人工晶体新进展

我国的晶体生长和晶体材料研究自改革开放以来发展很快，20世纪80年代是我国人工晶体发展的黄金时代，在国际上也有一席之地。进入21世纪以来，飞速发展的科学技术特别是信息技术、生物技术、新能源技术和纳米科技对社会和经济发展起着日益重要的作用，也驱动着新材料的发展。人工晶体作为高科技领域和国防科技不可缺少的关键材料，越来越受到各国政府和科学家的重视。     

若干晶体结晶习性的形成机理

本文根据在热液条件下生长水晶和钛酸钠晶体的电泳实验，提出热液条件下，上述晶体的生长基元具有负离子配位多面体的结构形式。由于溶液过饱和度在变化，这些生长基元的维度也随之变化。不同维度的生长基元往晶体各族晶面上叠合速率的比例也发生相应改变。它直接反映在晶体结晶形貌上。本文根据不同维度生长基元在各族晶面上的叠合速率解释了水晶和钛酸钠的结晶习性形成机理。     

晶体生长理论研究现状与发展

本文回顾了晶体生长理论研究的发展历史,对现有理论的局限性作了评述,认为现有理论的局限性主要表现为：对于环境相结构效应和生长条件变化的忽视,用平衡热力学和统计物理学解释非平衡态的晶体生长过程;对于浓厚相和多元晶体生长缺乏理论模型,并对今后的发展方向提出看法。     

无机闪烁晶体的生长技术

综述了无机闪烁晶体的提拉法，下降法，热交换法，浮区法等生长技术，其中最常有和的最前两种方法。同时就某些典型的闪烁晶体讨论了上述生长技术的优缺点。     

PbWO4晶体的热膨胀及坩埚下降技术生长晶体开裂分析

本文报道了坩埚下降技术生长钨酸铅盐晶体的热膨胀系数测量结果，讨论了热膨胀对晶体开裂的影响。同时探讨了克服晶体开裂的途径。由于生长时纵向温场效应以及晶体大的热膨胀系数和它的垢各向异性而引起的应变是导致晶体开裂的重要因素。     

氟化铅晶体的生长与Cherenkov辐射特性

采用脱氧剂非真空坩下降法生长出的大尺寸ＰｂＦ２晶体具有优异的Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ辐射特性,其透光截止波长最短可达２４５ｎｍ,能量分辨率优于３．２％／√Ｅ,辐照损伤很弱,用３６５ｎｍ的过滤光漂白后,透光能力几乎可以完全恢复到辐照之前的水平。     

新型闪烁晶体NaBi(WO4)2的研制及闪烁性能的研究

报道了新型闪烁晶体ＮａＢｉ（ＷＯ４）２的生长。测试了晶体的透过率，抗辐照损伤能力和发光效率，ＮａＢｉ（ＷＯ４）２晶体的衰减为３ｎｓ，是闪烁晶体中最短者之一。     

压电晶体Al1—xGaxPO4的生长及其特性

用缓慢升温法成功研制出非铁电性二元系压电新晶体Ａｌ０．８８Ｇａ０．１２ＰＯ４，通过原子光谱吸收，Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射及Ｘ射线粉末衍射测定其组分结构，并给出了新晶体和电弹常数和温度系数。     

人工晶体新进展

我国的晶体生长和晶体材料研究自改革开放以来发展很快,20世纪80年代是我国人工晶体发展的黄金时代,在国际上也有一席之地。进入21世纪以来,飞速发展的科学技术特     

快速单向约束性生长超细晶体的新模型

用Ｇｉｂｂｓ－Ｔｈｏｍｓｏｎ曲率效应和数学处理改进枝晶 Ｗａｒｒｅｎ－Ｌａｎｇｅｒ（ＷＬ）模型，在验证了有效性和适用性皇，将其应用于ＣＢｒ４－Ｘ透明模型合金的快速向限制性生长中近绝对稳定性研究，得出的主要结论与实验观察结果基本吻俣。     

新型压电晶体Li2B4O7的性能、生长和应用

本文详细介绍了我们在Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７晶体坩埚下降法生长方面的研究进展，报道φ３、φ４无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Ｌｉ２Ｏ４Ｏ７晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序，同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在ＳＡＷ器件方面的应用。     

钨酸铅晶体的生长及其闪烁性的研究

采用提拉法生长出直径２０－２５ｍｍ,长２５－３０ｍｍ优质ＰｂＷＯ４及Ｌａ＾３＋、Ｍｇ＾２＋、Ｍｏ＾６＋和Ｂｉ＾３＋掺杂ＰｂＷＯ４晶体。测试了晶体的Ｘ射线衍谢谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对ＰｂＷＯ４晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。     

晶体功能材料的发展动向

作者在从事晶体功能材料研究40余年、拥有厚重的学术与成果积累的基础上，全方位地审视了本领域学科前沿的研发热点与态势，提出了晶体功能材料发展的7个动向，即：1、单晶生长朝更大、更完整因而更难驾驭的方向发展；2、薄膜晶体是人工晶体的重要发展方向；3、薄膜晶体的制备正朝着材料元件一体化的方向发展；4、周期微结构材料的研制导致了光子晶体的面世；5、光子晶体己受到日益深切的关注并获得迅速的发展；6、微米晶和纳米晶已成为新的研究热点；7、智能晶体正逐步向我们走来。     

掺尿素的TGS晶体的生长及性质研究

利用降温法生长掺尿素的ＵＴＧＳ单晶,测试晶体的热释电和介电特性。结果表明,尿素的掺杂提高了晶体的热释电性能。     

四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究

以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶，采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7晶体。生长速率＜0.3mm/h，固液界面附近的温度梯度约为30℃／cm。探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法，测试了该晶体的性能。介电常数ε11＝9．33，压电系数d33＝0．94C/m^2，机电偶合系数k33＝0．42，高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力。     

Mn^5＋：Ba3（VO4）2可调谐激光晶体的生长

报导了用中频感应引上法生长Ｍｎ＾５＋；Ｂａ３（ＶＯ４）２晶体的实验呼结果，晶体主要解理面为（０００１）面，常见缺陷是沿生长中心轴的散射颗粒“芯”，指出了生长高质量高浓度Ｍｎ＾５＋：Ｂａ３（ＶＯ４）２单晶的有效途径、优质尺寸大于直径３０ｍｍ×４５ｍｍ测定了该晶体的吸收光谱和荧光光谱。