KTP晶体的水热法生长与形貌研究

以K2HPO4、KH2PO4、H2O2的混合水溶液为矿化剂,以熔盐法生长的KTP为培养料,采用水热法,生长出了尺寸为24mm×14mm×60mm(a×b×c)磷酸钛氧钾(KTP)晶体.分析了水热条件下KTP晶体的形貌和结晶习性,并对(100)面上出现高指数面的原因进行了研究.     

水热法制备In_2O_3晶体及其形貌研究

以In(NO_3)_3·5H_2O原料,通过水热法一步制备了In_2O_3晶体。通过XRD、SEM等手段对所制备样品的物相、粒度和形貌进行了表征。研究结果表明,通过此方法所制备的样品为高纯相的In_2O_3晶体,并具有由纳米粒子堆积组装成的类球型形貌,粒径为200nm左右,大小均匀。在此基础上,研究了In(NO_3)_3·5H_2O用量对所制备样品形貌的影响。结果表明,增加In(NO_3)_3·5H_2O用量会使粒子堆积更加致密。此外,通过研究结果对In2O3类球体的形成机理进行了初步探讨。     

BaAlBO3F2晶体的生长与形貌

以NaF为助熔剂,BaAlBO3F2和NaF摩尔比为11.5,采用熔盐籽晶生长方法,沿[001]方向生长出尺寸为18 mm×18 mm×12 mm的BaAlBO3F2(BABF)晶体.晶体生长参数降温速率为2～4℃/d,晶体旋转速率为15 r/min.研究了BABF晶体的生长形貌,BABF晶体生长过程中,呈现出(001)和(100)晶面.测试了BABF的粉末倍频效应,其倍频系数约为KDP晶体倍频系数的0.8倍.室温下测试了BABF晶体的显微硬度,其(001)面与(100)面显微硬度分别为10.99 GPa和8.137 GPa.     

水热法改性工业级Mg(OH)2晶体形貌研究

以工业级Mg（OH）2为原料,应用水热技术对Mg（OH）2晶体形貌和颗粒尺寸进行改性。考察了水、乙醇和尿素3种水热溶剂对Mg（OH）2晶体的影响。通过扫描电镜（SEM）表征可知,3种水热溶剂在一定程度上都可以改善工业级薄片状Mg（OH）2晶体的形貌和团聚状态。尤其是尿素对Mg（OH）2改性效果最为明显,在250℃下改性可以得到尺寸在10μm．形貌非常规整的立方体晶体。     

水热法生长Mg（OH）_2晶体研究

以MgCl2.6H2O、NH3.H2O为原料,水作为水热介质,乙二醇作为表面活性剂,研究了在不同温度条件及表面活性剂用量对水热法生长Mg（OH）2晶体的影响。利用X-射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对所制得氢氧化镁颗粒的晶相和形貌进行了表征。实验结果表明,增加乙二醇的用量,有助于获得结晶性和分散性较好的Mg（OH）2晶体。同时,随着生长温度的升高,Mg（OH）2晶体形貌从球状外形的片状晶体向分散的小晶粒过渡。     

KTiOAsO_4晶体的水热法生长

文章报道了水热法生长KTiOAsO4晶体的结果,结果表明,以KH2AsO4和TiO2为培养原料,2mol/L KF为矿化剂,生长出了尺寸可达19×20×12mm3（a×b×c）的KTA晶体,晶体沿（011）方向的生长速度为0.10mm/d,晶体的透过率测试结果表明：晶体在450nm~2500nm波段内透过率60%以上。     

Nb:KTP晶体的水热法生长研究

文章研究了水热法Nb:KTP晶体的生长习性以及矿化剂体系、籽晶片的取向、矿化剂溶液的填充度对水热法生长Nb:KTP晶体的影响。在上述研究的基础上,采用水热法生长出了尺寸达28.2×24.2×9.8mm3无色透明的Nb:KTP晶体。     

氧化锌晶体的水热法生长及其性能研究

报道了采用水热法生长大尺寸氧化锌单晶体的研究结果.以块状氧化锌陶瓷为培养料,以KOH、LiOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂,在温度为350℃～400℃、压力为120MPa的条件下,生长出了尺寸为31.5mm×23.5mm×6.5mm的ZnO晶体.测量了晶体的杂质含量、光吸收率和双晶摇摆曲线.     

