Ce:Cu:SBN晶体的生长及其自泵浦位相共轭效应的研究

在铌酸锶钡中掺入ＣｅＯ２和ＣｕＯ，生长了Ｃｅ：Ｃｕ：ＳＢＮ晶体，测试了该晶体的衍射效率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ：Ｃｕ：ＳＢＮ晶体作为自泵浦位相共轭镜，以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储介质，实现了实时关联存储。     

Ce：Eu：KNSBN晶体位相共轭效应的研究

在KNSBN晶体中掺进CeO2和Eu2O3,以硅钼棒作加热体,利用Czochralski法生长Ce:Eu:KNSBN晶体,测试18度切和0度切晶体的自泵浦位相共轭反射度和响应时间,18度切的样品自泵浦位相共轭性能位于0度切的样品,采用自泵浦位相共轭镜,In:Fe：LiNbO3晶体作为存储介质,实现了关联存储。     

Ti:Fe:LiNbO_3晶体的生长及其光折变性能的研究

采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti：Fe：LiNbO3晶体．研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响，测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱．用ESR方法证实，未经还原处理时，Ti：Fe：LiNbO3晶体中Ti离子以Ti4 形式存在．与Fe：LiNbO3和Ti：LiNbOa相比，Ti、Fe复合掺杂，通过电荷补偿效应，使未经还原处理的晶体中Fe2 增加，从而使光吸收增强；可以通过改变Ti、Fe掺杂浓度的方法来控制晶体中Fe2 离子的浓度，达到控制并改善晶体光折变性能的目的．本文还对Ti：Fe：LiNbO3晶体的全息性能进行了研究，测得Ti：Fe：LiNbO3晶体响应时间缩短，衍射效率高达90％以上．Ti：Fe：LiNbO3晶体是一种优质的光折变材料．     

掺铜铌酸钾锂晶体光折变效应的研究

在铌酸钾锂晶体中掺进ＣｕＯ,采用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｃｕ：ＫＬＮ晶体。测试Ｃｕ：ＫＬＮ晶体红外透射谱,研究ＯＨ＾－吸收峰发生红移的原因。以二波耦合光路测量Ｃｕ：ＣＬＮ晶体的光折变擦除曲线,计算擦除时间和光电导,研究Ｃｕ：ＫＬＮ晶体的光折变性能。     

Ti:Fe:LiNbO3晶体的生长及其光折变性能的研究

采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti：Fe：LiNbO₃晶体．研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响，测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱．用ESR方法证实，未经还原处理时，Ti：Fe：LiNbO₃晶体中Ti离子以Ti⁴⁺形式存在．与Fe：LiNbO₃和Ti：LiNbO₃相比，Ti、Fe复合掺杂，通过电荷补偿效应，使未经还原处理的晶体中Fe²⁺增加，从而使光吸收增强；可以通过改变Ti、Fe掺杂浓度的方法来控制晶体中Fe²⁺离子的浓度，达到控制并改善晶体光折变性能的目的．本文还对Ti：Fe：LiNbO₃晶体的全息性能进行了研究，测得Ti：Fe：LiNbO₃晶体响应时间缩短，衍射效率高达90％以上．Ti：Fe：LiNbO₃晶体是一种优质的光折变材料．     

KNSBN:V晶体材料制备及光诱导吸收研究

成功地生长、制备出了一系列含不同掺钒浓度的钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ：Ｖ）晶体样品。测量了在不同光强、光偏振和掺钒浓度下ＫＮＳＢＮ晶体的光诱导吸收变化。实验结果显示,ＫＮＳＢＮ：Ｖ晶体存在较强的光诱导吸收,且其光诱导吸收变化明显依赖于泵浦束光强,探测束光偏振和晶体的掺钒量,对于探测束光偏振平行和垂直于ｃ轴的情况其值分别可达０．５５和０．２２ｃｍ＾－１。对实验结果进行了解释。     

Ce,Eu双掺BSO晶体光折变效应研究

在ＢＳＯ晶体中同时掺入Ｃｅ和Ｅｕ离子，生长了Ｃｅ：Ｅｕ：ＢＳＯ晶体，对晶体的二波耦合和四波混频性能了测试。结果表明，Ｃｅ和Ｅｕ离子对晶体的光折变效应起到了增强的作用。     

交变极化改善重掺Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体光折变性能及体全息存储特性研究

生长了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体，对晶体进行了多次交变极化，有效的提高了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的光折变性能，使得Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的响应速度大大加快，散射噪声减小，体全息存储图像质量得到较大改善。     

双掺铈锰铌酸钾锂晶体的生长及光折变性能的研究

在铌酸钾锂(KLN)中掺进CeO2和MnCO3,采用Czchralski法首次生长CeMnKLN晶体,测试晶体的晶格常数,CeMnKLN晶体的晶格常数变小.测试晶体的吸收光谱,它的吸收边相对KLN晶体发生红移.研究晶体吸收边发生红移的原因.以二波耦合光路测试CeMnKLN晶体的指数增益系数Γ.它的指数增益系数最大值Γmax=9.2cm-1,大于KLN晶体的Γ值.     

