高增益硅超高频功率SIT

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率，５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐ０为４０Ｗ，漏极效率η０接近６０％，功率增益Ｇｐ，高达１６ｄＢ，Ｐ０＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ，Ｐ０＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。     

3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管

最近南京电子器件研究所在研制长脉宽工作、高增益硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展。器件工作频率 3.1～ 3.4GHz,脉冲宽度 30 0μs,占空比 1 0 % ,输出功率大于 1 2 W,功率增益大于 9.5 d B,效率大于 35 % ,顶降小于 0 .5 d B,带内平坦度小于 1 .2 5 d B。器件具有抗 1 d B输入过激励、3∶ 1输出失配的能力。图 1　器件外型图( E:发射极 ;B:基极 ;C:集电极 )Fig.1　 Devise outline( E:Emitter;B:Base;C:Collector)芯片在 76 mm硅工艺线上研制成功 ,具有较高成品率和可靠性。器件采用共基极结构、气密性金属陶瓷封装 ,C类工作。…     

介质加盖高增益微带天线的优化

本文提出了利用点源增益优化的设计介质加盖的高增益微带天线的方法，所确定的各介质层的电厚度能保证天线取得同的增益。同时优化计算量也成倍减少，所设计的一个两层介质加盖微带天线的最高增益达到１６．８ｄＢ。分析结果还表明，在一定条件下，增益和效率是可以兼顾的，用加盖的方法提高天线增益同时仍可使具有较高的辐射效率。     

介质加盖高增益微带天线的优化

本文提出了利用点源增益优化方法设计介质加盖的高增益微带天线的方法,所确定的各介质层的电厚度能保证天线取得最高的增益。同时优化计算量也成倍减少。所设计的一个两层介质加盖微带天线的最高增益达到16.8dB。分析结果还表明,在一定条件下,增益和效率是可以兼顾的,用加盖的方法提高天线增益的同时仍可使天线具有较高的辐射效率。     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定理模拟

本文了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高主入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合。     

高增益低噪声超低温硅双极器件系列

东南大学微电子中心在国家自然科学基金委、机电部电子科学研究院和江苏省科委的资助和支持下,在国内率先研制成功了可在液氮温度下正常工作的高增益低噪声超低温硅双极器件系列,通过了江苏省科委主持的技术鉴定,器件主要电参数性能指标为:     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。     

低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟

本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系，计算结果与实验相吻合．结果表明在77K时，电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在300K时则由有效基区展宽效应决定，特征频率在300K时主要由基区渡越时间决定，而在77K时，由于发射区禁带变窄效应非常明显，以至于发射区少于存贮时间可能成为主要因素．低温下特征频率蜕变的主要原因是禁带变窄效应，而不是低温浅能级杂质陷阱效应．     

X波段高增益圆柱形介质谐振器天线的设计

基于新型(1-x)Zn₂SiO₄-x Li₂TiO₃微波介质陶瓷材料,设计了一种工作在X波段的圆柱形介质谐振器天线(DRA)。该天线采用微带-缝隙耦合方式进行馈电,通过增加矩形环状缝隙产生新谐振点的方法增加阻抗带宽,将微带线枝节改为T字形调节阻抗匹配。仿真结果显示,在工作频段10.34～11.18 GHz范围内,阻抗带宽为820 MHz,频带内驻波比(VSWR)小于2,带内平均增益大于8.62 dBi,最高增益可达10.73 dBi,天线方向性良好。天线的整体性能优异且结构简单,可应用在广播卫星、地球探测卫星、气象卫星等领域。     

X波段高增益圆柱形介质谐振器天线的设计

基于新型(1-x)Zn_(2)SiO_(4)-xLi_(2)TiO_(3)微波介质陶瓷材料,设计了一种工作在X波段的圆柱形介质谐振器天线(DRA)。该天线采用微带-缝隙耦合方式进行馈电,通过增加矩形环状缝隙产生新谐振点的方法增加阻抗带宽,将微带线枝节改为T字形调节阻抗匹配。仿真结果显示,在工作频段10.34~11.18 GHz范围内,阻抗带宽为820 MHz,频带内驻波比(VSWR)小于2,带内平均增益大于8.62 dBi,最高增益可达10.73 dBi,天线方向性良好。天线的整体性能优异且结构简单,可应用在广播卫星、地球探测卫星、气象卫星等领域。     

UHF频段高功率SiC SIT

采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO:和SizNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升.最终28 cm栅宽SiC ...     

