高集成、高速工作的基础单元集成电路已商品化

日本东芝公司已将TC180C系列基础单元集成电路新产品商品化。本新产品采用0．5μm·CMOS微细加工技术及三层布线技术，其集成度高达38万5000；门，可在时延为0．23ns下高速工作。它与已商品化的5V驱动电压下工作的TC26SC系列相大在3．3V低压驱动下，功耗也削减65％。单元库内备有以约350种基本单元、约500种I／O童元为主的RAM、ROM等存储单元；乘法运算器、加法。减法运算器等运算用大规模单元。同时，单元库可与TC26SC系列互换，也易于进行原来系列置换。高集成、高速工作的基础单元集成电路已商品化@李黎…     

0·35μmASICI艺技术

据《SemiconductorWorld》1995年第6期报道，日立制作所和VLSI公司已共同开发成0·35μm尺寸的ASIC工艺技术。这种新技术，在电源电压2．2V—3．6V下，门速度可达110ps，耗散功率为7μW／G·MHz。采用5层金属布线技术，最大的集成度为500万门，工作频率为250MHz以上。布线间距为1．4μm，与1．6μm布线间距相比，集成度提高1．3倍。最大管脚数为1280。0·35μmASICI艺技术@陈兆铮     

日立公司开发0.5μm CMOS门阵列

日立制作所开发耗散功率1．2μW、工作频率100MHz、0．5μPrnCMOS门阵列IIG72G系列，并从1994年6月开始销售。该系列最大使用门数约50万门，工艺采用0．SHrn三层AI布线，申源电压为2．7V、3．3V时的门速度为0．Zns，与以前该公司产品相比速度提高1．5倍，耗散功率为1．ZZ。W，与该公司的产品相比减少1／2左右。封装采用QFP和PG八，也在研制BGA的封装，50万门的JI：IG72G6677／为］2万日元（购买1000个时的单价）。日立公司开发0.5μm CMOS门阵列@一凡…     

一种双路输出低压差电源的研制

文章介绍了一种CMOS双路输出低压差电源。电路设计中，采用E／DNMOS基准，用PMOS管作调整管；电路实现采用1．5μm硅栅自对准E／DCMOS工艺。该低压差电源可提供输出电流为1A的3．3V固定输出(压差为0．6V)和1A可调输出，并具有短路保护和过压保护等功能。     

10GB/s高速SERDES电路的MUX/DEMUX设计

介绍了一种适用于高速串并转换电路（SERDES）的MUX／DEMUX，采用0．18μmCMOS工艺．数据传输速率达到10GB／s。该电路主要由锁存器、选择器和时钟分频器3个模块组成，采用1．8V电压供电．MUX和DEMUX功耗分别为132mW和64mW。     

10 Gb/s 0.18 μm CMOS时钟恢复芯片

介绍了基于0．18μmCMOS工艺的10Gb／s时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结构。模拟结果表明，该电路能工作在10GHz频率上，输入信号峰值0．4V时，同步范围可以达到270MHz，总功耗210mW。     

低电压高线性度宽输入范围Gm-C滤波器实现

本文采用低电压高线性度宽输入范围跨导运算放大器设计实现四阶Chebyshev低通滤波器,对所设计的四阶Chebyshev传输函数应用两个双二次节Gm-C滤波单元元级联实现,3．3V电源电压的全差分跨导运算放大器在1V输入信号范围内Gm值的线性度波动小于0．5％,0．5μmCMOS工艺MOS管级的计算机仿真结果表明所提出的电路方案正确有效,适于全集成。     

0.07μm的CMOS技术

据《NEC技报》1996年第5期报道，NEC最近开发了栅长为0．07μm的CMOS。在1．5V电源电压下，其迟延时间为19．7ps。这种0．07μmCMOS器件采用如下技术：①为了控制因栅长缩短而引起的阈值电压下降，采用了35um深度的源一漏连接技术；②为防止栅阻抗下降而开发了p－n型钨多边栅（tungstpolysidegate）电极技术；③为降低寄生电容而采用了离子注入技术；④采用0．07μm约电子束曝光技术。0.07μm的CMOS技术@孙再吉     

一种13位400kHz1 1mW∑-△模拟／数字转换器

设计了应用于低中频GSM接收机的三阶单环单比特结构∑-△A／D转换器。调制器采用全差分开关电容积分器实现。仿真结果显示，在工作电压为3V、信号带宽200kHz、0．35μmCMOS工艺的条件下，过采样率选择为64，信号／噪声失真比（SNDR）达到85dB，功耗不超过11mW。     