CH_3NH_3PbBr_3单晶的生长、结构与形貌

采用溶液法合成甲胺溴铅(CH_3NH_3Pb Br_3)多晶原料,用溶液蒸发法生长了尺寸约为7 mm′7 mm′3 mm的CH_3NH_3PbBr_3晶体。测量了晶体的XRD谱,采用X射线外推法研究了晶体结构。结果表明:生长的CH_3NH_3Pb Br_3单晶为立方晶系结构,晶格参数a=0.592 76(7)nm。将微型溶液晶体生长装置与荧光共聚焦显微镜相结合,实时观测了不同生长条件下CH_3NH_3PbBr_3晶体的微观形貌和不同晶面的生长速率。得到(011)、(101)和(001)晶面的平均水平生长速率分别为0.017 57(6)、0.021 44(4)和0.018 65(7)nm/s;发达晶面簇为{110}和{100}。     

管状微纳米Ag2S晶体的水热法制备方法研究

在低温水热条件下,以不同硫源和银片为反应物,制备出了微纳米级Ag2S晶体,其中以硫粉为硫源、乙醇为溶剂时制备出了少见的拥有中空管状形貌的Ag2S微纳米材料,并用X射线粉末衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）分别对产物Ag2S晶体的结构和形貌进行了表征和分析。     

水热法合成微纳米氧化铜的结构及形貌研究

笔者通过水热法制备微纳米氧化铜,采用XRD、SEM、TEM进行表征。研究结果表明:所制备的氧化铜纯度较高,不同途径制备出的氧化铜产物具有不相同的形貌。笔者对各种形貌氧化铜微粒产生机理进行了研究,并提出了可能的反应机理和晶体生长机理。以CuSO_4·5H_2O、尿素为主要原料,另加PVP、H2O2辅助反应,通过温和的水热法合成了棱柱状的Cu_2(OH)_2CO_3,通过煅烧制得棱柱状CuO。以Cu(Ac)_2·H2O、水为主要原料、SDBS作为表面活性剂,通过水热法制备出了棒状氧化铜纳米结构。以Cu(NO_3)_2·3H_2O为主要原料、PVP作为表面活性剂,通过溶剂热法制备了花状氧化铜微纳米结构。以Cu(NO_3)_2·3H_2O、水为主要原料、SDBS作为表面活性剂,通过水热法制备了自组装的氧化铜球形结构。     

水热法制备不同形貌的α-Fe_2O_3细粉

以铁盐为原料，改变溶液组成或加入晶体生长调节剂，在100～200℃水热条件下，制备出五种不同形貌的α－Fe2O3细微粒子．通过密闭静态和动态两种水解过程，考察了不同原料、反应物浓度和搅拌对α－Fe2O3粒子形貌和大小的影响.     

钽酸锂(LiTaO_3)单晶生长形态的研究

本文详细观测了沿Z、Y、X、R、MC等五个不同晶轴方向提拉生长的LiTaO_3单晶的生长形态。特别注意到出现在晶体表面呈浮雕状的形貌(生长脊和晶面显露)。研究了这些形貌的空间分布规律性以及和扩肩角θ的关系。从晶体对称性和简单指数晶面族按面网密度小先尖灭的原理出发,结合提拉法晶体生长过程的分析,说明了生长形态的形成机制,指出R晶面族在生长丘发育成生长脊或晶面显露中的决定作用,提出原胞模型来唯象说明各种取向的LiTaO_3单晶的生长形态,那些出现生长脊或晶面显露的特征性方位是原胞顶点没提拉轴方向投影到垂直提拉轴平面上的方位。所得结果与实验观测结果相符。     

