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<正> 美国贝尔实验室李天培等人发现把普通的1.3μm BH激光器,再解理制作成短腔(50~150μm)折射率导引激光器,在CW和调制两种情况下均能提供改进的单频输出。 相似文献
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本文研究了1.5μm InGaAsP隐埋新月形激光器经过再解理而形成的解理耦合腔激光器的单纵模工作与偏置电流、温度和调制频率的函数关系。通过对电学上绝缘、光学上耦合的两个区域进行偏置电平调谐的方法制作的这种双腔激光器,以稳定的单模工作。波长对温度的稳定性在14℃的范围内引起的变化只有0.48 /℃。以高达1Gb/s的速率进行直接调制时仍能保持单模工作。由于缩小了线究和没有分配噪声,从而使这种激光器在通过高度色散的单模光纤的光传输系统中很有用。 相似文献
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InGaAsP/InP正方形微腔激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用平面工艺制作的定向输出微腔半导体激光器是集成光学同路的理想光源.近十几年来,以微盘为代表的回音壁模式(whispering-gallery mode)微腔激光器引起人们很大的重视.但圆对称的微盘激光器缺乏定向的激光输出,人们往往利用输出波导与微盘实现消逝波耦合或通过改变微盘的对称性来实现定向输出.最近几年,多边形微腔如止三角形、正方形、长方形、六边形等多边形光学微腔也引起人们的重视.多边形光学微腔中也能有高Q值的类回音壁模式.而且由于不具有圆对称性,其模式特性有利于简单地实现定向光输出. 相似文献
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采用仅在一个端面上具有金属镜面的短腔InGaAsP注入激光器,已从实验上获得了:高微分量子效率(70%)、高输出功率(5mW)和在高调制速率(1Gbit/s)下稳定的单频输出。 相似文献
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在光电子集成电路中用作光源的激光器应该满足某些必要条件。一个重要的必要条件就是与标准微电子技术的相容性。而且集成电路的尺寸不应受激光器谐振腔腔长所限制,也就是说,至少激光器的一个反射面应该集成在衬底内部。这可以采用微解理技术和化学腐蚀镜面以及其它技术来实现。本文报导一种在半绝缘衬底上制成的新型槽型InGaAsP/InP激光器。该激光器虽然与以前介绍过的槽型激光器基本相同,但是它还具有另外一些特点,使得它与标准集成电路技术更为协调。这种结构几乎是平面结构,这对以后的光刻工艺是有利的。同时,只需在半绝缘InP衬底上进行一次液相 相似文献
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千山 《激光与光电子学进展》1979,16(10):19
本文描述了短腔染料激光器的设计。这个激光器用锁模Nd3+玻璃激光器的三次谐波亳微米8微微秒的脉冲泵浦,产生一个在400亳微米到470亳微米谱区可调谐的2微微秒脉冲。这种激光器的特点是具有可变的标定了的腔长(10~500微米),染料能在染料盒内连续流动,并且设计紧凑牢靠。该激光器已用于各种微微秒光谱学实验中,并证明了它是一个方便而有效的可调谐蓝色光源。 相似文献
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给出了描述InGaAsP注入式激光器中单模(单频)功率的下限和上限与腔长关系的简单表达式。发现,单模功率的下限与腔长成正比,而其上限却与腔长成反比。因此,短腔激光器在阈值以上很宽的电流及功率范围内,对获得单模输出是一个合适的结构。通过短腔设计还能改善模式的温度稳定性。理论结果与我们最近对甚短腔(50~75μm)条形InGaAsP激光器所得实验结果一致。在较宽的电流范围内这些激光器呈现出一致的单模输出。 相似文献
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在激光器的两面形成微解理镜面,获得了单模、衰减稳定的双异质结(DH)(GaAl)As激光器。这里叙述的用微解理技术制得的激光器能够得到在普通腐蚀镜面激光器中所能得到的许多优点,而且大大地改善了腐蚀镜面激光器由镜面质量所引起的特性,这一点完全可以和通常的解理镜面激光器相媲美。这种技术允许在通常容易制得(250×500μm)管芯尺寸的基片上设计出超短的激 相似文献
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介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述。 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1995,32(11):12-13
量子丝微腔激光器高效率、低电流阈值半导体激光器对通讯、光学处理和光互连等许多应用是诱人的。最近为制作这种激光器所做的研究都是依靠强电子约束或光学约束,使材料态或腔模更完善地耦合到激光过程中。例如,一维量子丝的量子约束使电子态密度浓缩到窄波带内。因此,... 相似文献
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适于光子集成的半导体微腔双稳态激光器,在高速光存储、光交换等光信息处理方面具有重要的应用价值。模式竞争产生的双稳态半导 相似文献
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