Artesyn公司1／4砖DC／DC变换器

Artesyn Technologies公司为其Typhoon系列板上安装电源系列增添200W1／4砖DC／DC系列。它们采用与所有其它Typhoon砖式电源相同的变换拓扑架构，这种架构既能对精密同步整流的原边和副边电路实现先进的处理器控制，又能避免光电耦合器的使用。该变换器称为“ultra”系列，可提供2．5V、3．3V和15．0V的单路隔离输出，     

单／双通道、双向低压电平转换器

MAX13046E／MAX13047E为多电压系统中的数据传输提供电平转换,VL电压范围为1．1～3．6V或（Vcc＋0．3V）（两者中电压较低的一个）,Vcc电压范围为1．65～5．5V。在整个电压范围内,MAX13046E／MAX13047E能够保证8Mb／s的数据速率。器件在μDFN、TDFN和UTQFN等微型封装中集成了±15kV ESD保护电路,在为外部传输信号的应用提供增强保护的同时,节省了电路板空间。     

一种新型的电流模式曲率补偿带隙基准源

提出了一种新型的低压带隙基准源,与传统的带隙基准不同,该电路引入了第三个电流,以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项,从而实现曲率补偿。采用0．18μmCMOS工艺进行设计验证,HSpice仿真结果表明,室温下的输出电压为623mV,-55～＋125℃范围内的温度系数为4．2ppm／℃,1．0～2．1V之间的电源调整率为0．9mV／V。     

0.6μm CMOS静态分频器电路设计

分频器目前已经广泛用于光纤通信系统和无线通信系统．本文提出了一个利用0．6μmCMOS工艺实现的1：2静态分频器设计方法。在设计高速分频电路时,由于源极耦合逻辑电路比传统的CMOS静态逻辑电路具有更高的速度,所以我们采用了源极耦合逻辑电路来实现D触发器的设计,并用SmartSpice进行了仿真。测试结果表明．当电源电压为5．0V．输入信号峰峰值为1.6V时。电路可以工作在580MHz、功耗为12mW。本文提出的电路适用于SDH STM-1／4的光纤通信系统。     

基于802．11a标准的5GHz振荡器设计

介绍了一种全集成的LC压控振荡器（VCO）的设计。该振荡器的中心频率为5．25GHz,电源电压为1．8V,工作在802．11a标准下,采用0．18μmCMOS工艺实现。仿真结果表明。VCO的相位噪声在偏离中心频率1MHz时达到-121dBc／Hz,调谐范围达到31％,输出电压峰峰值为830mV,有良好的线性纯度。     

带2阶温度补偿的多输出带隙基准电压源

基于传统带隙基准的原理,通过优化电路结构,消除双极晶体管基极．发射极电压中的非线性项,设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0．5μmCMOS工艺模型进行仿真。Spectre仿真结果表明,在-55～125℃的温度范围内,带隙基准电压源的温度系数为3．1ppm／℃,在5V电源电压下,输出基准电压为1．2994V;带隙基准电压源的电源抑制比在低频时为84．5dB;在5v电源电压下,可以同时输出0—5V多个基准电压。     

低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制

采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps．与体硅器件相比，全耗尽CMOS／SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件，亚微米全耗尽CMOS／SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择．     

一种新型的锥尖制作方法研究

主要介绍利用反应离子腐蚀和等离子腐蚀相结合的方法制作真空微电子压力传感器中锥尖阵列。探讨合理选择制作材料，优化锥尖形状，锐化锥尖尖度，以提高传感器灵敏度，增大阴极锥尖的发射电流。测试结果表明：优化的锥尖发射电流在电压为3V时可达0．2nA，灵敏度为0．1μA／g。     

新系列超小型隔离放大器

ACPL-78A／C780／C784系列隔离放大器采用新延展型SO-8封装,占用空间比传统DIP封装小30％,却还可以符合8mm的爬电距离和电气间隙要求。性能特点：高CMR（VCM=1000V时为15kV／μs）;0．00025V／V／℃的超低增益温度漂移可以在整个工作温度范围内提供精确的信号增益;0．3mV输入偏移电压;100kHz带宽;     

一种低电压的CMOS带隙基准源

设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源，采用了1．0V／0．18μmCMOS工艺。该电路利用电阻分压和高阶温度补偿，达到降低温度率数的目的，并具有好的电源抑制比。SPICE仿真结果表明，在0℃-100℃范围内度可达到18ppm/℃，其电源抑制比可达到62dB。     

V850E2／Fx4-L：MCU

瑞萨电子株式会社推出19款新型低功耗V850E2／Fx4-L系列32位微控制器MCU。新系列产品主要应用于车身控制,基于V850的新款MCU系列实现了较低的功耗,在有源模式下的功耗为0．35mA／1MHz。