51 100kV低能纳秒脉冲化系统的研究

在低能氘-氘γ核聚变的研究中，为和正在研制的低能核聚变装置在能量上衔接起来，根据中子核数据测量的要求，提出研制出低能量的纳秒脉冲中子发生器装置。     

脉冲中子煤质快速分析仪的研制与应用

应用中子感生瞬发γ射线原理研制成功脉冲中子煤质快速分析仪。它主要由脉冲中子发生器、γ射线探测器构成，可以在15min内同时检测出煤中碳、氢、氧、硫等元素的含量以及全水分、灰分、挥发分和低位热值等，而且检测结果都在误差允许范围之内。它可以用于原煤生产、销售以及燃烧等场合。它的测量结果既可作为经济结算的依据，又可指导混煤和配煤。该仪器应用于火电厂，已为火电厂带来巨大的经济效益和社会效益。     

脉冲中子煤质快速分析仪的研制与应用

应用中子感生瞬发γ射线原理研制成功脉冲中子煤质快速分析仪.它主要由脉冲中子发生器、γ射线探测器构成,可以在15 min内同时检测出煤中碳、氢、氧、硫等元素的含量以及全水分、灰分、挥发分和低位热值等,而且检测结果都在误差允许范围之内.它可以用于原煤生产、销售以及燃烧等场合.它的测量结果既可作为经济结算的依据,又可指导混煤和配煤.该仪器应用于火电厂,已为火电厂带来巨大的经济效益和社会效益.     

ns脉冲中子发生器切割板电容值测量

给出了利用扫描谐振法测量ns脉冲中子发生器切割电容值的方法,并给出了切割板在静态情况下以及不同束流的动态情况下电容值的大小。     

中子发生器的纳秒脉冲聚束系统

为了用飞行时间法精确测量中子能谱,从俄罗斯Efremov电物理所引进了一台纳秒脉冲中子发生器。该中子发生器采用聚束系统产生纳秒脉冲束流,其中的纳秒脉冲信号源、高频聚束电源、负反馈调节系统等关键设备都是自主研制的。采用双扫描技术解决了聚束电源电压过高的问题,采用负反馈技术使纳秒脉冲聚束系统长期稳定工作。为了测量纳秒脉冲束流,研制了快脉冲同轴靶测量装置,测得中子发生器的离子束流脉冲半高全宽为1.5 ns,脉冲重复频率为1kHz-4MHz,束斑直径为10 mm。由于采用了电子回旋共振离子源(Electron Cyclotron Resonance,ECR),所以该中子发生器具有发射度小、能散小、无灯丝、可长时间连续工作的优点,是中子物理研究的良好实验平台。     

400keV倍加器氘束脉冲化装置

文章叙述了400keV倍加器脉冲化装置,获得脉冲半宽度1 ns,平均流强4—6μA脉冲束。在两年的应用过程中,设备稳定可靠,并应用此装置完成了不少核物理工作。     

ns脉冲中子发生器切割板电压计算

给出了ns脉冲中子发生器切割器电源电压与切割器几何尺寸、氚粒子注入能量、切割脉冲宽度、切割器电源频率之间的关系。     

脉冲中子煤炭工业分析仪实验系统的研制

应用脉冲快热中子分析技术(PFTNA)代替煤炭行业原来使用的化学分析方法,不但节约成本,而且经过努力可以实现在线分析,是一种非常有前途的分析方法。东北师范大学辐射技术研究所应用自己的特色产品——5×10~8n/s脉冲中子发生器和上海硅酸盐研究所生产的锗酸铋(BGO)探头建立了脉冲中子煤炭工业分析仪的实验系统,已取得了一些成果,其中C、H、O、灰分的质量精度分别达到0.5％、0.4％、7.0％和5.9％。     

西安脉冲堆脉冲参数测量装置研制

介绍了我国自主研制的第一套商用脉冲反应堆脉冲参数测量装置（西安脉冲堆脉冲参数测量装置）的设计方案、系统组成、工作原理、技术特点和应用情况。该装置是西安脉冲反应堆主控室控制台的主要仪表之一，具有脉冲参数测量和堆保护功能。装置采用微电子和计算机技术，实现了对反应堆脉冲工况下堆功率变化、脉冲波形与多个参数的实时自动测量与显示，并在功率超限时向反应堆保护系统和报警系统发出信号。文中对装置的工作特性做了描述，并对现场调试和运行情况作了简要介绍。     

一个10ns脉冲束流传输系统

我所质子静电加速器头部切割的10ns脉冲束流经加速成0.5至2.5MeV后,传输进入中子厅,或由高频扫描板扫开,经Mobley磁铁压缩成1—2ns脉冲束流,或由Mobley磁铁偏转,在距磁铁出口1.54米处得到一横截面为圆形的束斑。它的半径为2mm,最大散角为5mrad。如图1所示,为了利用大液体闪烁探测器测量快中子俘获截面,一个10ns脉冲束流传输系统     

ns-200中子发生器束流脉冲化技术研究及束流传输模拟计算

在ns-200中子发生器上开展了束流脉冲化技术研究工作,采用正弦波速调管聚束方法设计了束流脉冲化系统,研制了高频电源系统、脉冲测量系统和远程自动控制系统.运用LEADS软件,进行了束流传输的模拟计算,并显示了束流传输包络曲线.整机安装调试获得了半高宽小于3.5ns、峰值电流大于1mA的聚束脉冲,束流稳定,各项指标达到技术要求.目前,已长期投入脉冲运行,完成了多个物理实验.     

