GaAs MMIC的MIM电容Si3N4介质的TDDB评价

运用TDDB理论,研究分析了G aA s MM IC的M IM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计制作了三种对比分析的G aA s MM IC的M IM氮化硅电容结构,通过不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价,S i3N4M IM电容的可靠性与其面积和周长密切相关,介质缺陷是导致电容失效的主要因素。通过不同斜率的斜坡电压获得电场加速因子(γ)预计了10 V工作电压下的S i3N4介质层的寿命。     

发烧电容一二三（下）

1．M-Cap油浸银膜电容＋JENSEN铜管铜膜电容。这两款电容的搭配是我最喜欢的，也成了我前级的标准配置。可以说，两者的搭配相当程度上起到了互补的作用，M—Cap有效地弥补了JENSEN铜管铜膜电容高频柔润有余、延伸不足、空气感欠佳的缺陷，而JFNSEN铜管铜膜电容则很好的把它独一无二的音乐感和韵味发挥到了极至。另外，如果能够在恰当的地方，使用一对小容量的卡达斯金箔电容的话，整个的声音的强弱对比、弹跳力和弱音表现则更有一级的提升。     

安规电容

安规电容用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。它包括了X电容和Y电容。 X电容是跨接在电力线两线（L—N）之间的电容,一般选用金属薄膜电容;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L—E,N—E）的电容,一般是成对出现。基于漏电流的限制,Y电容值不能太大,一般X电容是μF级,Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰。     

超级电容牵动电源革命

超级电容是近几年才批量生产的一种无源器件，介于电池与普通电容之间。具有电容的大电流快速充放电特性，同时也有电池的储能特性，并且重复使用寿命长，放电时利用移动导体间的电子释放电流，从而为设备提供电源。     

高速PCB中旁路电容的分析

在当今高速数字系统设计中，电源完整性的重要性日益突出。其中，电容的正确使用是保证电源完整性的关键所在。本文针对旁路电容的滤波特性以及理想电容和实际电容之间的差别，提出了旁路电容选择的一些建议；在此基础上，探讨了电源扰动及地弹噪声的产生机理，给出了旁路电容放置的解决方案，具有一定的工程应用价值。     

4277A型变容二极管电容测试仪功能的扩展

本文介绍了4277A型变容二极管电容测试仪的简要性能,着重论述该仪器的功能扩展,用Basic语言编制了独特的测试程序,使该仪器除原来可测试电容c外,还可测试n值、电容配对和c—v特性曲线。     

一种新型电容阵列结构线性宽带VCO

针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加的方式叠加在MOS电容的控制电压上,进行精细调谐。电阻阵列控制不同数字控制信号下的调谐增益KVCO,与电流源阵列共同产生直流偏置电压以控制步进频率,可以灵活地精确设置不同数字信号控制下的电容值大小,取得线性的粗调谐特性。仿真结果显示,该VCO的调谐范围为5.00~5.87 GHz,步进频率为166 MHz,调谐增益KVCO变化范围为－900~－450 MHz/V,不同数字控制信号下的调谐特性几乎相同,比传统二进制电容阵列拥有更好的粗调谐特性。1.8 V供电电压下,电路最大消耗4.43 mA直流电流。     

多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型

多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大.基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究.对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性.     

测试p－n结结电容新法

测试ｐ－ｎ结结电容新法漳州得望电子集团公司（福建３６３０００）简敬三电容是电子电路的重要构件，既有人们设计需要的元件，又有人们不需要的随器件布线而存在电容。后者严重损害交流特性。因此测量，电容是工程技术人员探讨的重要课题，是难度较高的技术。它不同于电...     

