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采用水热腐蚀铁钝化法在单晶硅片上生长铁钝化多孔硅(IPS)薄膜,以IPS为感湿介质制成湿敏元件。在不同湿度环境以及测试频率下,测出其电容值,得到了IPS的湿敏特性曲线。研究发现,当相对湿度从11%RH逐渐增加到95%RH的过程中,在测试频率为100Hz时,IPS湿敏元件的电容值增大幅度达1500%,电容响应时间在升湿过程和脱湿过程分别为15s和5s,并且IPS湿敏元件的温度系数在15℃到35℃的范围内较小。结果表明:IPS湿敏元件的特性包括灵敏度、响应时间以及温度系数等均优于多孔硅(PS)湿敏元件的特性。 相似文献
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SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏试样,分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成,测量试样的湿敏特性,并通过复阻抗分析方法,研究了SnO2系湿敏元件烧结工艺与电性能的关系,探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响.结果表明: 适当调整烧结工艺参数可明显改善材料的微结构和湿敏性能,850℃×1h试样具有高湿电阻小灵敏度适中的湿敏特性;复阻抗分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度的变化,且随时间的延长,试样的复阻抗谱的半圆弧弧长逐渐增大. 相似文献
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用外延生长法,在具有二氧化硅层的单晶硅衬底上外延生长一层多晶硅,采用平面工艺在其上形成具有数千个矩形小孔的精密阵列,构成多晶硅阵列式湿敏元件.对元件的特性进行了研究,其吸湿响应时间为280ms,脱湿响应时间为620ms.在理论上,引入两种水分子与阵列作用机制,其一,水分子与多晶硅晶界的作用;其二,水分子与阵列结构的碰撞作用.由此计算了元件阻值随相对湿度变化的关系为R=R_0(1-Ax%)/(1+Dx%)将理论值与实验值进行比较, 两者吻合较好. 相似文献
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梁锦 《自动化与仪器仪表》1999,(6):52-53
0 前 言由各种材料制成的阻抗式湿敏元件,虽然其灵敏度高,但温度系数也大,其阻抗对温度的函数关系复杂。这给湿度传感器带来温度补偿的困难。实践证明,采用阻抗式传感器来检测湿度,检测误差大,动态特性与静态特性都不太理想。对湿度控制系统来说,湿度检测是个难点,也是关键。笔者采用新型电容式湿度传感器与逻辑鉴宽器结合,能方便而可靠地调节湿度。1 电容式湿敏元件几何结构一定的电容器,其电容量与两极间介质的介电常数成正比。而介电常数又随空气湿度变化而变化。依此原理可制成电容式湿敏元件。专门用于检测湿度的电容介… 相似文献