深紫外激光倍频新晶体KBe2BO3F2

综述了深紫外激光倍频新晶体KBe2BO3F2（KBBF）的结构、物理化学性能和非线笥光学性能；介绍了该晶体的原料合成方法、晶体生长技术、助熔剂体系的选择及晶体的宏观缺陷等研究工作及获得的进展；指出该晶体生长的主要困难是层状结晶飞性和自发成核数目的控制。     

深紫外非线性晶体KBe2BO3F2的倍频转换效率

深紫外(Duv)相干光源对于光刻技术、激光微加工、激光光谱仪等均具有重要的意义.KBe2BO3F2(KBBF)晶体是目前唯一可直接倍频产生深紫外激光的非线性光学晶体.本文通过分析KBBF晶体的光学倍频特性,分别得到了Nd:YV04激光2倍频、4倍频和6倍频以及Ti:Sapphire激光4倍频输出的相关技术参数;在此基础上,详细分析了KBBF晶体用于高斯光束的Ⅰ类和Ⅱ类倍频的转换效率.结果对于KBBF晶体用于产生深紫外全固态激光(DPL)的实验研究提供了重要的理论依据.     

Li2B4O7晶体的比热,导温和导热性能

用ＤＳＣ和激光热导人义分别测定了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７（ＬＢＯ）晶体３５０－９７０Ｋ范围内的比热和６３０－９７０Ｋ范围内不同主晶轴方向的导温系数，并由此了导热系数和声子平均自由程。     

新型深紫外非线性光学晶体KBe_2BO_3F_2族的研究进展

深紫外非线性光学晶体KBe2BO3F2(KBBF)发展至今,已有将近20年的历史。首先简单回顾了KBBF化合物的发现、晶体生长以及基本光学性质,同时对KBBF族(MBe2BO3F2,M=K,Rb,Cs)的其它化合物如:RbBe2BO3F2和CsBe2BO3F2的晶体生长和其基本光学性质进行了报道,然后对这些新晶体产生深紫外谐波光输出的能力做了评估,最后介绍了利用KBBF晶体器件产生的深紫外相干光源在先进仪器等方面的应用。     

铌酸钾锂晶体的生长与性能

使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ10mm50mm、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体,讨论了引起晶体开裂的主要原因,研究了该晶体的光透过性能和介电性能,室温下该晶体的介电常数ε33=127,ε11=376,居里温度为380°     

Li2B4O7材料制备及性能的研究

采用Cz法生长出优质的Li2B4O7(LBO)单晶，开展了压电性能及应用的研究，同时用Maker条纹测量了晶体的二次谐波系数d31和d33。用温梯法制备了LPO微晶玻璃，开展了热激发电子发射（TSEE）性能的研究。     

α—Al2O3衬底上生长的GaN膜的光学性质

采用金属有机化学气相淀积方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。     

新型紫外非线性光学晶体KNa5Ca5(CO3)8的合成、表征及性能的研究

采用水热法合成出一种新型碳酸盐非线性光学晶体材料KNa₅Ca₅(CO₃)₈, 该晶体属于六方晶系, 空间群为P63mc, 晶胞参数为a=b=1.00786(4) nm, c=1.26256(8) nm, Z=2。其晶体结构可以看作是由站立的[CO₃]基团连接相邻的两个[CaCO₃]_∞层, 从而沿[010]方向形成了四种不同类型的孔洞, 在这些孔洞中填充着K、Na 和[Na_0.67Ca_0.33]原子。KNa₅Ca₅(CO₃)₈晶体的粉末倍频效应为KDP的1.2倍, 且能够在可见光区实现相位匹配。紫外-可见-近红外漫反射光谱测试结果表明其晶体具有较大的光学带隙, 大概为5.95 eV, 是具有潜在应用前景的紫外非线性光学晶体材料。此外, 第一性原理的计算结果表明, 晶体的非线性系数主要来源于CO₃基团。     

纳米Al/Al2O3复合材料中Al2O3膜的碎化对性能的影响

观察了在不同温度下退火的Al/Al2O3复合材料的微观组织，结果表明，当退火温度达570℃时包裹着Al核的非晶Al2O3壳开始破碎。研究了非晶Al2O3膜的破碎机理并在此基础上讨论了材料微观结构与力学性能和内耗的关系，发现氧化膜的状态对材料的力学性能和内耗特征具有决定性的影响。     

新型压电晶体Li2B4O7的性能、生长和应用

本文详细介绍了我们在Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７晶体坩埚下降法生长方面的研究进展，报道φ３、φ４无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Ｌｉ２Ｏ４Ｏ７晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序，同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在ＳＡＷ器件方面的应用。     

