湿法刻蚀及其均匀性技术探讨

湿法刻蚀是化学清洗方法之一,是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,具有对器件损伤小、设备简单等特点。本文介绍了湿法刻蚀工艺的原理、工艺过程以及应用,分析了影响湿法刻蚀均匀性的主要因素,并提出提高刻蚀均匀性的方法。     

ICP等离子发射光谱仪在离子膜烧碱中的应用

ICP等离子发射光谱仪在分析样品时具有处理样品简单、灵敏度高、分析速度快等特点,被广泛应用于环保、冶金、食品等行业。近些年来在离子膜烧碱行业也发挥了巨大的作用。我公司自1997年6月离子膜烧碱开车以来利用LeemanlabsPS-1000型ICP分析纯水、一次盐水、二次盐水、片碱中的杂质取得了良好的效果。     

ICP发射光谱仪在盐水监测中的应用

介绍了ICP发射光谱仪的特点、操作条件及仪器的使用情况及对在使用中遇到异常现象原因的分析总结,逐步改善、提高仪器的使用技能,从而提高仪器的使用效率,延长其使用寿命。     

ICP等离子发射光谱仪在10万吨/年离子膜烧碱中的应用

文章介绍了ICP等离子发射光谱仪在离子膜烧碱工业生产中的实际应用,通过使用外标法、标准加入法和单点外标法对纯水、一次盐水和二次盐水中Ca、Mg、Fe、Sr、Si的分析,实现对杂质离子的分析监控,对提高电流效率、节能降耗以及提高膜使用寿命具有实际意义。     

ICP—AES多元素分析仪在磷肥上应用

本文论述使用电感耦合等离子发射光谱仪（简称ICP－AES）对磷矿、磷酸及部分磷肥产品中磷、钙、镁、钾、钠、铁、铝、锰、硫、铬、镉、砷、铜、钛、钼、锌、铅、镍等元素的分析情况。给出辽些元素的波长的灵敏度等测试信息。     

ICP法测定盐水中的微量汞

介绍一种精度高、重现性好的测定方法-ICP法测定盐水中的微量汞.     

纳米氮化硅粉体材料的ICP制备技术及TEM分析

用硅烷和氮气为反应气体,采用ICP等离子体化学气相沉积技术合成氮化硅纳米粉体。用朗缪尔探针诊断了反应室内等离子体参数,得到不同位置、不同功率下等离子体密度的变化规律,等离子体密度随着功率的增大而增大,由于离子鞘层的存在,提供了局部等离子体密度稳定的区域。利用TEM分析了纳米氮化硅的显微形貌,结果表明：纳米氮化硅粉体颗粒为球形,分布于20～40nm。     

浅谈ICP光谱法在钢材金属元素的检测

如今,钢材凭借其优秀的性能成为人们在日常生活、建筑业以及制造业中不可或缺的材料,也是世界上使用最多的材料之一。我国是生产、消耗钢材的大国,对钢材所含金属元素进行相应的检测对生产厂家来说可以提高质量,对企业、消费者来说使用钢材更放心。从ICP光谱法的概念出发,粗略的介绍了ICP光谱法的原理、特点,简述了使用ICP光谱法对钢材所含金属元素检测的方法,并具体叙述了ICP光谱法在实际检测中的运用。     

线路板蚀刻废液提铜后的废水处理技术改进及应用

介绍了线路板厂含铜蚀刻废液提取氧化铜后的废水处理方法及应用实例,结果表明:采用文中介绍的方法分别处理以上废水,能实现对废水中的铜及氨氮的回收处理,处理后的废水中铜、氨氮、COD等含量均能达到国家规定的排放标准。文中介绍的废水处理组合工艺具有加药量少、污泥产生量少、处理成本低等优点。     

Cycle of two-step etching process using ICP for diamond MEMS applications

Inductively coupled plasma (ICP) etching was performed to etch diamonds, and a new diamond etching technique was established in order to obtain the high selective etching rate of diamond with respect to the silicon oxide etching mask and the smooth etched surface. Scanning electron microscope (SEM) observations and energy dispersive X-ray (EDX) characterizations of the etched diamond surfaces show that the silicon oxide etching mask particles were re-deposited on the fresh etched diamond surface. This results in un-intentional whisker formation. In order to obtain both the high selectivity and the smooth etched surface, a sequential cycle of ICP etching was, for the first time, applied for diamond. Diamond is etched with O₂ plasma during the first step and, in the second step, silicon oxide was removed using (CF₄ + O₂) plasma. Both the selective etching rate of diamond to silicon oxide was improved and the smooth surface was obtained. By applying the two-step etching process, diamond gene-surgery tips for atomic force microscopy (AFM) have been fabricated.     

