真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究

采用真空键合技术 ,成功地将表面具有深度不同的硅槽或框架结构的硅圆片与另外两个硅圆片贴合形成三层夹心结构 ,经高温退火处理 ,得到一种粘合牢固的硅“三明治”体。这种“三明治”体的上下两个硅片仍可进行IC加工 ,为MEMS传感部分和测试电路的三维一体化集成打下了坚实的基础     

真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究

采用真空键合技术,成功地将表面具有深度不同的硅槽或框架结构的硅圆片与另外两个硅圆片贴合形成三层夹心结构,经高温退火处理,得到一种粘合牢固的硅“三明治“体.这种“三明治“体的上下两个硅片仍可进行IC加工,为MEMS传感部分和测试电路的三维一体化集成打下了坚实的基础.     

多孔硅秃腔微结构的AFM和SEM研究

多孔硅微腔是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构。用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对多孔硅微腔的侧向解理的截面进行了观测，得到了不同多孔层及其界面处的图像。微腔截面的扫描电镜图像清楚地显示出第Ⅱ型多孔硅微腔的“三明治”结构，即中心发光层被夹在两个Bragg反射镜之间，这些结果表明结合分子束外延技术和电化学腐蚀方法可以很容易得到多孔硅微腔。     

基于硅表面加工工艺的射频体声波滤波器研究

计算并讨论了由电极－压电薄膜－电极的三明治结构组成的体声波谐振器在有衬底情况下的阻抗，特别说明了厚的支撑膜对滤波器性能的严重影响。同时比较了在制作体声波滤波器时硅的体加工工艺和表面加工工艺的优劣，给出了利用硅的表面加工工艺制作的射频体声波滤波器的设计。     

多孔硅微腔微结构的AFM和SEM研究

多孔硅微腔是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构.用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅微腔的侧向解理的截面进行了观测,得到了不同多孔层及其界面处的图像.微腔截面的扫描电镜图像清楚地显现出第Ⅱ型多孔硅微腔的"三明治”结构,即中心发光层被夹在两个Bragg反射镜之间.这些结果表明结合分子束外延技术和电化学腐蚀方法可以很容易得到多孔硅微腔.     

MRAM:内存的新潮流(下)

Freescale所提供的MRAM替代性方案 在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体（synthetic antiferromagnet，SAF）三明治结构，由两个反向对准的铁磁材料层以及两层材料之间所夹的一层非磁性材料耦合隔层而组成。图2示出了一个SAF位单元。SAF三明治结构产生磁致电阻效应的能力并不会因为它的混合式结构而受到影响。对准和反对准只取决于MTJ结构两侧相对的两层材料。将两层板材组成SAF，就可以让每层板变成“磁矩平衡”-净外磁场为零。     

连接多芯片的"芯片三明治"技术

在德国Munich的InfineonTechnologies公司的研究人员新开发了一项焊接技术，称为Solid，它能够让不同类型的芯片焊接在一起，从而形成一种“三明治”式的芯片系统。该技术允许在两个接点之间的导线可以非常短，形成高速的互连效果，与此同时有希望降低现今芯片解决方法的成本30%以上。焊接工艺开始实施时将3μm厚的铜箔覆盖在“三明治”芯片的顶部和底部。两片芯片在270℃的温度条件和3bar(3.06kg/cm2)的生物压力（biometricpressure）条件下被焊接在了一起，并以此方式让相互之间永久地联结在了一起。在特殊的应用场合，例如芯片卡（chip…     

Android4．0系统七大新功能

谷歌日前推出了代号为“冰激凌三明治”的新一代Android4．0操作系统,这款操作系统做了大量改进,增加了许多新功能,七大新功能尤为瞩目。1．强化软件控制“冰激凌三明治”加强了对所能运行于Android手机上的各种功能的控制,如手机厂商喜欢预装于设备上的所谓“臃肿软件”。     

纳米硅量子点/氮化硅三明治结构的电致发光

采用等离子体化学气相沉积技术制备了两种不同非晶硅层厚度的氮化硅/氢化非晶硅/氮化硅三明治结构,研究了不同能量激光退火对薄膜晶化的影响。通过拉曼分析,发现在激光能量为320mJ时,样品开始晶化,随着能量的提高晶化程度增加,在340mJ时达到最大。根据拉曼晶化峰的偏移,计算得出硅量子点尺寸为2.8nm和4.7nm,表明三明治结构对形成的硅量子点的尺寸具有限制作用。设计并制备了基于该结构的电致发光器件,在偏压大于10V时,在室温下可观测到电致发光。发现不同激光能量下晶化后的样品的电致发光强度不同,发光峰位在680nm和720nm附近。分析表明电致发光来源可以归结为电子空穴对在硅量子点中的辐射复合发光。     

基于玻璃回流的TGV衬底制备

针对MEMS器件背面引线的需求,提出了一种基于玻璃通孔(TGV)加工方法的10.16 cm(4 inch)圆片衬底的制备工艺流程.首先深硅刻蚀导电硅片,然后将硅片和玻璃片阳极键合,随后将键合后的玻璃-硅圆片经高温加热,使玻璃填充至硅片中,再依次研磨抛光玻璃-硅圆片的正面玻璃和背面硅,直至硅与嵌入玻璃在同一平面,最后得到了厚度为258μm的4 inch圆片衬底,其轮廓算术平均偏差、轮廓最大高度、微观不平度十点高度的平均值分别为13,71和49 nm.此外,测得圆片中硅导通柱电阻率为0.023Ω·cm.