一维纳米结构SnO2的制备及其电化学性能研究

以SnCl4·5H2O、水合肼为原料,采用水热法制备一维纳米结构SnO2.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)结果表明:制备的一维纳米结构的SnO2为四方相结构,其直径为0.5～2.5 μm,长度约几百微米.恒电流充放电测试结果显示:在电流密度为160 mA·h·g-1(0.2C)时,该SnO2材料的首次放电容量为1 780 mA·h·g-1,第20周期放电容量保持到468 mA·h·g-1;从第3周期开始,库仑效率均保持在90%以上.以上结果表明这种材料具有较高的储锂容量和较好的可逆性能.     

Co掺杂SnO2纳米粉的微结构和磁学性质

采用湿化学方法制备了Co掺杂的二氧化锡纳米粉(Sn1-xCoxO2),经研究发现,Co以离子形式存在,而不是以单质形式存在,样品中除了金红石型的SnO2相之外,没有发现其他杂质的相,随着Co掺杂含量的增加,晶粒尺寸减小,光吸收谱红移,禁带宽度线性下降。钴离子磁矩随掺杂含量的增加而减小,这可能是由于占据晶格上近邻阳离子位置的磁性离子数目增加使磁性离子成反铁磁性排列的结果。     

SnO_2微纳米结构的制备与表征

以L-天冬氨酸、PVP等为结构导向剂,利用SnCl2的水解氧化反应,制备出带凹槽的半管状SnO2微结构。所得样品用XRD和SEM等技术进行表征,考察了反应条件对样品形貌的影响。结果表明,低温、低反应物浓度或以ASP为结构导向剂容易得到一维的凹槽结构。并且测定了样品的激发光谱和光致发光光谱,初步讨论了半管状SnO2微米棒的光致发光性质和生长过程。     

喷雾热解法制备掺锑二氧化锡薄膜及其性能表征

用喷雾热解法将掺杂锑的氯化亚锡溶液喷射到预先加热的玻璃管衬底上,制备了掺锑氧化锡透明导电薄膜.采用X射线衍射仪和扫描电镜分别对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.研究了不同掺锑量对薄膜点电阻的影响及在可见光范围内与透光率之间的关系.结果表明,掺杂锑的薄膜呈四方金红石结构,薄膜比较致密,进行掺杂后的薄膜电阻变小,当锑锡原子比为0.04时点电阻最小,约为28 Ω/cm.镀膜玻璃管在可见光范围内透光率随锑掺杂量增多而减小.     

Zn/Sn热共蒸发制备ZnO/Zn2SnO4/SnO2同轴纳米电缆

为了研制优质气敏传感器的ZnO系气敏元件,以Zn粉和Sn粉为原料,通过热共蒸发法,在900℃的氧气气氛中,制备了直径为80～150nm的三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆.利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）和透射电子显微镜（TEM）试验对纳米电缆的形貌、组成成分以及微观结构进行了表征.测得该三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆的芯核为SnO2,中间层为Zn2SnO4化合物,外壳层为ZnO,且有铅笔状、三角金字塔状和四棱锥状三种不同纳米形貌.     

二氧化锡微球的制备、表征及其性能研究

介绍了以二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)作为主要原料,无水乙醇和N-N二甲基甲酰胺作为复合溶剂,采用溶剂热法在140℃反应24h成功地制备了二氧化锡微球.通过X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备样品的物相、结构和形貌进行了表征.结果表明:所制备的SnO2具有纯的四方相结构,形状球体,直径约为3μm,且反应温度、反应时间及复合溶剂配比等对样品尺寸、形貌及微球形成过程等均有一定的影响.最后通过紫外可见分光光度计对其光学性能进行了研究.     

纳米级SnO2气敏材料制备及结构分析

制备敏感元件的原材料粉粒越细越好．介绍了以明胶作分散介质用溶胶－明胶法制备纳米级ＳｎＯ２敏感材料的工艺方法．制备的ＳｎＯ２材料粒径小于１０ｎｍ．实验研究了热处理的温度和时间对ＳｎＯ２材料粒径的影响,并进行了理论上的解释．对制备的ＳｎＯ２材料进行了透射电子显微镜、比表面积测试和Ｘ射线衍射等方法的测试分析,给出了测试分析结果．     

SnO2基压敏陶瓷的烧结

通过对影响SnO2基压敏陶瓷的烧结添加剂CoO，Cr2O3，Nb2O5，Ta2O5，La2O3等化合物以及不同烧结工艺条件对SnO2密度的影响的研究，给出了添加剂的影响结果，并对其进行了理论解释；对烧结工艺条件进行探索，分析其结果，并给出相应的理论解释。为SnO2基压敏陶瓷烧结的进一步研究提供了依据。     

Anticorrosion performance of the coating/metal system by electrochemical impedance spectra

In order to investigate the anticorrosion performance of the organic coating/metal system, electrochemical impedance spectra (EIS) were measured in the 3.5wt% NaCl solution, the chemical component and the formation of corrosion products scale were analyzed by laser Raman microspectroscopy, and the pattern of the organic coating/metal system was observed by scanning electron microscopy (SEM). The characteristics and the delamination process of the organic coating/metal system were investigated systematically, and the emphases were on the transportation of the corrosive medium and the changes of the coating/metal interface. The results show that the impedance decreases at the initial immersion, then increases at the middle-immersion, and again decreases at last, which is related to the corrosion products scale. The concentration of Cl- in the coating, which destroys the corrosion products scale, increases with the immersion time.     

