弛豫铁电陶瓷有序-无序结构对其相组成和介电性能的影响

简要介绍了弛豫铁电陶瓷的有序－无离结构及其对材料相组成和介电性能的影响。     

亚纳米铁电陶瓷介电性能的粒度效应

本文采用ＢａＴｉＯ３超细粉和常规陶瓷工艺制备了亚纳米铁电陶瓷，并研究了其介电性能的粒度效应。研究表明，ＢａＴｉＯ３铁电陶瓷的介电常数、居里点及介质损耗都存在很明显的粒度效应，晶粒的细化有利于性能的提高。介电常数在粒径为０．８μｍ处有一个最大值，当晶粒减至亚纳米（〈０．８μｍ）时，居里点降低，损耗因子及其温度变化率减小。     

复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能

采用两相混合烧结法在Pb（Zn1／3Nb2／3）O3－BaTiO3－PbTiO3系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料．相组成研究表明，该陶瓷具有两相共存的复相结构．对复相陶瓷的介电性能进行了研究，结果表明，复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性、频率特性和介质老化性能．     

铋含量对钛酸镧铋陶瓷结构和介电性能的影响

通过固相合成的方法制备了Bi3.25,LaxTi3O12（x=0．98～1．03，简称BLT）陶瓷。通过XRD，SEM和阻抗分析仪表征了陶瓷的晶体结构和晶体形貌，测试了陶瓷的介电频谱，结果表明陶瓷的晶体结构为典型的层状钙钛矿结构且不随Bi含量和温度的变化而改变；随着Bi含量的增加晶体形貌由棒状颗粒向片状颗粒转变，而且陶瓷的致密度也得到提高；介电常数随Bi含量的增加先增大后减小，并且在x=1．02时达到最大值。     

复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能

采用两相混合烧结法在Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３－ＰｂＴｉＯ３系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料，相组成研究表明，该陶瓷具有两相共存的复相结构，对复相陶瓷的介电性能进行了研究，结果表明，复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性、频率特性和介质老化性能。     

复合钙钛矿铁电陶瓷的电场诱导畴反转特征研究

本文通过铌锌酸铅基复合钙钛矿结构铁电陶瓷的电畴观察、强场极化反转行为以及直流偏压下介电行为和X射线衍射峰等的详细测量,对铁电微畴、宏畴在外场诱导下的反转规律进行了分析,探讨了与铁电陶瓷介电行为相对应的微观极化机制。     

铌锌酸铅基陶瓷的铁电行为研究

采用具有改进ＳａｗｙｅｒＴｏｗｅｒ电路的全自动铁电体电滞回线测试系统，对（０．９ｘ）Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｎｂ２／３Ｏ３０．１ＢａＴｉＯ３ｘＰｂＴｉＯ３［（ｘ＝０．０５，０．１０，０．１５，简称ＰＺＮＢＴＰＴ（０．１／ｘ）］系列铁电陶瓷样品在０℃～１９０℃温度范围内强场下的极化强度进行了详细测试，并与其弱场介电行为对比，探讨了铁电宏畴微畴不同的强场极化特性，发现ＰＺＮＢＴＰＴ（１０／１５）铁电陶瓷样品的极化强度在自发正常铁电体弛豫型铁电体转变温度Ｔｎｒ下有一个增大过程。     

钙钛矿型铁电薄膜疲劳性能研究进展

钙钛矿型铁电薄膜由于在非易失存储器方面的应用而受到广泛研究,但疲劳问题是影响其应用的主要障碍。简要综述了近年来国外在钙钛矿型铁电薄膜疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展。     

铁电薄膜的微波介电性能测量方法综述

铁电薄膜在微波器件领域具有广阔的应用前景,微波介电性能的优劣是其能否投入应用的重要判据之一.主要介绍了铁电薄膜微波介电性能的几种简单的、易于操作和实现的测量方法及其原理,重点综述了铁电薄膜微波频段下相关测量方法的适用范围、可靠性及对样品的要求,并对其发展趋势进行了展望.     

铅基钙钛矿型结构铁电薄膜的介电及热释电性能研究

用改进的溶胶－凝胶旋转涂履技术,在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基片上研制出了１－２μｍ厚,具有钙钛矿型结构的ＰｂＴｉＯ３、ＰＬＴ和ＰＺＴ铅基铁电薄膜。该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能。     

多孔PZT95/5铁电陶瓷的机械性能和铁电性能研究

采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT95/5)铁电陶瓷, 研究了孔结构包括孔隙率、孔径及孔形状对多孔PZT95/5陶瓷机械性能和电性能的影响及机理, 并揭示多孔PZT95/5陶瓷微观结构、机械性能和铁电性能的内在联系。研究表明: 孔隙率的增加降低了多孔PZT95/5陶瓷的声阻抗, 改善了陶瓷与封装材料的声阻抗匹配. 孔隙率增加, 多孔PZT95/5陶瓷的屈服应力和剩余极化强度降低, 矫顽场强增大。孔结构对多孔PZT95/5陶瓷屈服应力的影响可由应力集中理论解释; 多孔PZT95/5陶瓷剩余极化强度随孔结构的变化可用内应力结合空间电荷理论加以解释。     

Ba置换改性(Ca1-xBax)[(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3陶瓷结构与微波介电性能的研究

