压电换能型传感器电学响应特性研究

压电元件用作换能型传感器,是一个机电二端网络,压电方程描述了机电转换的关系,而实际应用端口条件将确定传感器的最终输出。文章分析了在理想开路和实际应用条件下的电学响应特性,推导了压电敏感元件在实际应用条件下的传感响应微分方程,给出了传感输出的瞬态响应表达式。     

新型压电单晶与电声换能技术的发展

弛豫铁电单晶PMNT具有优异的压电性能，它可以替代传统的压电陶瓷，在声呐探测，超声成像，高应变驱动器等方面得到广泛的应用。我们已经成功地生长地了尺寸为φ40&;#215;80mm的PMNT单晶，其主要性能为，压电系数d33&;gt;3000pC/N，介电常数ε-5000，损耗tanδ&;lt;0．9％，纵向长度伸缩机电耦合k33-94%，厚度伸缩机电耦合kt-62%，我们成功地制备出了在电声成像系统中的PMNT单晶压电换能器，使探测器的电声信号幅度有显著提高，充分显示了新型压电单晶在电声换能技术中具有巨大的应用前景。     

褶皱型复合式压电换能结构的建模及分析

主要针对现有的Rainbow型和折叠型压电换能结构的不足,提出一种新型的具有较大变形能力,坚固的压电换能结构,即褶皱型复合式压电换能结构。主要对3种结构进行对比及对褶皱型复合式压电换能结构进行理论建模,并在理论上对褶皱型压电换能结构的参数对电势的影响进行分析。利用ANSYS有限元分析软件进行仿真分析,在相同条件下对比3种结构的变形,以及验证理论分析结果的正确性。     

大功率超声波压电换能材料的研究

介绍了大功率超声波压电换能材料在工业及国防上的主要应用。通过对传统压电陶瓷工艺在某些工序的改进,如二次细磨的湿式化及通过四元系压电陶瓷配方的优化发现可制备出高居里温度(TC=330℃)大功率超声压电陶瓷换能器材料,测得其压电常数(d33)可达350,机械品质因数1 200,机电耦合系数(kp)为0.6,同时具有良好的一致性、机械强度和抗冲击能力。     

耗尽型MOSFET激励电源上电

许多开关型电源用“按键上电”电路使其脱机运转初始化。这些电路简单的由电阻（如International Rectlfler公司的IRIS4015）实现,复杂的由双极晶体管或MOSFET实现（参考文献1）。这些晶体管为反激变换器或PFC（功率因数校正）IC提供初始电流。当这些电源用正常模式开始工作时,专用线圈的电压持续给PFC芯片供电,从而减小了激励上电电路的功耗。     

声表面波用压电陶瓷

用10.7MHz PZT压电陶瓷FM调谐器 制作SAW滤波器,可以改善滤波器的群延时特性。自开发以实现立体声低失真率化以来,已历时15年。其后,作为代替通常的LC滤波器正向无需调整、小型化的电视用VIF滤波器发展。 最初就积极地进行该领域的研究和开发,并已经发行几册单行本。所以,本文将不涉及这些重要记述,回顾SAW用压电陶瓷开发历程,展望在电子陶瓷领域中的位置。     

用压电塑料换能元件制作抗噪声送话器

现在已经研制出用压电塑料换能元件作成抗噪声送话器。该送话器采用双压电片结构连同阻抗匹配的前置放大器和适当的声学设计提供了适当的、稳定的低阻抗输出和满意的频响。送话器对电磁场的影响不灵敏。     

一种压电半导体纳米线的热电耦合性能研究

采用有限元分析方法,研究了一种n型压电半导体纳米线(氧化锌)的电热耦合性能,分析了外部温度对氧化锌纳米线内部机械场、电场及电流场分布的影响,并讨论了本构方程线性化对电学参数的影响。研究结果表明,温度对氧化锌纳米线的电场、载流子浓度和电流密度影响很大,采用线性本构和非线性本构求得的电场、电子浓度和电流密度最大相差分别为24%,32%和68%,基于非线性本构分析压电半导体的电学性能会引起很大误差。该研究结果可为压电半导体器件利用温度调控电场、电流提供理论依据。     

高频声表面波器件用压电晶圆清洗技术研究

论述了低浓度碱性过氧化氢清洗液兆声清洗钽酸锂、铌酸锂和水晶等压电晶圆的工艺技术。在保持压电晶圆特性的前提下,该技术可有效去除晶圆表面小于0.2 μm的附着颗粒,使其表面洁净度满足亚微米线宽高频声表面波（SAW）器件生产要求,同时降低了化学品、去离子水的消耗量及对环境的污染。     

高速耗尽型MOS

耗尽型 MOS 器件出现较早,但是只是现在才可能实现高速工作。日本日立公司采用了热扩散控制的方法,使耗尽型 MOS 移位寄存器最高能工作在30兆赫。电路中的驱动晶体管采用扩散自对准工艺控制其沟道长度,因此沟道长度仅与两次扩散的深度有关,而与掩模对准的精度完全无关。沟道长度类似于双报晶体管的基区宽     