KTN∶Cu晶体的铁电和光折变性能

用熔盐提拉法培育了掺 Cu~(2+)离子的 KTa_(1-x)Nb_xO_3(KTN∶Cu,x=0.32)晶体;在±160℃范围内测量了介电常数、介质损耗、自发极化强度和热释电系数;用 Ar 激光和二波混频法测量了室温下的光折变性能;扼要讨论了它的铁电相变特点和光折变性质.结果表明,该晶体的两个铁电-铁电相变为一级相变,而它的铁电相变已开始趋向于二级相变;室温立方相的衍射效率已高达52%,光折变灵敏度为3.2×10~(-6)cm~3/J,光折变动态范围Δn 为2.33×10~(-5),表现出良好的光折变应用前景.     

双掺杂LiNbO3晶体的生长及其实时图象微分的研究

采用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｎＮｂＯ３晶体和Ｃｅ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的抗光致散射能力、衍射效率和响应时间。以双掺杂ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息记录材料,Ｃｅ：Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体构成自泵浦位相共轭镜,进行了实时图象边缘增强的研究,并探讨了不同的记录晶体对实验结果的影响。     

卤化镧系LnX3(Ce)闪烁晶体的研究进展

卤化镧系LnX₃(Ce)(Ln=La、Lu、Gd;X=Cl、Br、I)闪烁晶体由于其高发光效率、快衰减和高的能量分辨率等优异性能而在医学成像技术-单光子发射计算机层析扫描(SPECT)和正电子发射层析扫描(PET)中存在巨大的应用前景.本文概述了近年来LnX₃(Ce) 晶体的研究进展.从原料制备出发,介绍了它们的晶体生长方法与结构,基本的物理、化学性质,主要闪烁性能、发光机制及其它掺杂效应研究等.最后,对它们未来的研究发展方向和其他应用前景作了展望.     

掺镁PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了掺镁ＰｂＷＯ４晶体，测试了Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率和衰减时间。Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的秀经和发光效率高于ＰｂＷＯ４晶体。     

Recent Advances in Growth of Large‐Sized 2D Single Crystals on Cu Substrates

Large‐scale and high‐quality 2D materials have been an emerging and promising choice for use in modern chemistry and physics owing to their fascinating property profile. The past few years have witnessed inspiringly progressing development in controlled fabrication of large‐sized and single‐crystal 2D materials. Among those production methods, chemical vapor deposition (CVD) has drawn the most attention because of its fine control over size and quality of 2D materials by modulating the growth conditions. Meanwhile, Cu has been widely accepted as the most popular catalyst due to its significant merit in growing monolayer 2D materials in the CVD process. Herein, very recent advances in preparing large‐sized 2D single crystals on Cu substrates by CVD are presented. First, the unique features of Cu will be given in terms of ultralow precursor solubility and feasible surface engineering. Then, scaled growth of graphene and hexagonal boron nitride (h‐BN) crystals on Cu substrates is demonstrated, wherein different kinds of Cu surfaces have been employed. Furthermore, the growth mechanism for the growth of 2D single crystals is exhibited, offering a guideline to elucidate the in‐depth growth dynamics and kinetics. Finally, relevant issues for industrial‐scale mass production of 2D single crystals are discussed and a promising future is expected.     

Cd_xSBN晶体的介电、铁电及热释电性

本工作研究了用 Cd 改性的铌酸锶钡晶体(配方为 Cd_xSr_(0.5-x/(?))Ba_(0.5-x/(?))Nb_2O_6,x=0,0.005,0.01,0.015,0.03,0.05)的介电温度(10～580K)特性、低温(10～300K)热释电性以及室温时的介电谱和铁电性。发现在350～400K 范围内,晶体发生顺电-铁电相变;在100K 附近,ε′—T 曲线和 P—T 曲线稍有转折,可能存在新的相变;这些晶体的新鲜样品的电滞回线有严重的收缩现象,实验表明,在电滞回线的收缩过程中,这些试验样品被部分极化。     

闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

用提拉法生长了Lu2Si2O7：Ce晶体，讨论了晶体生长过程中的几个问题；（1）熔体挥发；（2）晶体开裂；（3）层状包裹．生长过程中LPS和SiO2均存在挥发，其中后者占主导；LPS挥发不会造成组分偏析，因此对生长过程没有负面的影响．接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因．层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄，熔体容易出现组分过冷，以及生长设备的温控系统精度不高等造成的．