基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计

基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。     

一种新型超宽带CMOS低噪声放大器设计

结合电阻并联反馈，利用PCSNIM流程设计了一个用于超宽带（UWB）系统的宽带LNA电路。电阻并联反馈降低了输入电路的Q值，使窄带LNA带宽增加，而对NF的影响很小。用TSMC0.18CMOS工艺进行仿真，结果表明，LNA在3．1-5．1GHz带宽范围内NF小于2．9dB。输入匹配优于-10．5dB，功率增益为12．9dB，带内波动仅为1dB。在1．8V电源电压下，核心电路功耗为7．5mW。     

一种0.8GHz～6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

给出了一个针对0.8GHz～6GHz 的超宽带低噪声放大器 UWB LNA(ultra-wideband low noiseamplifier)设计。设计采用0.18μm RF CMOS 工艺完成。在0.8GHz～6GHz 的频段内,放大器增益 S21达到了17.6dB～13.6dB。输入、输出均实现良好的阻抗匹配,S11、S22均低于-10dB。噪声系数(NF)为2.7dB～4.6dB。在1.8V 工作电压下放大器的直流功耗约为12mW。     

基于切比雪夫网络修正的噪声优化超宽带LNA设计

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的研究,设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构,结合切比雪夫滤波器,实现超宽带输入匹配,并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构具有工作带宽大、输入匹配简单并且噪声性能优异的优点。仿真结果表明:在3~10 GHz频段内,S11和S22均小于-10 d B,S21为15 d B~10 d B,噪声系数NF为1.5 d B~2.3 d B,在1.8 V供电电压下电路功耗为14.5 m W。     

3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,...     

3～5GHz超宽带可变增益CMOS低噪声放大器的设计

基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz～5 GHz的增益连续可调CMOS低噪声放大器。采用RC电阻负反馈式结构以获得良好的输入匹配和噪声性能。通过改变第二级MOS管的偏流,在工作频段内获得了36.5 dB的连续增益可调。     

基于噪声抵消和线性度提高的差分LNA的设计

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度和增益。仿真结果表明,在2.45GHz的工作频率下,该电路的噪声系数仅有1.3 dB,该电路能够提供17.8 dB的正向增益,良好的输入输出匹配,该放大器的输入三阶交调点为-0.9 dBm,功耗小于10 mW。     

一种噪声优化的900MHz低噪声放大器设计

设计了一种900MHz的低噪声放大器,采用新的优化方法,同时获得了功率匹配和噪声匹配,在工作电流3．4mA时,得到了0．2dB的噪声系数,20dB的增益以及良好的隔离度和线性度。     

低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化

分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。     

基于GaAs工艺超宽带低噪声放大器设计

为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大器.选用5级分布式拓扑,每级使用共源共栅结构并添加去耦电容,提高放大器增益,改善增益平坦度,拓展放大器工作带宽.仿真结果表明:所设计的放大器在0.9～30 GHz内,增益为15±1 ...     

采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益。设计采用UMC 0.18μm工艺,后仿真显示:在1.8 V供电电压下,LNA的直流功耗约为9.45 mW,电路的最大增益约为23 dB,3 dB频带范围为0.1 GHz¹.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB1.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB⁵ dB;在1 V供电电压下,电路依然能够保持较高的性能。     

电磁带隙的超宽带阻带天线设计

设计了一种电磁带隙(EBG)结构.根据实际应用要求,在一种超宽带微带天线上加载电磁带隙单元,设计出一种阻带天线.对天线的多个参数进行讨论并优化设计,根据仿真实验制作出天线实物.实验结果说明:天线在3.11～5.97 GHz的频带范围内,电压驻波比(VSWR)值大于2;在5.46 GHz处达到了9.23的峰值,阻带范围覆盖WiMAX (3.4～3.7 GHz),C-band (3.7～4.2 GHz),WLAN(5.15 ～5.35 GHz/5.725～5.825 GHz)这三个频段,且天线增益在阻带内明显降低.     

