(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能

通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0～0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。     

(Pb_(0.9)Sm_(0.1))TiO_3陶瓷的热电特性

研究了改性的PbTiO_3陶瓷(Pb_(0.9)Sm_(0.1))TiO_3的详细的物理和铁电性能,然后根据这种材料在IR传感器上的用途对结果进行了讨论。发现Sm改性的PbTiO_3,具有低的介电常数,高的热电系数以及合适的热和机械特性。其居里温度与未改性的PbTiO_3陶瓷相比,从470℃降到156℃。将根据测得的性能计算的品质因数与其它的PbTiO_3组成和LiTaO_3单晶作了比较。结果表明,Sm改性的PbTiO_3陶瓷是用于横向模式和热电/CCD阵列的合适材料。这种材料相对于其极化的内偏压场约为1.2kV/cm,以此可制出长期工作的探测器。     

精确测量功率MOSFET的R_(DS(on))

电阻值的测量通常比较简单.但是,对于非常小阻值的测量,我们必须谨慎对待我们所做的假定.对于特定的几何形状,如电线,Kelvin方法是非常精确的.可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率,但是所使用的公式不同.在这些情况下,必须考虑探针间距和样本厚度.仅仅运用Kelvin法本身无法保证精度.如果布局和连接数发生变化,就很难精确地预测非均匀几何形状的电阻.     

(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-(Ba_(0.85)Ca_(0.15))TiO_3无铅压电陶瓷的结构与性能

采用流延叠层成型工艺制备了(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3-5%(Ba0.85Ca0.15)TiO3(BCZT-5%BCT)无铅压电陶瓷,研究了BCZT-5%BCT陶瓷的微观组织结构对电性能的影响规律,研究表明,BCZT-5%BCT陶瓷的晶粒尺寸对其压电、介电与铁电性能影响显著,在1 500℃下烧结时,BCZT-5%BCT陶瓷的晶粒尺寸随烧结保温时间的增加呈现先增大后减小的趋势,烧结保温时间为8h的样品中晶粒尺寸最大,此时BCZT-5%BCT陶瓷的压电与铁电性能最优,即压电常数(d33)约为218pC/N,剩余极化强度2Pr约为30.48μC/cm2,介电常数(εr)约为1 617,介电损耗(tanδ)约为0.037,居里温度(TC)约为90.6℃。     

(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P光致发光谱的温度依赖关系

研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17～ 2 30K范围内 ,谱线半宽从 2 4meV变到 4 0～ 6 0meV ,强度减小了大约两个数量级。对PL谱积分强度随温度变化的拟合表明 ,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于 90K ,激活能为 4～ 5meV ,温度大于 90K ,激活能为 2 5～ 55meV。认为低温区行为由带边起伏引起的载流子热离化伴随的无辐射跃迁所控制 ,而高温区取决于子晶格的有序度。     

新激光晶体(Ce~(3+),Nd~(3+)):YAG的性质

我们研究的(Ce~(3+),Nd~(3+)):YAG激光晶体主要利用Ce~(3+)-Nd~(3+)的敏化途径以提高激光效率。Ce~(3+)离子在YAG基质中有两个吸收峰:340nm和460nm;荧光发射峰是500～700nm的宽带,峰值波长为550nm,此波长范围包括了Nd~(3+)离子的好几个吸收峰群,其中有580nm附近的Nd~(3+)离子的主要激发峰群。研究表明Ce~(3+)离子到Nd~(3+)离子的能量转移过程有两种方式,一种是辐射吸收转移过程,就是Ce~(3+)离子发出的荧光被Nd~(3+)离子吸收,转移为Nd~(3+)离子的激光发射,详见图1,图中凹陷部分和Nd~(3+)离子的吸收光谱相应,虚线为Ce~(3+)离子的荧光光谱。另一种是无辐射转移过程,我们测量单一Ce~(3+)离子在YAG中的寿命为68ns,在     

复合量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/(Ge_(0.3)Si_(0.7))_m-(Si)_m/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构

采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7／（Ge0.3Si0.7）m-（Si）m／Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。计算结果也表明复合量子阱的电子束缚能级沿界面方向在kx＜0.1（2π/a）范围内基本上不随kx变化。     

SrAl_(12)O_(19)晶体中Nd~(3 )的受激发射

资料[1,2]曾报道过MeO-Al_2O_3(Me为Ca,Sr和Ba)氧化物系统的激光晶体探索研究工作。本文是这一探索研究工作的继续,介绍掺Nd~(3 )的SrAl_(12)O_(19)(SrO·6Al_2O_3)晶体激光器的某些主要振荡光谱特性。SrAl_(12)O_(19)晶体结晶成六角晶系,熔点为1950±30℃。SrAl_(12)O_(19)的透光波段为0.2～5.8微米(晶片厚度≈1毫米时)。这种晶体在(0001)平面具有完美的解理面,其特点是系数N_g=1.702,N_p=1.694。与SrAl_4O_7比较,SrAl_(12)O_(19)晶体的钕分布     