超短脉冲束流位置监测器的校准

对一己研制成的响应精度优于０．１ｍｍ的超短脉冲束流位置监测器的电子学电路于在线安装前对其监测器的电中心进行了校准，以保证实际测量精度不变劣。对此校准技术作简单介绍并给出相关的校准电路。     

高功率脉冲离子束注入初步研究

离子注入用于半导体器件和大规模集成电路的生产中,显示出这种工艺的许多优越性。七十年代初期,哈威尔实验室等研究部门开始进行离子注入技术在非半导体材料中的应用研究。大量实验结果表明,仅几千埃的注入深度就能对金属材料的磨损和抗氧化性能起积极的影响,如一定浓度的氮离子注入钢能显著提高钢材的耐磨性,而且小于0.5μm的注入层能使20μm深度处的耐磨性仍有改善;适当剂量的Cr和Zr注入氧化铝陶瓷中,能起到硬化作用;     

快中子脉冲序列的纳秒级时间检测

针对快中子脉冲序列中脉冲时间的1ns精度的快速检测要求,提出和实现了一种基于1GS/s超高速A/D转换单元和FPGA高速处理单元进行在线检测的系统.特别设计的PeakTDC滞回峰值检测算法,以脉冲峰值位置标定脉冲时间,可以获得对快中子事件在时间仓轴上的纳秒级随机脉冲序列的TDC时间数据转换.     

Improved wear resistance of Al-15Si alloy with a high current pulsed electron beam treatment

A hypereutectic Al-15Si alloy (Si 15 wt.%, Al balance) was irradiated by high current pulsed electron beam (HCPEB). The HCPEB treatment causes ultra-rapid heating, melting and cooling at the top surface layer. As a result, the special “halo” microstructure centering on the primary Si phase is formed on the surface due to interdiffusion of Al and Si elements. The composition of the “halo” microstructure is distributed continuously from the center to the edge of the “halo”. Compared to an untreated matrix, the remelted layer underneath the surface presents single contrast because of the compositional homogeneity after HCPEB treatment. The thickness of the remelted layer increases slightly from 4.4 μm (5 pulses) to 5.6 μm (25 pulses). HCPEB treatment broadens and shifts the diffraction peaks of Al and Si. The lattice parameters of Al decreases due to the formation of a supersaturated solid solution of Al in the melted layer. Through analysis of Raman spectra and transmission electron microscopy (TEM), the amorphous Si (a-Si) and nanocrystalline Si are formed in the near-surface region under multiple bombardments of HCPEB. The relative wear resistance of a 15-pulse sample is effectively improved by a factor of 9, which can be attributed to the formation of metastable structures.     

Influence of irradiation number of high current pulsed electron beam on the structure and properties of M50 steel

The influence of high current pulsed electron beam (HCPEB) irradiation numbers on the microstructure, wear and corrosion resistance properties of M50 steel was studied. The crystallize phase, surface morphology, hardness, oxidation wear and corrosion resistance of samples were analyzed using XRD, SEM, nanoindenter, wear tester and electrochemical corrosion tests. The results reveal that the hardness and wear resistance of irradiated samples decrease compared with untreated sample because of the increasing of austenite content in the melted layer; while the corrosion resistance of irradiated samples is higher than untreated sample.     

一个分辨时间小于3ns的快甄别-快计数系统

本文叙述一个快甄别-快计数电路的设计和结果。快甄别电路由高速砷化镓隧道二极管组成,快计数电路由ECL超高速D触发器组成。此系统的分辨时间小于3ns,甄别阈范围为10mV至400mV。     

SKDll模具钢的强流脉冲电子束辐照改性

本文介绍强流脉冲电子束(HCPEB)材料表面改性原理,采用模具钢SKDll进行辐照处理实验.对处理样品表面进行形貌观察,发现熔坑面密度及粗糙度随脉冲处理次数的增加而减小.X射线衍射分析证实,多脉冲处理条件下表面改性层中碳化物发生溶解,形成高奥氏体含量的重熔组织,而过多的能量注入会使奥氏体发生再度分解.磨损性能测试表明,在低电压(19.8 kV)处理情况下,耐磨损性能得到改善,脉冲次数为8次时处理样品的耐磨性达到最佳,这与表面改性层中碳化物及奥氏体的相对含量变化密切相关.