激光高温显微镜

由于研究难熔物质的相变及绘制平衡图需要用高温光学显微技术。这种高温光学显微技术对研究晶体生长问题也具有重要意义,因为它可用以研究相界上发生的过程。由于对各种介质要进行高温精密研究,所以对高温显微镜提出了特殊要求。其中首先是对加热元件的要求。第一,加热元件在任何气氛下都应保证可靠获得高温,同时不污染研究的物体;第二,显微镜的分辨率和视场不应受限制。目前用的显微镜,加热元件采用以难熔金属为主要材料的电阻炉,不能满足上述要求。高温显微镜技术用的最佳加热方案是激     

烧结温度对SrTiO_3厚膜氧敏元件的影响研究

以固相合成法,在1200℃,1250℃,1275℃这3个烧结温度下,制备了SrTiO3厚膜氧敏元件。通过在600～850℃温度范围内分别测试样品,在大气气氛及N2气氛下的电阻,比较分析了不同烧结温度下样品的灵敏度及阻温特性,表明最佳烧结温度应在1250℃,且较高烧结温度有利于样品电阻的降低和阻温特性的改善。XRD分析和SEM分析表明,不同烧结温度均制备了物相纯净且表面结构疏松的样品。     

含三氯乙烯热氧化气氛中制备优质二氧化硅膜

栅氧化膜介质是制作MOS电路的关键工艺之一。过去一些年来大量地开展了关于制备优质二氧化硅栅介质膜的研究,认为在热氧化生长二氧化硅时在氧化气氛中适当地添加氯化物是很有裨益的。添加三氯乙烯于氧化气氛中是其中的有效方法之一。本实验对表征含氯量的一些参数(如攜带气体流量、三氯乙烯沅温等)进行适当控制,获得较为满意的结果。并发现不同的衬底要求不同的含氯量,相应的调节在电路制作中实现了对开放电压的控制。在采用了分段退火法后基本上消除了C-V特性曲线的滞后效应。     

有机气氛对镀镍层的影响初探

金属腐蚀有多种类型,本文所涉及的是有机气氛腐蚀。在一定的条件下,在一个限定的空间内,某些有机材料挥发出的有机物达到一定浓度时,就会引起某些金属镀层发生腐蚀,这就是有机气氛腐蚀。这种腐蚀有时相当严重,甚至会造成重大的质量事故,影响产品的可靠性和使用寿命。因此对有机气氛腐蚀问题不可忽视。锌、镉镀层的发白以及     

提高硅功率器件使用温度的探讨

《ＺＰ型硅整流元件部标准》规定硅整流元件额定结温为１４０℃，为满足坦克硅整流元件的高温要求，在研制硅整充元件过程中，恰当地选取单晶电阻率，加上适当的表面造型和表面保护，制成结温达１９０℃的硅整流元件，使用温度提高了５０℃，满足了装甲兵对坦克整流元件的要求。     

气氛烧结BiNbO4微波介质陶瓷介电性能的研究

研究了烧结气氛对BiNbO4陶瓷介电性能的影响。于不同气氛烧结的陶瓷样品,其晶粒形貌差别不大,均为斜方相结构。氮气氛烧结的陶瓷样品具有相对较小的密度、较小的εr和较高的Q。高温下热离子极化,导致各样品的εr和tgδ随着温度的升高而迅速增大,只在氮气氛烧结的陶瓷样品的温谱上观察到明显的弛豫现象。     

硅外延工艺与基座的相关性研究

硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均匀的温区。实际使用表明,基座边缘热辐射及热量被气流带走使基座两个边缘温度急剧下降,必须对边缘温区进行补偿及装片时避开基座边缘一定距离;高温时Si片通过基座获得热量并发生形变,基座上承载槽的形貌设计必须兼顾厚度匀匀性及Si片高温时形变的方向。研究表明,金属沾污尤其是重金属催化作用及过腐蚀是影响基座寿命的关键因素。     

可控气氛网带炉的设计与应用

针对不同工艺过程以及工件对加热设备的要求，着重探讨了气氛网带炉的结构设计与应用，氮氢混合气氛下工的钎焊，粉末冶金的烧结以及不锈钢材料的光亮处理。     

热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响

研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同.并对此现象的机理进行了讨论,认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布.此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义.     

热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响

研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同.并对此现象的机理进行了讨论,认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布.此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义.     