研究了Ba置换改性对Ca [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3陶瓷微观结构与介电性能的影响.通过XRD与SEM分析发现,当x=0.15,(Ca1-xBax) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3形成了正交晶系钙钛矿结构的单相固溶体;当x=0.20～0.80时,改性陶瓷为正交与六方钙钛矿结构的两相复合固溶体;当x=0.85 时,所形成(Ca0.15Ba0.85) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3陶瓷为六方钙钛矿结构的单相固溶体.(Ca1-xBax) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3系陶瓷微波介电性能的变化与Ba在材料内部的分布状态密切相关,与基材CMNT陶瓷相比:当x=0.15时,陶瓷的介电常数提高,介电损耗降低,谐振频率温度系数向负方向移动:εr=55,Qf值=32000GHz(6.5GHz下),τf=-36.82ppm/℃;当x=0.20～0.80间变化时,(Ca1-xBax)[(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3两相复合陶瓷的微波介电性能由于复合效应而表现出连续变化的规律:εr= 45～33 ,Qf值= 30500～40200GHz(6.3GHz～7.6GHz下),τf = -17.7～12.52ppm/℃;当x=0.85时,单相钙钛矿固溶体(Ca0.15Ba0.85) [(Mg1/3Nb2/3)0.6Ti0.4]O3获得良好的微波介电性能:εr=31,Qf值达到44000GHz(8.5GHz下),τf=10.81ppm/℃.     

低介电常数微波介质陶瓷研究进展

随着微波通信技术向毫米波段延伸,低介电常数微波介质陶瓷的开发成为介质材料的研究热点。概述了Al2O3系、硅酸盐系、AAl2O4系(A=Zn、Mg)、钨酸盐系、磷酸盐系及石榴石结构化合物体系等低介电常数微波陶瓷材料体系的研究进展,并指出了低介电常数微波介质陶瓷目前存在的问题及发展趋势。     

含铅基弛豫铁电陶瓷制备技术的研究进展

介绍了含铅弛豫铁电陶瓷制备技术的研究进展,并对近两三年出现的机械化学合成、低温燃烧合成、液相包裹法、微乳液法和改进混合氧化物法等一些新及其特点进行了综合评述。     

BZT与CT复合微波陶瓷的结构和性能

采用预成瓷的方法,得到单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末,分别作为正负温度系数组元制备复相零温度系数微波陶瓷.预成瓷法可以抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷烧结温度.采用复相方法可以调节温度系数,特别是在940℃烧结的CT含量为5%的样品,其介电常数εr=73.3(1MHz),温度系数αε=27×10-6/℃.     

微波介质陶瓷的研究进展

介绍了近年来微波介质陶瓷的发展与研究现状,分析了不同体系微波介质陶瓷的主要发展方向以及各自代表合成体系.同时比较介绍了微波介质陶瓷各体系的重要微波介电性能.指出未来急需解决的问题与发展方向.     

A位复合铁电陶瓷Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-BiCrO3的介电弛豫

采用固相反应法制备了A位复合铁电陶瓷(1-x)Bi_0.5(Na_0.82K_0.18)_0.5TiO₃-xBiCrO₃(BNKT-BCx). 研究了该陶瓷在室温至500℃温度范围内的介电性能. 结果表明该陶瓷的介电温谱存在两个介电反常峰和一个介电损耗峰, 低温介电反常峰温度附近具有明显的介电常数频率依赖性, 但居里峰随频率增加基本不变, 与典型弛豫铁电体的特征不同. 将弛豫铁电体分为本征弛豫和非本征弛豫铁电体, 通过分析极化前和极化后陶瓷的介电温谱, 发现该体系低温介电反常峰温度附近的介电频率依赖性为空间电荷和缺陷偶极子极化引起的非本征弛豫.     

钾离子掺杂PZN基陶瓷的相结构和介电性能

采用复相混合烧结制备出掺杂钾离子的PZN基陶瓷,研究了钾离子对PZN－BT－PT三元系弛豫铁电陶瓷的相结构、介电性能的影响。结果表明,钾离子掺杂可使材料的居里温度向低温方向移动,降低陶瓷的介电常数,但可有效改善陶瓷试样的温度稳定性;复相混合烧结可以消除由于钾离子掺杂而引起的焦绿石相;二者结合可获得具有纯钙钛矿相结构,弥散相变度宽（－100℃）,室温介电常数高,介电损耗低（0．011）的PZN基弛豫铁电陶瓷,并能显著提高材料的温度稳定性。     

(1-x)BaTiO3-xCaTiO3陶瓷介电特性与La掺杂半导化研究

制备了(1-x)BaTiO3-xCaTiO3(x=0.0～1.0)陶瓷(BCT系)和La掺杂(1-x)BaTiO3-xCaTiO3(x=0.2～0.3)陶瓷(BCTLa系).研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结构和介电性能,验证了BCT系陶瓷在Ca组分x=0.24～0.90之间的复相结构.研究发现,BCTLa系陶瓷的性质与预期相差甚远,介电常数增长10倍以上,损耗急剧增大,电阻率锐减,较纯BaTiO3下降5～6个数量级,绝缘性能变差,实现了半导化,并分析了半导化原因.     

退火处理对铅基弛豫型铁电体介电、压电性能的影响

铅基弛豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高．在PMN－PT陶瓷中,k_p由58％提高到66％,峰值介电常数由30900提高到37200,d_(33)达到530pC／N.在PZN－PT－BT陶瓷中,k_p由35％提高到51％,峰值介电常数km由11400提高到29000,d_(33)由347PC／N提高到624pC／N．这种改善可能与晶界玻璃相的消除以及畴壁运动等因素有关