GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除

本文以UV/O3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。     

双联碳膜解决纳米晶体在TEM中碳污染的研究

在透射电子显微镜(TEM)中,电子束会引起碳污染,为了研究纳米晶体在TEM表征过程中碳污染问题的解决方案,选取油胺中合成的Au₂Bi纳米晶体,分别用超薄碳膜和超薄双联碳膜制备样品,并用TEM进行表征。研究结果表明,利用超薄双联碳膜制备样品,明显降低了纳米晶体的碳污染现象,大大提高了电子显微镜图像的质量。同时,从碳污染形成的原理方面,分析了超薄双联碳膜能够缓解碳污染产生的原因,是因为两层碳膜将样品固定在一起,可以有效阻止有机配体的扩散。这种有效且简便的方法有助于TEM研究受配体诱导污染的纳米晶体材料。     

低对称晶体GdCa_4O(BO_3)_3电光系数的测量

用干涉法测量了低对称晶体 Gd Ca4 O(BO3) 3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数 γ51 ,γ53,γ4 2和γ6 2 ,采用了新的样品趋向。测量结果为 :γ1 1 =0 .4 pm / V ,γ2 1 =0 .5 pm/ V,γ31 =0 .6 pm / V,γ1 3=0 .1pm/ V,γ2 3=0 .4 pm / V,γ33=2 .0 pm/ V,γ51 =0 .7pm / V ,γ53=1.5 pm / V,γ4 2 =0 .5 pm/ V,γ6 2 =0 .8pm / V .     

低对称晶体YCa_4O(BO_3)_3电光系数的测量

用于涉法测量了低对称晶体YCa4O(BO3)3的全部电光系数,为了分离测量交叉电光系数γ51, γ53, γ42,和 γ62,采用了新的样品趋向,测量结果为:γ11=0.6, γ21=0.4, γ31=0.3, γ13=0.3, γ23=0.2, γ33=2.26, γ51=0.9, γ11=0.6, γ11=0.6, γ53=4.1, γ42=0.8, γ62=0.4×10-12m/V。     

高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响

本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品.利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描电镜对其表面显微形貌进行分析.然后,将各种不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷进行高温Mo-Mn法金属化,并用Ag焊料进行封接.最后,测试出不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度,进而研究高纯氧化铝陶瓷表面形貌对其Mo-Mn金属化封接强度的影响.结果发现,表面未加工高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度高、一致性最好.     

Cr,Ca:Y3Al5O12晶体中四配位四价铬离子激光中心的形成

在以中频感应提拉法生长Cr,Ca:Y3Al5O12晶体的基础上,根据不同Ca/Cr掺杂浓度比的晶体于空气中退火前后的吸收光谱数据,建立了四配位四价Cr激光中心形成的缺陷反应方程,认为Cr3+到Cr4+的价态转变与晶体中带有两个而不是一个正电荷的氧离子空位有关。