的阻抗匹配特性和传输特性。进一步地,提出了将串联推挽式行波电极结构应用于PIN型电光调制器,可以简化制作工艺并获得良好的微波特性。     

近光轴电光调制和单块晶体激光Q开关

本文分析了LiNbO_3和KDP类晶体的偏光电光调制器中的近光轴调制性能,讨论光预偏置技术,单块晶体双45°开关的工作点和光轴长度选择.实验表明,单块晶体Q开关结构简单可靠,具有能做各种形式Q开关的多样化特点.     

基于FBG的电光调制器电极设计

电光调制器作为光通信系统中最重要的器件之一,其性能决定了光通信系统的传输性能,而电光调制器的电极结构、种类和设计都对调制器的性能有重要的影响。针对基于光纤布拉格光栅(FBG)的新型电光调制器电极展开了研究和设计,并通过数值计算方法,对模场重叠因子、电极结构参数以及模场重叠因子和FBG中心波长漂移量 的关系做了讨论,并由此对基于FBG的聚合物电光调制器的电极做了一系列的分析和研究。文中的研究对基于FBG的电光调制器的制作具有一定的指导意义,能够促进电光调制器的发展。     

光调制和偏转元件

调制器和偏转器是分别赋与光束以时间和空间信息的一种元件,对光电子学来说,它是不可缺少的重要元件。虽然提出了许多方法,但是在目前大都是利用电光效应和声光效应来制成调制器和偏转器的。本文简述一下这些元件的概况。     

全内反射电光衍射Q开关

目前最广泛使用的Q开关器件是电光(普克尔盒)和声光器件。普克尔盒工作电压很高(2～8千伏),而声光调制器需要约30～50瓦的连续或脉冲射频激励功率。本文介绍一种新的Q开关器件,它利用最近发展起来的电光全内反射(TIR)偏转器/调制器的调制特性。调制器采用指状电极结构,并沉积在铌酸锂晶体的一个面上。电极上加很低电压就能产生折射率光栅,使全内反射光束衍射,而且很容易获得2～6毫弧度的衍射角。器件的零级消光比很高,并     

可望用于低成本有线电视调制器的聚合物

用电光聚合物制作新调制器可用来处理红外光功率，使有线电视的传输变成现实。这种调制器正在加州集成光子技术公司发展。虽然最新型号的调制器需要高达20V的半波开关电压，但研究人员说，通过设计和制造工艺的稍稍改进，该电压可降低一半。电光开关一般都用铌酸锂（LiNbO3）制作，这种晶体材料不适合采用标准半导体电路工艺和批量制作工艺。用适合这种工艺的聚合物代替LiNbO3，可以大大降低调制器的制作成本。但研究人员很难策划一种具有合适电光特性——即低电压下高折射率调制的聚合物。不过，AdTech系统研究公司提供的新材料（一种…     

全光纤电光主动调Q激光器

利用马赫曾德尔Mach-Zehnder (M-Z)结构的尾纤型铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器作为Q开关元件,采用974nm半导体激光器作为泵浦源,峰值吸收系数为110dB/m的掺杂铒纤作为增益介质,实现了1550nm波长的全光纤主动调Q激光器。通过电光强度调制器对腔内损耗进行周期性调制,实现Q开关作用,获得了稳定的调Q脉冲输出。实验中通过改变泵浦功率和调制频率,研究了脉冲宽度和峰值功率的变化规律。获得输出脉冲重复频率50Hz-88kHz可调,重复频率1kHz时获得最窄脉冲宽度246ns,峰值功率近5W。     

LiNbO_3电光调制器及其设计

电光调制器是高速光通信的关键器件,受到国内外极大关注。本文叙述了LiNbO_3电光调制器的基本原理与参数,并介绍了LINbO_3调制器设计与结构性能。     

LiNbO3电光调制器及其设计

电光调制器是高速光通信的关键器件，受到国内外极大关注。本叙述了LiNbO3电光调制器的基本原理与参数，并介绍了LiNbO3调制器设计与结构性能。     

碲化镉电光调制器性能研究

在阐述了平行板型碲化镉电光调制器的有关特性和理论的基础上，分析了设计１０．６μｍ激光波段的碲化镉电光调制器应该考虑的问题和解决的方法，叙述了利用国产碲化镉单晶在国内首次研制的平行板型集总参数碲化镉电光调制器的基本结构、调制实验及对该调制器碲化镉晶体电光张量的测试。     

