氧化锌单晶体制备技术的研究进展

ZnO是新型的宽禁带半导体材料,其激子束缚能较大,透明度高,在液晶显示器、隔热玻璃、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用.目前,虽然生长ZnO体单晶的方法已有多种,如水热法、助熔剂法、气相法、熔体法等,但大尺寸体单晶的制备仍然十分困难,而且质量也有待提高.本文综述了已有生长技术的优缺点,并提出了未来的研究方向.     

氧化锌/碳量子点复合光催化剂的制备及性能研究

印染工业排放的废水通常含有较多的有机污染物,其毒性较强,危害水质环境,是目前水体净化工程遇到的问题之一。ZnO是一种重要的半导体材料,由于具有禁带宽度大,只能吸收紫外光,太阳能利用率低,限制了其进一步应用。本文分析了ZnO微纳米材料用作光催化剂存在的缺陷和不足,综述了氧化锌/碳量子点复合光催化剂的合成和应用。     

体块氧化锌单晶生长的研究进展

氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管.综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZaO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理.介绍了体块ZaO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响.     

ZnO薄膜的制备及应用研究进展

ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力。本文主要介绍制备ZnO薄膜的技术和方法,并简要的介绍了ZnO薄膜的应用进展。     

第三代半导体氮化镓材料单晶制备技术及应用前景

随着科技的发展,半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点,广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的制备方法的原理及优缺点(如VLS法、HVPE法、氨热法等)、简述了在光电、射频、电子电力领域中的应用,并展望了未来的发展前景。     

在金刚石薄膜上生长微米／纳米结构氧化锌

金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料,n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点.该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌(ZnO)微米/纳米结构.生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时,ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和棱边处,随着沉积时间的增加或反应气氛中气态ZnO浓度的增加,会有大量微米/纳米结构的ZnO生成,并覆盖整个金刚石薄膜表面.对ZnO在金刚石薄膜表面生长机制及反应气氛对金刚石的钝化作用进行了分析.     

ZnO及掺杂ZnO薄膜的研究进展

ZnO薄膜是一种Ⅱ~Ⅵ族的宽禁带半导体材料,具有优异的物理化学性能。通过对薄膜的掺杂,可以改善其性能或赋予其新的性能,使其应用更加广泛。作者综述了ZnO薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的优缺点,重点探讨了ZnO及其掺杂薄膜在压电、光电、气敏及磁性能方面的研究,并对今后的研究方向进行了展望。     

金属掺杂ZnO传感器的研究进展

ZnO作为一种有代表性的金属氧化物半导体材料,由于其宽禁带、来源广泛和优异的n型输运特性,在易燃、易爆、有毒气体的检测中显示出潜在的应用前景.掺杂是增强ZnO材料传感性能的有效方法,重点介绍了不同类型金属掺杂对ZnO材料的形貌、带隙和传感性能的影响,进一步展望了其未来的发展前景.     

纳米氧化锌的应用研究进展

氧化锌是一种量子效率高、激子结合能大、物理和化学稳定性较好且廉价无毒的宽禁带半导体材料。作为一种新型功能材料,氧化锌具有优异的性能,广泛应用于污水处理、传感器光响应、电池研究、光催化抗菌的应用等领域。文章对目前存在的问题和未来氧化锌在更多领域的发展做出了展望。     

GaN材料的应用及研究进展

论述了近年来国内外GaN材料的最新研究热点和应用情况,着重介绍了GaN低维度纳米材料、外延薄膜材料以及体单晶的常规制备技术;讨论了未来氮化镓材料的研究方向;从不同GaN材料的制备技术路线、合成原理及结晶特性,评估了各种方法的优缺点和进行产业化推广应用的可行性.     