一种高增益宽带共栅CMOS电流模跨阻放大器

文章提出了一种高增益宽带共栅CMOS电流模跨阻放大器，从理论上对电路进行了分析。采用0．5μm CMOS工艺进行HSPICE仿真，结果表明，该电路结构能达到57dBΩ跨阻增益，1．5GHz带宽，6．4pA／sqrt(Hz)等效输入总电流噪声；在输入电流为200pA时，其输出电压的动态摆幅达到220mV，功耗仅为76mW。     

L波段0.5mm SiC SIT

作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5 mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0 μm和1.5 μm,源间距2.5 μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性.0.5 mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2 GHz CW、50 V...     

An All-Transistor 1-KW High-Gain UHF Power Amplilier (Correspondence)

A power amplifier in which the outputs of 64 RCA type 2N5016 overlay transistors are combined to provide a total CW output power of 1 kW at 400 MHz is described. A concept is employed wherein several transistors are connected in parallel to first form a power module, and then the outputs of a number of modules are combined in a Wilkinson N-way hybrid power combiner. This combiner has built-in isolation between each of the N input terminals. An identical N-way hybrid is employed as a power divider providing equal distribution of driving signal to each of the power moduIes. An overall power gain of 33 dB is achieved by providing additional transistor stages of preamplification. CW and pulse performance of the amplifier is described. Performance of the amplifier as the driver for a high-power tetrode tube is reported.     

SIT高频大功率谐振逆变器的研究

本文简述了静电感应晶体管大功率感应加热电源的研究成果。着重介绍了ＳＩＴ的参数选择及控制方法。此项成果已成功地应用于全固态高频钢筋生产线上。     

硅微波功率静电感应晶体管(SIT)非线性失真特性分析

本文讨论了介质盖栅SIT的基本特性。在SIT小信号S参数和静态特性的基础上,得到了SIT非线性等效电路模型。采用Volterra级数法,分析了包含三种主要非线性源的SIT微波功放的互调失真和增益压缩特性。指出引起SIT互调失真和增益压缩的主要原因是跨导G_m的非线性,其次是栅源电容C_(gs)的非线性变化和漏电导G_d的非线性变化的作用。还指出了SIT非线性失真与输入功率电平和偏置条件的关系。分析结果得到了实验的证实。     

Low Power High-Speed Neuron MOS Digital-to-Analog Converters with Minimal Silicon Area

Digital-to-analog converts utilizing neuron MOS-transistors were designed. Different DACs were implemented and characterized in order to compare various topologies. Criteria to select structures were low power, fast performance and minimal silicon area. A basic 8-bit version is implemented with only one neuron MOS-transistor and eight capacitors. The silicon area of this D/A converter is only 0.04 mm² and the power consumption is 8.4 mW with conversion speed of 200 MS/s. An enhanced 8 and 10 bit versions utilizing neuron PMOS transistor and some extra circuitry are also proposed and tested. The silicon area of the enhanced 10 bit circuit is only 0.03mm² while the performance is as good as in the case of the basic version. The measured differential nonlinearity is 0.38 LSB and integral nonlinearity is 0.55 LSB for the enhanced 10 bit structure.     

VHF／UHF宽带功率放大器设计

设计了一种30-520MHz功率放大器。采用传输线和集中常数相结合的阻抗匹配方式。实现了功率放大管的宽带匹配;对滤波器电子开关进行了分析并采用ADS进行仿真,插损及隔离度在全频段达到了设计要求;最后给出了测试结果,满足了指标的设计要求。该功率放大器已应用于某宽带通信设备且工作良好。     

UHF宽带大功率放大器模块

报道了自行设计并研制成功的UHF宽带大功率放大器模块,该模块在1.35～1.85 GHz频带内增益高于44 dB,输出功率大于10 W,增益平坦度≤± 0.7 dB.同时对射频功率放大器的稳定性进行了分析与讨论,提出了提高射频功率放大器稳定性的方法,即要设法排除带外不稳定因素以及设计合理的偏置网络,这对射频功率放大器的稳定性有明显的改善.     

硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展

综述了硅直接键合（SDB）技术在绝缘栅双极晶体管（IGBT）、静电感应晶闸管（SITH）及MOS控制可关断晶闸管（MTO）等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管（IGCT）和集成门极双晶体管（IGDT）的设想,并给出了相应的工艺方案。