掺Ce稀土铁石榴石单晶的制备及磁光性能

采用改进的助熔刑法生长块状Ｃｅ：ＹＩＧ单晶,分析了它的晶体结构、测试了在近红外波段的磁光性能Ｃｅ~３＋掺入铁石榴石十二面体位极大地增强了材料的法拉第旋转,在λ＝０．７８μｍ时,Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２晶体中每一个 Ｃｅ~３＋替代 Ｙ~３＋;其Ｆ的增加量（ｄθＦ,／ｄｘ）达到 ０．６×１０~４ｄｅｇ／ｃｍ,比同量 Ｂｉ~３＋替代时晶体Ｆ的增加量高２倍,在稀土铁石榴石中掺入Ｙｂ和Ｅｕ;由于其有弱的还原性,能抑制Ｃｅ~４的形成,增加 Ｃｅ~（３＋）离子的替代量。     

压电晶体Al1—xGaxPO4的生长及其特性

用缓慢升温法成功研制出非铁电性二元系压电新晶体Ａｌ０．８８Ｇａ０．１２ＰＯ４，通过原子光谱吸收，Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射及Ｘ射线粉末衍射测定其组分结构，并给出了新晶体和电弹常数和温度系数。     

CdTe单晶生长过程的分凝特性及其生长条件的选择

在Ｃｄ－Ｔｅ相图的基础出ＣｄＴｅ－Ｃｄ相图并定义其主要参数，讨论了高Ｃｄ的ＣｄＴｅ液体在结晶过程中的分凝特性及其生长条件对昌体中Ｔｅ固溶量的影响，进而维持平面生长界面所需的最小温度梯度。     

SiC单晶的生长及其器件研制进展

ＳｉＣ具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和漂移速度大，临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频大功率，耐高温，抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管方面具有广泛的应用前景，本文综述了半导体ＳｉＣ体单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况。     

三羟甲基氨基甲烷磷酸盐(THAMP)晶体的介电、弹性和压电性能

三羟甲基氨基甲烷磷酸盐(简称 THAMP)是一种新的极性晶体。该晶体属点群2,有独立的弹性常数13个,压电常数8个,介电常数4个。利用十四个适当取向的试样和四种振动模式,测定了全部这些常数。     

ZnAl2O4涂覆Al18B4O33(w)增强6061Al复合材料界面结构与拉伸性能

使用溶胶2凝胶法在硼酸铝晶须表面制备 ZnAl 2O 4涂层 , 采用挤压铸造法制备了 ZnAl 2O 4涂覆的硼酸铝晶须增强 6061Al 复合材料。研究了 ZnAl 2O 4涂覆对复合材料界面润湿性、 室温拉伸性能以及高温热暴露后界面热稳定性的影响。试验结果表明: 纳米 ZnAl 2O 4涂覆能够明显提高复合材料的界面润湿性 , 从而提高复合材料的室温拉伸性能; 均匀的 ZnAl 2O 4涂覆能有效地阻碍界面反应 , 使复合材料具有良好的热稳定性能。研究了涂覆对复合材料在铸态及高温热暴露后拉伸断裂行为的影响。未涂覆硼酸铝晶须增强的铝基复合材料在拉伸变形过程中晶须以折断为主 , ZnAl 2O 4涂覆硼酸铝晶须增强的铝基复合材料在拉伸变形过程中晶须以拔出为主。     

尼龙11及其共混合金的结晶性能研究

对尼龙11及其共混合金体系的结晶性能进行了系统的研究。实验结果显示,核-壳冲击改性剂具有成核剂的作用,有助于共混体系结晶度的提高。环氧树脂用量为1%时,尼龙11共混合金体系的结晶度最大,此后随着环氧树脂的加入,尼龙11结晶度随之降低,DSC谱图显示,尼龙11在95℃时发生晶相固-固转变现象,而加入核-壳冲击改性剂及环氧树脂后晶相转变消失,表明了尼龙11合金不存在多晶型晶态。当加入的环氧树脂过量后,由于发生交联反应,出现多峰现象。尼龙11合金的熔点随着相容剂的加入而降低,表明了其结晶的不完整性增加。     

ACRT—B法晶体生长过程的传质模型

基于对ＡＣＲＴ－Ｂ法晶体生长对时流及传质特性的认识，提出了ＡＣＲＴ－Ｂ法晶体生长过程的一维传质模型。得到了包括初始过渡区、稳态区及终端过渡区轴向成分分布的解析解。定量计算结果表明，与传统Ｂｒｉｄｇｍａｎ法相比，在生长参数不变的条件下，运用ＡＣＲＴ会失去部分轴向面分均匀区。在保护ＡＣＲＴ提高结晶及径向成分均匀性的前提下，适当提高生长速度，选择尽可能小的坩埚最大转速△ωｍａｘ或选用长径比更大的坩埚，是     

非线性光学晶体三硼酸铋的拉曼光散射

结构分析表明非线性光学晶体三硼酸铋BiB3 O6的晶胞参数为a1=0 .7116nm ,a2 =0 .4993nm ,a3 =0 .65 0 8nm ,β =10 5 .62° ,每个初基晶胞含有二个分子。在不同几何配置下的激光拉曼光谱观察到了晶体中硼氧四面体和硼氧三角形的特征晶格振动和振动模的分裂。拉曼光谱表明晶体的内部结构有很强的各向异性 ,这就是晶体非线性光学性质的来源