DC/DC电源模块高温失效原因

为了得到一款军品级模块因为导致高温失效的原因,通过对模块内部元件加热测试,观测模块电学参数的变化,并与模块整体加热电学参数变化的结果做比较。得到影响模块输出电学参数变化的最主要的元件,同时对该元件特性分析,获得元件随温度变化失效的原理。测得其输出电压随环境温度的上升,而缓慢下降的主要原因来自于光耦的温度特性。环境温度达到150℃左右时,模块内变压器磁芯温度将达到居里点附近,使模块输出电压几乎为零。     

空气推板式隧道窑高温间接冷却系统

介绍了设置在空气推板式隧道窑高温段末端与冷却段前端间的一种快速冷却结构。该结构能使产品在此区段获得较快的降温速率而冷却气体又不会对窑炉内部工作气氛产生影响。     

高温真空钎焊设备的研制

主要介绍了真空钎焊的发展和高温合金钎焊的工艺特点。根据Inconel 718高温合金钎焊的工艺要求,高温真空钎焊设备应具有高真空度和低泄漏率、高控温精度、高温度均匀性、一定的加热速率和冷却速率等工艺性能。详细阐述了高温真空设备的结构特点和主要关键技术,包括加热室内温度的均匀性、真空度和压升率以及较高的自动化程度等。     

窑炉的技术经济性——推板窑交互设计

简要概述了窑炉定制时的技术经济性选型原则;选型及设计制造时．双方应仔细交流烧成工艺参数的重要性,强调设计热工、电参数、耐火保温材料的影响和窑炉寿命的影响、运行成本的影响。窑炉定制时,双方技术参数交流的重要性。     

一种多区域空冷式高低温精确温控系统的研究

为解决多区域空冷式高低温高精度控制问题,文中设计了一种新型大空间、多区域的控制方法。该方法采用PLC作为控制核心,以PT100温度传感器作为测温元件,以冷热机组作为温度调节元件,结合宏观PID控制算法、快速PWM调节及冷热机组混合调节控制实现对多区域温度的精确控制。该方法基于组态软件开发了用户登录功能,实验样机测试结果表明,该系统可以实现-520 ℃范围内温度精度为±0.5 ℃,2060 ℃范围内温度精度为±0.1 ℃的温度控制,其比常规PID算法的控制精度更高、可靠性更好且操作简便,具有良好的推广价值。     

基于回转窑表面温度场的红外三维图像重建算法研究

回转窑是工业生产中熟料煅烧的核心设备,生产过程中需要对其进行实时监测,防止温度过高引发事故。现代工业采用红外测温方法实时监测回转窑的表面温度,在监测过程中需要进行实时故障定位。传统方法对回转窑实时监测时,普遍使用二维图像显示回转窑的表面温度,这种热像图的直观性差,立体感不强。针对上述问题,提出了一种新方法,对回转窑的表面温度场进行三维重建,并以伪彩显示出回转窑整个表面的温度信息。实验表明,生成的回转窑温度场的三维立体模型比传统热像图的效果更好,更容易被工作人员辨识,有利于工业生产。     

High-Temperature Operation of SiC Power Devices by Low-Temperature Sintered Silver Die-Attachment

In this paper, we present the realization of high-temperature operation of SiC power semiconductor devices by low-temperature sintering of nanoscale silver paste as a novel die-attachment solution. The silver paste was prepared by mixing nanoscale silver particles with carefully selected organic components which can burn out within the low-temperature firing range. SiC Schottky diodes were placed onto stencil-printed layers of the nanoscale silver paste on Au or Ag metallized direct bonded copper (DBC) substrates for the die-attachment. After heating up to 300degC and dwell for 40 min in air to burn out the organic components in the paste and to sinter the nanoscale silver, the paste consolidated into a strong and uniform die-attach bonding layer with purity >99% and density >80%. Then the die-attached SiC devices were cooled down to room temperature and their top terminals were wire-bonded to achieve the high-temperature power packages. Then the power packages were heated up from room temperature to 300degC for high-temperature operation and characterization. Results of the measurement demonstrate the low-temperature silver sintering as an effective die-attach method for high-temperature electronic packaging. An advanced packaging structure for future SiC transistors with several potential advantages was also proposed based on the low-temperature sintering technology.     

Experimental Evaluation of Reliability of Deep Submicron SOI MOS Transistors at High Temperatures

In this paper, 0.18–0.5 μm SOI MOS transistors are tested for compliance with the reliability criteria applied to high-temperature electronics and their components. The main parameters of SOI MOS transistors are measured in the temperature range from ?60 to +300°С. The specific behavior exhibited by SOI MOS transistors at high temperatures should be taken into account when designing high-temperature integrated circuits so as to avoid premature failures and increase the reliability of devices.     

基于回转窑表面的红外双波段测温方法研究

回转窑是水泥熟料生产中的重要煅烧设备。在生产过程中,需要通过对回转窑的表面温度进行测量来监测窑体内部的生产状态。传统方法使用单波段红外测温对回转窑的表面温度进行监测,但是这种方法的测温精度不高,无法获取准确的测温数据。为了提高回转窑表面测温精度,提出了一种红外双波段测温方法。首先对传统的回转窑测温方法进行了理论分析,包括影响测温的几种主要因素;然后介绍了双波段测温原理,并推导出了基于回转窑的双波段测温模型;最后对其进行了实验验证。结果表明,与传统的单波段测温方法相比,本文方法在温度测量方面具有更高的精度。     

隧道窑中工件的温度响应

本文讨论隧道窑中工件的温度响应，结果表明。工件所经历的温度过程相对于隧道窑设定的温度曲线而言，会出现温度滞后。文章介绍了影响温度滞后的若干因素。