铌酸锂低半波电压电光调制器研究

对降低铌酸锂(LN)电光调制器的半波电压进行了研究,探索了利用反射结构实现低半波电压的原理.通过退火质子交换工艺在x切LN晶片上制作了反射结构的LN电光调制器.测试表明,这种反射结构的LN电光调制器在保持器件长度不变的条件下可以降低半波电压.     

Y型Ti扩散LiNbO_3波导内全反射开关调制器

一、前言 电光调制器和电光开关是集成光路必不可少的器件。国外文献已先后报告了内全反射开关调制器及其开关列阵的研制工作。下面介绍我们研制的Y型Ti扩散LiNbO_3波导内全反射开关调制器。 二、器件的制作与测试结果 在z切LiNbO_3晶体上,条形波导宽8μm、波导分叉角1.5°,电极间距为6μm,宽度20μm、长6μm。器件的制作工艺是:首先在基片上热蒸发淀积40.0nm的钛膜,再用Az1350光致抗蚀剂光刻型成Y型槽型波导图形。然后进行Ti扩散,扩散温     

发展1.55μm LiNbO3光调制器

最近几年,宽带光通信系统的需要刺激了对高速集成电光器件的研究和发展,其中研制成功的最重要的器件之一是宽带电光调制器。宽带电光调制器是用高速电信号调制激光器来发射光波,利用光波实现高速大容量信息传输。宽带电光调制器按波导的外形结构可分为Y分支型和MZ干涉仪型,它们大多数是用     

高重复频率的双晶体光调制器Q开关

美帝西屋公司新产品部出售一种在高重复频率时提供精确电子控制Q开关的双晶体光调制器。此种光调制器是一种普克耳斯盒用作Q开关、光调制器或光闸。它的特征是低驱动电压和髙频率响应。调制器的工作性能、不受温度的影响,因为所用两个电光晶体装在对温度变化不灵敏的晶体盒里。     

硅光子调制器行波电极研究进展

硅光子调制器是硅基光学链路中重要的电光转换元件,而行波电极作为硅光调制器承载微波信号的关键部分,其性能是决定调制器的调制效率和传输损耗的关键因素。目前,行波电极的设计主要分为共面波导结构(CoplanarWaveguide,CPW)和共面带状线结构(Coplanar Stripline,CPS),共面带状线相对于共面波导具有更大的设计匹配范围,但信号屏蔽能力会低于CPW的双接地系统,导致高阶模式激发和多模干涉等问题出现。为优化调制器性能,许多学者提出手指形延伸电极,T型延伸电极,分段电极等形状来优化电极结构,实现阻抗匹配的同时,增强电光相互作用并降低传输损耗。本文综述了国内外学者对于行波电极的研究成果,并对行波电极的发展趋势进行了分析与展望。     

电光双向强度调制器的隔离度研究

设计和制作了应用于微波全双工收发系统的马赫-曾德尔型电光双向强度调制器。根据电光调制器中电信号对光信号的调制叠加原理,通过计算和仿真,分析了因调制电极设计电场与实际电场分布差异导致的器件隔离度劣化。通过对比不同调制电极结构的分析设计和仿真优化结果,得到3.5GHz以上频段隔离度优于-30dB的电光双向强度调制器设计结构。制备出的电光双向强度调制器在5~17GHz范围内隔离度优于-30dB。     

新型高速电光调制器

介绍了目前高速长距离光纤通信中常用的电光调制器的原理、结构和应用．目前半导体调制器的研究日趋成熟，性能不断改善．有机聚合物电光调制器被公认为是最具潜力的高速光通信调制器，正成为人们关注的焦点．     

有机聚合物电光调制器

有机聚合物电光调制器被公认为最具潜力的高速光通信调制器，正成为人们关注的焦点。介绍了有机聚合物E-O电光材料的特点及研究进展。给出了两种基于有机聚合物的调制器的结构、原理并进行了性能比较。