第三代半导体材料氮化镓(GaN)研究进展

第三代半导体材料氮化镓(GaN)因其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、击穿电压高、介电常数小、导电性能好等优点,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料研究的热点。本文详细阐述了第三代半导体材料氮化镓(GaN)的制备方法、研究现状及产业化进展,指出了需进一步努力的方向和解决的方案,并对其未来的发展趋势和应用前景提出了展望。     

液相法合成ZnO纳米材料的研究进展

氧化锌纳米材料是一种面向21世纪的新型精细无机材料.目前,有关ZnO纳米材料的研究已经成为半导体材料研究领域的热点之一.ZnO纳米材料在光学、光电、催化、压电等方面均具有广泛的应用前景.本文对ZnO纳米材料的制备、特性及应用等方面作了概述.     

金刚石基氮化镓(GaN)技术的未来展望

正近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。随着外延材料晶体质量的不断提高和器件工艺的不断改进,基于GaN基材料研制的微波、毫米波器件和电路,工作频率越来越高,输出功率越来越大。     

纳米氧化锌光催化剂的制备及应用

综述了纳米金属氧化锌材料半导体光催化剂的化学结构和应用性能的一些相关技术研究进展,包括影响纳米氧化锌半导体材料光催化化学结构和应用性能的一系列重要因素,如氧化锌的形貌、尺寸大小、离子掺杂、半导体复合等以及纳米氧化锌与纳米氧化锌和氧化锌复合材料的制备与应用。氧化锌作为一种宽禁频射带的新型半导体材料,具有良好的电学、光学和电子催化性能,是一种具有广阔发展空间的新型光催化材料。     

氧化锌n型导电机理研究进展

氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用.制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确.本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响.     

溶液法制备p型ZnO的研究进展

氧化锌（ZnO）是Ⅱ–Ⅵ族直接宽禁带半导体材料,有望在光电显示、光电存储、光电转化和紫外光电探测等领域得到广泛应用。然而,如何制备稳定的p型ZnO是其应用和发展的瓶颈。目前,在众多制备p型ZnO的方法中,尽管溶液法制备p型ZnO的报道不多,但溶液法是一种成本廉价、操作简易、环境友好的制备p型ZnO的方法。综述了目前通过非掺杂、Ⅰ族元素掺杂、Ⅴ族元素掺杂、给体–受体共掺杂的溶液方法制备p型ZnO及其光电器件的研究进展,分析了现阶段溶液法制备p型ZnO的优点和不足之处。     

超声雾化辅助微波法合成氧化锌纳米颗粒及其光催化性能

氧化锌(ZnO)具有宽带隙、高光催化效率和稳定的化学性质,已成为处理水体中有机污染物的常用材料.采用超声雾化辅助微波法成功合成了ZnO纳米颗粒,XRD图谱和TEM照片表明超声雾化抑制了ZnO结晶,其结构为无序状,得到的ZnO纳米颗粒为非晶态.非晶态ZnO纳米颗粒紫外最强吸收峰为300nm,紫外吸收边发生红移,禁带宽度降...     

氮化镓的合成制备及前景分析

氮化镓作为第三代半导体的代表,具有优越的电学性能。氮化镓的合成制备,对全球半导体产业的发展具有重要意义,目前已经成为世界的研究热点。本文对氮化镓薄膜以及纳米氮化镓的合成制备方法进行了综述,并对各种合成方法的优缺点以及氮化镓的应用前景作了简要分析。     

掺杂ZnO微纳米材料的制备及应用研究

光催化技术能广泛用于水污染治理,在缓解能源短缺和环境污染方面具有重要研究价值。ZnO作为一种常用的光催化剂,由于禁带宽度大、太阳能利用率低、光生电子空穴对易复合等不足,限制了其广泛应用。本文综述了ZnO的性质及应用,针对ZnO的不足,重点介绍了离子掺杂对ZnO光催化降解有机污染物的影响,最后展望了制备ZnO复合物的发展前景。     

纳米氧化锌的制备及光催化性能研究进展

纳米氧化锌作为一种具有优良光催化性能的半导体材料,其制备方法及光催化性能研究受到广泛关注。对近几年来纳米氧化锌的合成工艺、光催化降解有机污染物方面的应用研究做一综述,并展望其未来发展。