二氧化锡纳米薄膜的AFM研究与气敏性能测试

以SnC l2.2H2O为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了二氧化锡纳米薄膜,对薄膜制备过程中原料的浓度、陈化时间、提拉速度、烧结温度、烧结时间等影响因素进行了系统的研究,获得了较佳的制膜工艺条件,并测试了SnO2薄膜在室温下的气敏特性.结果表明,当Sn2+浓度为0.1 mol/L,陈化时间为60 h左右,提拉速度为80 mm/m in,烧结温度为500℃,烧结时间为30 m in时,制备出了高质量的SnO2纳米薄膜,成膜粒子均匀,粒径小,约为2 nm,而且薄膜对2~10 mg/L的乙醇和丙酮都有较好的敏感性和响应-恢复特性.     

介孔二氧化锡纳米材料的臭氧气敏性能

以葡萄糖缩合的碳球为模板,由SnCl₄水热反应制备介孔结构的二氧化锡纳米材料,通过X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电镜等表征介孔材料的结构和形貌,发现制备的二氧化锡为四方晶系金红石结构,晶粒尺寸13.8 nm. 以二氧化锡为敏感材料制作气敏元件,并测试了气敏元件在100 ℃~420 ℃温度范围内的气敏性能. 结果表明在200 ℃时,介孔结构的二氧化锡气敏元件对体积分数为1×10^-4的臭氧的灵敏度为2 089,最低检测浓度低于3×10^-6（S=28）,气敏响应时间16 s,恢复时间40 s. 在此条件下,该气敏元件具有灵敏度高、检测浓度低、响应恢复快等优点,具有商业应用价值.     

Electrochemical impedance spectra of V_2O_5 xerogel films with intercalation of lithium ion

1INTRODUCTION Vanadiumpentoxidexerogel(VXG)filmshavereceivedsignificantattentionduringthelasttwo decadesduetotheirbroadindustrialapplicationsespeciallyinopticalswitchingdevices[1,2],electro chromicdevices[3]andreversiblecathodesforlithi umrechargeablebatteries.ThecommonmethodsofpreparingVXGfilmsareconventionaltech niques,includingpulsedlaserdeposition[4],sput tering[5]andvacuum deposition[6].However,suchmethodsalwaysinvolveconditionsofhightemper atureandvacuum,whichrequirecomplicated…     

水热法制备Zn_2SnO_4超细粉体

采用水热法制备Zn2SnO4纳米粉体。采用X-射线衍射和扫描电镜观察样品的相组成和微观结构。结果表明:合成条件诸如矿化剂浓度、水热合成温度和保温时间,对粉体的相组成有显著影响。Zn2SnO4纳米粉体的最佳合成条件为:NaOH=2.5 mol/L,水热合成温度230℃、保温72h。     

直流电弧等离子体制备SnO2纳米粉末的研究

利用直流电弧等离子本蒸发-凝聚法制备SnO2纳米粒子，研究了SnO2粒子在等离子体焰流中的形成和生长机理，探讨了等离子体发生器功率、气体配比和冷却介质对SnO2纳米粒子粒度和纯度的影响，制备出了纯度大于98．8％、粒度可控的SnO2纳米粉末，为制造高性能SnO2气敏传感器打下了良好的基础。     

SnO2纳米材料气敏特性研究

为了提高SnO2纳米材料的气敏特性,研究其性能与结构关系,采用物理气相沉积法在管式炉内制备SnO2纳米材料．通过控制管式炉内材料的生长温度得到不同形貌的SnO2纳米材料．采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对所得纳米结构进行表征分析．将所得纳米材料制备成旁热式气敏元件对其在还原性目标气体环境中进行气敏性能测试．研究结果表明：不同形貌的纳米结构气敏性能差异明显,SnO2纳米线对指定目标气体的气敏性能优于菊花状纳米结构．气敏性能与材料的表面形貌及比表面积关系密切,长径比高的线状纳米结构具有更高的气敏性能,在酒精蒸汽、CO和CH4的环境中其数值分别为42、21和18．     

共沉淀法制备掺锑SnO2纳米级粉体

用共沉淀法 ,以SnCl4 ·5H2 O和SbCl3为原料 ,NH3·H2 O为沉淀剂 ,得到了掺锑SnO2 纳米级粉体。运用DSC -TG、XRD和UV等观测手段对微粉末进行了表征 ,考察了制粉条件对粉末晶粒平均尺寸、粉末电阻和粉末颜色的影响 ,探讨了影响机理     

射频反应溅射制备SnO2薄膜机理研究

SnO2薄膜的成膜机制是研究其结构的一项重要内容，本文就射频反应溅射成膜过程中影响成膜质量的因素进行了讨论，给出了薄膜形成过程的初步模型，分析了影响薄膜成长和特性的因素。     

钛基二氧化锡纳米涂层的制备与改进

采用热分解法,制备了Ti/SnO2和添加活性元素的Ti/SnO2纳米涂层,并研究了涂层的结构与物化性能。结果表明:普通热分解方法可制备纳米二氧化锡涂层,其晶体结构为金红石结构;热氧化为500℃时,往Ti/SnO2涂层中添加Ru、Co能显著提高Ti/SnO2涂层的电催化性能,而添加La则无作用;制备的Ti/SnRuCo涂层,具有结合强度高、电催化性能好和孔隙率小的特点。     

添加稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂的制备方法

以共沉淀法制备的氧化锡和氧化铈混合物为载体,负载Pt,得到含稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂。考察了该催化剂对CO氧化的催化活性,并与以氧化锡为载体、用浸渍法制备得含稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂进行了比较。实验结果表明:两者对于CO的催化氧化活性基本相同。还进一步考察了该催化剂中晶格氧的作用。