声表面波器件用的压电陶瓷材料

如果一种材料被认为适合于作声表面波(SAW)器件,则材料的技术性能就必须满足一些基本的要求.这就是在+20到+60℃温度范围内低的声速温度系数(TC<70×10~(-6)/℃)、能保持阻抗高于50欧的低介电常数(ε<300)、能提供高清晰度电极结构的光滑表面.本文叙述了研究假四元系统Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4))O_3-Ph(Ni_(1/4)Nb_(3/4))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3的三角晶相所得到的实验结果.Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4)_(0.067)(Li_(1/4))Nb_(3/4))_(0.023)Ti_(0.024)Zr_(0.67)O_3+0.5重量%MnO_2组成具有适合于SAW器件应用的最佳材料技术性能,其性能如下:耦合系数Kp=0.26介电常数ε=285机械品质因素Q=3600TC_ε=4.7×10~(-3)/℃TC_v=50×10~(-6)/℃老化速率V≤0.5×10~(-3)/+年ε≤2.2%/+年在这种组成的陶瓷基体上已经实现了电视中频(f_0=36兆赫)用的声表面波滤波器.与计算曲线相比较可知滤波器的通带、陷波的频率和斜率都很合适.只有陷波衰减和远端选择性在计算曲线和测量曲线之间有差别.     

全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介

随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅（Fully Depleted Silicon on Insulator, FDSOI）技术被进一步研发和产品化。对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结。FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能,采用应力优化提高迁移率,通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容,因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品。FDSOI具有巨大的市场潜力,将成为半导体技术一个重要的发展方向。     

声表面波倾斜型器件和技术

雷达中用得最普遍的线性调频声表面波器件一般都是采用共线型换能器结构,这类器件在时域上有菲涅尔波纹和指间反射,如果不加以补偿,势必使压缩脉冲的旁瓣恶化.本文介绍倾斜型换能器和倾斜型反射阵列结构,它们能使指间反射和菲涅尔波纹减到最小.利用倾斜换能器结构制作的宽带铌酸锂器件和窄带石英器件,都可以得到平坦的功率响应,倾斜阵列的加权也很容易实现.制作在铌酸锣上的一对匹配了的脉压线得到了—37分贝的时间旁瓣.本文介绍了铌酸锂和石英倾斜换能器的等效电路模型.导出了换能器孔径的设计方程式,还提出了倾斜反射阵列相关器的设计以及第一个这种器件的实验结果.     

异形薄板式超声换能结构驱动的压电平面电机

提出基于异形板振动驱动的平面运动电机新原理,以异形板的两纵杆上端作为驱动足。利用两纵杆的面内一阶反对称纵振分别与面内二弯、面外二弯的振动耦合,在驱动足形成沿xOy、zOy面的椭圆轨迹,推动动子x、z向自由度运动。阐释了电机驱动机理,推导出驱动足椭圆轨迹方程。建立定子多工作模态频率一致性优化模型,确定了定子尺寸;设计了电机装配结构;建立了电机的限元数值模型,求得定子工作模态及频响特性,仿真出驱动足的两相椭圆运动,从而验证了电机原理。探索出电机调频、调压、调相位运动特性。当正常电激励时,驱动足沿x、y、z向振幅可达1.42μm、1.28μm、1.33μm,电机x、z向速度有望达156mm/s、146mm/s。     

用于声表面波器件的压电陶瓷基片

<正> 用作声表面波(SAW)器件基片的材料有单晶、薄膜和压电陶瓷三种类型。这三种材料在特性、工艺、成本等方面瑕瑜互见、各有所长。就压电陶瓷材料来说,较其它两种材料更适宜大批生产,并有机电耦合系数高、价格便宜以及在垂直于极化轴的平面内呈各向同性而无需选择传播方向等优点。但     

埋入混凝土中压电元的电-声换能特性研究

根据埋入混凝土中压电元的机电换能等效图，分析了埋入混凝土中压电换能器的电-声换能特性，指出恒定外界载荷对埋入后压电元的电-声换能特性不产生影响。相应的测试实验结果与理论分析一致。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体最佳高速耗尽边转换型相移光波导调制器

目前对Ⅲ—Ⅴ族半导体的实用光开关与/或型调制器正在进行深入研究,这些光开关或调制器在光通讯、光互联和信息处理中有着潜在的应用。这些元件必须体积小,驱动功率低并能在几千赫下运转,以满足光电集     

N沟道耗尽型DMOS场效应管

由西安春秋视讯技术公司经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管主要有输入阻抗高、输入电容低、开关速度快、导通电阻低、输入输出漏电流和防止二次击穿等特性。该系列器件可广泛用于常开开关、转换、恒流源、固态继电器、线性放大器、电源电路及通信等装置和系统。西安春秋视讯公司所经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管具有Ｔ０-９２、Ｔ０-２２０和Ｔ０-２４３ＡＡ三种封装形式。表中是该系列器件的主要参数及对应型号。西安春秋视讯公司电话:０２９-８３１３９７２N沟道耗尽型DMOS场效应管     

单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。