智能型MOS开关电源功率集成电路

智能化功率集成电路是当令国际上正在迅速发展的一个微电子技术和电力电子技术相结合的重要技术领域,由于微电子技术和功率MOS器件的迅速发展为智能型功率集成电路提供了可能性.集成电路的电隔离技术允许在同一芯片上集成功率DMOS和低压控制的双极型     

智能功率和高压集成电路及相关MOS技术

本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开发的两大电路系列:(1)智能功率技术,它包括与控制电路和保护电路集成在一起的单个或多个纵向(共漏)功率开关;(2)高压集成电路,其功率器件是横向的,电流能力较低,其控制电路(CMOS或双极)具有较高的集成密度。提出了设计智能功率开关的一些主要功能问题。对于主要的晶体管单元结构,特别是限热电路和稳偏网络,作了详细介绍。可以看出,在电气波动和与工艺有关的参数变化方面及非稳定因素方面,所涉及的模拟电路都可做到非常稳定。     

智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

采用TOP功率集成电路的开关电源设计

介绍采用ＴＯＰ集成电路设计低功率开关电源的方法和步骤。设计一台输入电压ＡＣ２３０Ｖ，允许变化±１５％，输出１２Ｖ，输出功率为１５Ｗ的开关电源。使用具有７００Ｖ击穿电压的ＴＯＰ２ＸＸ三端开关集成电路，交流输入电压范围为１９５￣２６５Ｖ，整流滤波后的空载电压为２７５￣３７５Ｖ。     

1200 V功率MOS栅驱动集成电路的设计

文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱劝集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V，最大输出峰值电流为1A，最高工作频率100kHz，温度范围-55～125℃，可同时驱劝系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件，是SPIC的一种典型电路。     

一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路

介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺，该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS／LDMOS工艺，芯片面积约50mm^2。基于一种简单的二维模型，认为，在功率集成中，纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点，因此并不特别适合智能功率集成。     

日立公司开关电源新技术一览

当今时代,个性化的手提设备如手机,手提电脑,PDA,MP3,数码相机等,都对电源器件提出了稳定可靠,效率高,重量轻,体积小等高标准要求。世界上各大公司都在开发电源器件的新技术新工艺。日立公司新近开发出的功率MOS场效应管具有超低的导通电阻,低栅电荷和低栅-漏电荷,控制集成电路有标准的并联调整器,PWM,PFC PWM和冗余备份用的IC。普遍适用于新式电源系统,如通信系统和高档服务器,VRM和无线基站等。近日中国电子元器件信息交易网(简称中电网,WWW.ChinaECNet.com)与日立公司合作,成功地举办了该公司在中电网上的第二次在线座谈。座谈的主题是“日立开关电源用功率MOS场效应晶体管和控制集成电路”。下面我们把这次和日立公司专家交流的技术问题和解答进行了翻译,摘录和整理,以供参考。     

MOS型功率器件

本文综述了现代MOS型功率器件的原理、发展及应用趋势。在此类器件所用的终端技术上,提出了一个优值作标准。此外,还介绍了频率与功率的极限关系,并指出了器件的发展方向。     

功率开关电源电路介绍

本文着重介绍了功率开关电源电路的工作原理和工作方式，以使读者对此类电路有一个比较深入的了解。     

一种新型p阱NMOS功率集成电路制作技术

提出一种新型的ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术，理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳ ＦＥＴ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成，实验结果表明，利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。     

高压浮置MOS栅驱动集成电路

引言 如图1所示,将功率MOSFET或者IGBT用于全增强型的高压侧开关,其栅的驱动要求,即各端子的最低电压可归纳如下: 1、栅压应比漏电压高出10～15V。高压侧开关管的栅电位通常比系统中的最高电位──固定电平要高。 2、栅电位一般是对地而言的,必须逻辑可控。因此,控制信号应抬高到高压侧功率器件的源电位,在大多数应用中,此源电位在两固定电平间摆动。 3、栅驱动电路所消耗的功率对整体效率不能有明显的影响。 由于以上的限制,目前已采用好几种工艺可用来完成功能,原理见表Ⅰ,每一种基本电路均可用多种结构来实现。 国际整流器公司的IR2110栅驱动器集成了驱动高压侧与低压侧功率MOSFET或IGBT所需的大部分功能,兼有小体积与高性能的封装。附加少许元件。IR2110便能提供很高的开关速度(见表Ⅱ)以及低耗     

智能功率集成电路的发展动向

本文概述智能功率集成电路的分类和应用以及涉及到SPIC发展动向中的隔离技术等,并介绍了SPIC中的过流,过热和栅充电泵驱动电路等基本关键技术.     

铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究

介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMOS/LDMOS工艺制作。     

智能开关电源集成电路TO PSw itch 的分析

近年来,由于便携设备的增多,对供电单元电路小型化的要求越来越迫切,各国政府对电源系统环保,节能的要求也更加严格,这些都要求有效率更高,集成度更高的开关电源加以配合,本文反向剖析了美国Power Integration公司的TOPSwitch系列智能开关电泊集成电路芯片,在系统地分析及全面的计算机仿真的基础之上,给出该电路的工作原理,设计方法及其应用,该集成电路除了一般的PWM控制功能外,还集成了自动重启功能,过渡,过热保护功能,大功能MOSFET等,具有效率高AC／DC转换效率可高达90％,外围元件少等特点,具有多项专利,是目前国际上最先进的智能开关电源产品之一,该电路的芯片生产工艺,更是集高压（700V）大功率（数十瓦）,数模混合,双极／CMOS兼容等最先进的半导体技术于一体,世界上目前只有少数几家公司具有生产该类电路的能力。     

宽电压小功率微功耗集成开关电源

随着城市家庭的日益现代化，家中使用的交流适配器的数量也越来越多，这些交流适配器只要一插入电源插座在无负载的情况下也要消耗数瓦的功率。另外．家中电视机、空调等遥控家用电器都带有待机用的电源，在不使用时待机电源也要消耗电能。虽然每个适配器和待机电源所消耗的功率并不多，但积少成多．当数量一多或者换算成一年的电能损耗就不再是一个小数字了。