信息技术服务管理(ITSM)的新气象(上)

编者按: 我们是否注意到有这么一个问题,当一间I T企业的系统平台出现问题时,管理者总是说系统不可靠或指责维护人不负责等,惟独没有从管理方面去认识、控制发生这种事故,导致了事件的重复发生、运营效率的降低、顾客满意度下降等诸多负面的影响.为此,本刊编辑部特邀香港理工大学的质量专家曾庆才博士为I T企业撰写了关于此方面的文章……     

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的X射线双晶衍射研究

本文阐述了一种基于X射线动力学衍射理论的计算机模拟方法,该方法可用于分析超晶格材料的X射线双晶摆动曲线,用模拟计算方法得到了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的各种结构参数。     

Ge_xSi_（1－_x）等离子体色散效应及电光调制器

在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。     

生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上的量子阱Si／Ge_xSi_（1－x）的电子能带结构

根据电子能带的畸变势常数计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的量子阱Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ的电子势垒高度，讨论了电子势垒高度随合金组分ｘ的变化情况。并用包络函数方法计算了不同合金组分ｘ时的量子阱的子能带结构。计算结果表明［００１］及［００１］导带底电子量子阱处在Ｓｉ层，而其它四个导带底能谷的电子量子阱处在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金层。两类量子阱的电子势垒高度均随着衬底合金组分ｘ的增加而增加。     

超晶格（Ge_xSi_（1－x）1／（Si）_m（001）的电子能带结构

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在Ｘ＝０．０１～０．１范围内随Ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在ｘ＝０．０１～０．１范围内，ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）形式的超晶格，而获得准直接能隙结构的材料，以提高其光的发射和检测能力。关键词：     

高温对Ge_xSi_(1-x)/Si光波导及材料的影响

用ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ亚稳材料在高温下制作了光波导，它的传输损耗为０．８ｄＢ／ｃｍ，比低温工艺的０．５ｄＢ／ｃｍ稍大。并发现ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ材料的大量失配位错和一些有趣的现象。     

GexSi1—x／Si量子阱和超晶格红外光电压谱

采用电容耦合法,在18～300K 温度范围内测量了一系列 Ge_xSi_(1-x)/Si应变层多量子阱和 Ge/Si 超薄超晶格在不同温度下的红外光电压谱。实验结果表明,在长波段有强的光电压信号。文中还对 Ge_xSi_(1-x)/Si 量子阱和超晶格的能带排列和光伏效应作了讨论。     

Comparison of GexSi1—x Grown by UHV／CVD from Si2H6／GeH4 and SiH4／GeH4

Using double crystal X-rays diffraction (DCXRD) and atomic force microscopy (AFM), the results of Ge x Si 1- x grown by UHV/CVD from Si 2H 6 and SiH 4 are analyzed and compared. Adsorbates can migrate to the energy-favoring position due to the slow growth rate from SiH 4. In this case, a Si buffer that isolates the effect of substrate on epilayer could not be grown, which results in a pit penetrating into epilayer and buffer. The FWHM is 0.055° in DCXRD from SiH 4. The presence of diffraction fringes is an indication of an excellent crystalline quality. The roughness of the surface is improved if grown by Si 2H 6; however, the crystal quality of the Ge x Si 1- x material became worse than that from SiH 4 due to much larger growth rate from Si 2H 6. The content of Ge is obtained from DCXRD, which indicates the growth rate from Si 2H 6 is largest, then GeH 4, and that from SiH 4 is least.     

Ge_xSi_（1－x）／Si红外探测器量子效率的理论计算

通过对ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ红外探测器结构及机理的研究，建立了计算量子效率的模型，并计算了内量子效率与波长的关系，与他人的实验结果符合得很好。     

Dislocation reduction in gaas grown on Si by MOMBE using multiple indium atomic plane structures

This paper investigates the effectiveness of multiple indium atomic planes in reducing the dislocation density in GaAs epitaxial layers grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs-coated Si substrates prepared by metalorganic chemical vapor deposition.In situ reflection high-energy electron diffraction patterns show that, during the growth of multiple indium atomic-plane structures, two-dimensional growth takes place. Cross-sectional transmission electron microscope observation shows that InAs sublayers are commensurate; hence the critical thickness of the InAs layer in this structure is more than one-monolayer. Cathodoluminescence examination indicates that the defect density decreases as the number (<60) of indium atomic planes increases. This new structure is more effective in dislocation reduction than conventional In_0.1Ga_0.9As/GaAs strained-layer superlattices.     

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si