A miniature low‐power ultra‐wideband low noise amplifier in 0.18 μm CMOS

A 0.18‐μm CMOS low‐noise amplifier (LNA) operating over the entire ultra‐wideband (UWB) frequency range of 3.1–10.6 GHz, has been designed, fabricated, and tested. The UWB LNA achieves the measured power gain of 7.5 ± 2.5 dB, minimum input matching of ?8 dB, noise figure from 3.9 to 6.3 dB, and IIP3 from ?8 to ?1.9 dBm, while consuming only 9 mW over 3–10 GHz. It occupies only 0.55 × 0.4 mm² without RF and DC pads. The design uses only two on‐chip inductors, one of which is such small that could be replaced by a bonding wire. The gain, noise figure, and matching of the amplifier are also analyzed. © 2011 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE , 2011.     

基于JFET的低噪声感应式磁传感器设计

在航空瞬变电磁（TEM）大深度测量时,由于飞行过程中共模噪声和天电噪声的引入,致使传统感应式磁传感器（IMS）探测灵敏度降低,无法满足地质探测深度的需要。为了增加IMS探测微弱磁场信号的能力,通过理论分析IMS的物理结构和前置放大电路的机理,研究了噪声引入的主要来源,建立了基于结型场效应晶体管（JFET）的IMS等效模型,设计了一种低噪声IMS。通过在屏蔽室内对所研制的IMS性能进行测试,结果表明：其输入噪声为2nV/Hz1/2@10 kHz,3 dB响应带宽达到42 kHz,较3D—3磁传感器信噪比提高了10.04dB,为其在实际项目应用提供了可靠的性能保障。     

Hybrid Ku‐band low‐noise amplifier for mobile DBS active phased‐array antennas

In this article we present a two‐stage Ku‐band low‐noise amplifier (LNA) using discrete pHEMT transistors on non‐PTFE substrates for low‐cost direct broadcast satellite (DBS) phased‐array systems (patent pending). The vertical input configuration of the LNA lends itself to direct integration with input port of antenna modules of the phased array, which minimizes preamplification losses. DC decoupling between LNA stages is realized using interdigital microstrip capacitors such that the implementation reduces the number of discrete microwave components and thereby not only reduces the component and assembly costs but also decreases the standard deviation of such crucial parameters of phased‐array systems as the end‐to‐end phase shift of the amplifier and the amplifier gain. Using the proposed printed decoupling capacitors, a cost reduction better than 30% of the original costs has been achieved. Additionally, we present a hybrid design procedure for the complete LNA, including its input and output connectors as well as packaging effects. This method is not based on parameter extraction, but encompasses electromagnetic (EM) field simulator results which are further combined using a high‐level circuit simulator. According to the presented measurement results, the implemented Ku‐band LNA has a noise figure better than 0.9 dB and a gain higher than 20 dB with a gain flatness of 0.3 dB over a 5% bandwidth. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2006.     

5.2GHz CMOS功率放大器设计

采用TSMC0.18μmCMOS工艺设计了一个5.2GHzWLAN(无线局域网)的功率放大器,该放大器采用两级差分结构。为了提高其线性度和功率附加效率,在每个差分放大级共源共栅电路之间引入电感,以及在每一级共源共栅放大器内部引入了多个MOS管的串并联。在ADS2009软件平台下对该功率放大器进行仿真,并应用Cadence软件进行功率放大器电路的版图设计。仿真结果表明,在1.8V工作电压下,1dB压缩点输出功率为19.6dBm,增益为28.2dB,功率附加效率为18.1%,符合无线局域网802.11a标准系统的要求。     

UWB超宽带无线通信技术研究

UWB以其高速率、高频谱利用率、低成本、低功耗和应用范围广等一系列优点受到业界前所未有的关注.介绍了超宽带无线通信技术的基本概念、信道模型、收发机基本结构以及和其它短距离无线通信技术性能的比较,分析对比UWB的两大技术标准:多频带正交频分复用(MB-OFDM)扣直接序列码分多址(DS-CDMA),并对其当前应用和未来发展进行相关论述.     

低功耗CMOS低噪声放大器的设计

针对低功耗电路设计要求,基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电流复用两级共源低噪声放大器。仿真结果表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为26.26 d B,输入回波损耗S11为-27.14 d B,输出回波损耗S22为-16.54 d B,反向隔离度为-40.91 d B,噪声系数为1.52 d B,在1.5 V的供电电压下,电路的静态功耗为8.6 m W,并且工作稳定。