混凝技术在去除蚀刻液COD中的应用及蚀刻液COD的测定

主要研究以聚丙烯酰胺作为助凝剂的混凝沉淀处理过程,去除蚀刻液废水中的有机物.实验得出两种混凝剂配合助凝剂的最佳投加范围,分别为:聚合氯化铝为200mg/L左右、聚丙烯酰胺为5mg/L左右、聚合硫酸铁为100mg/L左右、聚丙烯酰胺为10mg/L左右.以聚合氯化铝和聚丙烯酰胺组合的处理效果最为理想,CODcr去除率可达86.26%,处理出水CODcr降至419.7 mg/L,达到国家三级排放标准.在实验中,由于蚀刻液废水中含有高浓度氯离子,严重干扰了CODcr.的正常测定.针对这一不足,采用了银盐沉淀法来屏蔽氯离子,相对误差可以控制在-2.5%～ 1.4%之间.该法能够稳定、准确地测定高浓度氯离子废水的CODcr.提供了蚀刻液CODcr测定的有效方法.     

从专利申请浅析我国玻璃蚀刻技术的发展趋势

通过国家知识产权局专利数据库CNABS,利用国际专利分类号IPC分类号来对我国的玻璃蚀刻技术的专利申请情况进行了全面检索,并对检索到的数据进行全面分析,包括对玻璃蚀刻技术的申请量现状、发展趋势、国内外主要申请人、以及未来的研究趋势进行分析,从而指出当前国内在玻璃蚀刻研究中存在的一些问题,并提出一些建议及对发展前景进行展望。     

蚀刻补偿工艺在阶梯线路上的应用

本文提出了一种在板面厚度为15μm/30μm的阶梯板上制作线路宽度为75μm的阶梯线路的新型工艺——蚀刻补偿工艺。首先选用板面厚度为15μm的双面覆铜板制作板面厚度为15μm/30μm阶梯板,进而利用蚀刻补偿工艺在此阶梯板上制作线路宽度为75μm阶梯线路,最后再通过线宽、线路形貌以及蚀刻因子对所制作的阶梯线路进行评价。结果表明,该工艺简单、可靠,可广泛应用于阶梯线路制作。     

玻璃减薄蚀刻废液综合处理技术研究

以显示玻璃减薄蚀刻模拟废液、钾盐或钠盐等为原料,选择性地回收其中的氟硅酸.主要探究了不同沉淀剂种类、用量、洗涤剂种类与用量对氟硅酸盐纯度和氟硅酸回收率的影响,并用XRD对最佳条件下制备的产品进行表征.XRD分析结果表明:回收的产品即为氟硅酸钠.化学分析结果表明:K3洗涤剂处理后的样品纯度≥99.64％,符合国家标准;回收率最高可达98.36％.     

含铜蚀刻废液制备硬脂酸铜技术研究

研究了以含铜蚀刻废液和硬脂酸为原料,制备硬脂酸铜的工艺技术。探究了反应pH、温度、时间、液固比等对硬脂酸铜产品铜含量和游离酸含量的影响,用XRD、FT-IR对制备的产品进行表征。实验结果表明,最佳条件下制备的产品铜含量为10.61%,游离酸含量为0.44%,符合产品质量要求。     

基于MEMS技术FDM 3D打印机自适应调平系统

针对熔融沉积成型(FDM)3D打印机在使用过程中出现的打印模型粘接不牢、翘曲变形和抽丝等问题,基于微电机系统(MEMS)技术设计了一种4点式自适应调平系统。该系统利用MEMS双轴倾角传感器测量打印平台的倾角以确定位于最高点的调节点,运用调平算法计算其它3个调节点的举升高度调节量,使用机电式调平机构采用逐高式调平方法实现打印平台的水平调节。研究表明,该系统具有原理简单,调平时间短,可靠性高等特点,能够满足3D打印机调平的性能指标要求,还可推广应用于其它各类调平系统。     

腐蚀条件对高纯铝箔直流电解腐蚀的影响

研究了直流电腐蚀对电解电容器阳极铝箔比容的影响。结果表明,中高压箔腐蚀发孔液用盐酸与硫酸混合液有利于腐蚀箔获得较高的比容值。