时域有限差分法分析平板电容的宽频特性

用时域有限差分法分析了平板电容的宽频特性，讨论了电容集总特性与频率的关系，其结果对于ＭＥＳＦＥＴ功率器件内匹配研究工作具有实用价值。     

全球电容市场需求量猛增

全球平板电视、DVD与数码相机等数字家电产品的不断涌现，带动了全球电容产品市场需求的大幅度增长。除此之外，全球汽车电动产品市场也成为全球电容产品的另一个新的需求领域。仅就日本国内市场而言，2004年的1—4月，日本电容产品的生产量与2003年同期相比，增长了近38％．其市场销售量则增长了14．3％。     

埋入电容基板技术

概述了埋入电容树脂基板的高频特性和埋入电容树脂基板的制造例,可以获得20PF/mm~2的电容密度。与表面安装部件相比,埋入电容具有优良的电性能和安装占有面积小的优越性。     

音响精品薄膜电容荟萃

薄膜电容器是以金属箔作电极,将其和聚酯烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑胶薄膜,交叠后卷绕成圆筒状构造的电容器。而按塑胶薄膜的种类又被分别称为聚乙烯电容(又称Mylar电容)、聚丙烯电容(又称PP电容)、聚苯乙烯电容(又称PS电容)和聚碳酸酯电容。薄膜电容广泛使用在模拟信号的耦合,电源杂讯的旁路(去耦)等地方。薄膜电容器由于具有很多优良的特性,因此是一种性能优秀的电容器。它的主要特性如下:无极性、绝缘电阻很高,高频特     

测量小电容的电容桥

用电容传感器可测量各种物理量，如位置、加速度、压力和液位。尤其当传感器远距离放置时，其电容变化往往远远小于杂散电容。本文介绍的电路用来测量５０ｐＦ低温液位探测器，其满刻度变化只有２ｐＦ，而电缆电容变化达几百ｐＦ。这要求电路具有高稳定性。高灵敏度和噪声抑制能力，而且对由电缆和屏蔽引起的杂散不敏感。最好用电池供电，并具有模拟输出，这便于与其他仪器连接。两种传统电路类型的缺点是：在比较器中积分器对噪声敏感，电压－频率变换器通常测量杂散电容以及传感器电容。本文所介绍的电容桥可测量小的传感器电容变化，而且…     

电容在现代电子技术中的选用

电容是三大无源元件之一,在电子电路领域中有着举足轻重的地位.同时,现代电子技术对电容器又有特殊的要求,对其特性的理解及正确选用有着重要的意义.本文重点介绍电容的分类、材料、特性,参数、功能及选用,给设计人员在电子设计中电容选用作一些指导性意见,避免电容的选用对电子设计产生负面影响,从而提高电路的性能和可靠性.跟据各种电容的特性及具体的使用环境,对电容的选用作具体分析,总结出在现代电子电路领域中电容选用的几项原则.     

Spindt阴极电容模型

本文用数值方法，计算了Ｓｐｉｎｄｔ阴极的电容，给出了—族曲线，与实验结果比较接近，对真空微电子微波三极管的设计有一定意义。     

超级电容建模现状及展望

介绍了超级电容的特点和工作原理,从物理结构,电气特性以及阻抗特性三个方面对现有的超级电容应用模型予以概述,给出了各类模型的建模依据;分析了各类模型的特点及其优缺点;阐述了各类模型的适用范围.最后,结合超级电容在实际应用中出现的问题,展望了未来超级电容建模的发展趋势.     

MH系列高CV陶瓷电容

AVX公司已经推出高CV陶瓷电容的MH系列，应用于商业和对可靠度需求较高的行业。通过将MLCC贴装入塑型的表面贴装引线框，MH系列可提供陶瓷电容，该电容结合了陶瓷器件、低ESR、无极性构造、高频行为、优越的电压应力承受力以及较广的温度范围等诸多特性，同时兼有塑型件的增强机械保护作用。     

非线性电容器的电容特性公式

本文通过建立纯电容的非线性电路的基本方程,得到了非线性电容器的电容特性公式,并由此导出变容二极管的特性方程,验证了该公式的正确性。     

液晶盒的电容特性

液晶盒外加一定的电压,会改变液晶分子的取向排列,这样液晶层的有效介电常数也会随之发生改变。如果把液晶盒看作一个电容器,其电容也会有所改变。本论文理论研究强锚泊混合排列向列相液晶盒的电容特性,基于液晶弹性理论和变分原理,理论推导液晶盒系统的平衡态方程及电容的解析表达式,通过Matlab软件数值模拟了此液晶盒的电容-电压曲线和指向矢分布曲线,并对其电容特性进行了分析。