高温高压合成大单晶金刚石晶体形态特征研究

合成金刚石的晶体形态特征研究是指对影响合成金刚石的晶体外部形态,如六面体、八面体等的影响因素的研究。由于不同形态的金刚石晶体具有不同的性质,因而应用于不同领域~([1]),而不同的晶体形态特征也会影响合成金刚石的品质从而影响其宝石属性,因此如果能够通过技术手段对金刚石进行限形生长,将提高金刚石的利用率。文章研究了前人对于高温高压法合成金刚石的过程,发现影响金刚石晶体形态的因素有很多,例如合成钻石的温度、压力、种晶的大小、触媒的种类,等等。这些因素对于金刚石的晶体形态都有重要的影响;总结了近些年来发表的论文当中能够影响高温高压合成金刚石晶体形态的论述,从多角度阐述了高温高压法合成金刚石的形态特征及其影响因素。     

沉积条件对SiO2光子晶体表面形貌的影响

自组装制备是一种常用的三维光子晶体制备方法,在制备光子晶体过程中影响薄膜质量的因素较多.本研究对原始的双基片垂直沉积法进行了一定的改进,控制光照强弱、蒸发速度快慢等条件,沉积了不同的SiO2光子晶体薄膜样品.通过与单基片垂直沉积法得到的薄膜样品进行比较,得到了双基片垂直沉积法沉积光子晶体薄膜样品的最优实验条件.     

水热法制备Fe2O3微纳米材料及其磁性研究

以FeCl3为铁源,以PVP为表面活性剂,采用水热法,制备了氧化铁纳米材料.采用XRD、SEM、TEM和SQUID-VSM对样品进行了表征.结果随着反应时间的延长,产物的尺寸先是增大,随后由于发生了刻蚀而尺寸减小、其磁学性能也发生了相应的变化.说明反应时间对产物的形貌、尺寸和磁性影响较大.     

焰熔法宝石的表面微形貌研究

使用DX-3A型扫描电子显微镜和LMA10型激光探针观察分析了焰熔法宝石梨晶表面的“磨砂”、“圆斑”和顶部生长界面上的“丝纹”。实验结果揭示了这些微形貌的实质。联系晶体生长的实际过程,阐明了它们的形成机制及其与晶体质量之间的关系。     

水热法生长钼酸锌晶体及谱学特征研究

采用水热法生长的浅黄色ZnMoO_4单晶体,通过X射线粉晶衍射分析,获得该单晶体的结晶物相。通过测试红外光谱和拉曼光谱,对该单晶体的谱学特征进行了系统表征。研究了晶体化学键的振动特性,进一步确定了ZnMoO_4晶体的晶胞结构,证实了水热法生长ZnMoO_4单晶体为具有黑钨矿型结构的β-ZnMoO_4。     

水热法生长ZnO:Ga晶体过程及性能研究

采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了ZnO:Ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因。在D工艺条件下(4MKOH+0.25M LiOH+1.25mlH_2O_2,360-340℃)获得了生长速度适宜、高质量的ZnO:Ga单晶,晶体最大尺寸达到32.36mm×27.46mm×5.52mm。Ga:ZnO晶体的生长习性为形成一个单锥六棱具有显露p锥面即(101-1)和负极面(0001-)的柱体,而柱显露m面(101-0)发生退化。测试ZnO:Ga晶体的双晶摇摆曲线显示晶体具有优良的结晶质量,其中+c[002]晶面的FWHM为11arc sec,而-c晶面的结晶质量略低于+c方向,FWHM为17arc sec。较之纯ZnO晶体,Ga:ZnO晶体在750nm处透过率曲线开始下降,其在大于750nm波长的可见及红外光区的特异吸收性能将具有广泛的应用前景。     

92%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3晶体的生长缺陷和形貌

应用环境扫描电子显微术（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术研究了92％Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3晶体的表面形貌和缺陷，为生长高质量的该单晶材料提供重要的参考。从晶体自然显露面（111）面的ESEM缺陷形貌像中，观察并研究了诸如生长丘，位错蚀坑，小角晶界，包裹物，空洞或裂缝等生长缺陷，并分析了导致这些缺陷出现的原因是生长过程中的温度波动，过快的降温速度等因素。从该晶体的同步辐射X射线白光形貌像中也观察到了包裹物或空洞等缺陷。由该晶体表面出现的直形台阶，多层板块状台阶结构及其精细结构的ESEM形貌像可知，在PZN－8％PT晶体的高温溶液法生长中，起主导作用的生长机制为二维成核层状生长机制。