基于FBG的不同工艺下环氧树脂固化监测研究

不同工艺下复合材料固化时的温度变化、固化速率及产生的应变会对复合材料的成型质量产生巨大影响。针对在不同工艺条件下对树脂基复合材料固化过程的监测要求,采用将光纤布喇格光栅埋入环氧树脂内部的方法,对环氧树脂在恒温40℃和室温24℃两种不同工艺下的固化过程进行实时在线监测,固化时间均持续18h。结果表明,环氧树脂在恒温40℃工艺条件下固化时的温度变化、固化速率及产生的应变都比在室温24℃工艺条件下大。     

浅谈硫酸双氧水微蚀速率

主要探讨硫酸双氧水微蚀工艺的微蚀速率,详细讲述了该工艺条件下的工艺参数控制。     

有机预焊剂的工艺控制与性能测试

本文通过对有机预焊剂的性能及工艺条件的研究,在不同的工艺条件下制作了大量的实验样板,通过对实验板的耐热性及耐湿热性的测试,得出了不同工艺条件下的上锡率。     

TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究

对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。     

SOI工艺下不同薄膜厚度导致静电保护器件SCR维持电压漂移

由于SOI器件的特殊性质,在SOI工艺下对芯片进行静电保护设计是一件非常具有挑战性的工作。本文发现了当SCR在SOI工艺下作为静电保护器件时其薄膜厚度的变化会导致维持电压的漂移。文章通过0.18微米工艺下的流片实验验证了此现象并通过ISE TCAD器件仿真进行了模拟,对其机理进行了讨论。     

一种基于机器学习的众工艺角延迟预测方法

在不同工艺角下,关键路径呈现显著差异,因此需要进行大量的静态时序分析,从而导致时序分析运行时间较长。与此同时,随着工艺尺寸的缩小,静态时序分析的精度问题变得不容忽视。本文提出一种基于机器学习的适用于众工艺角下的延迟预测方法,考虑工艺、电压和温度对时序的影响,利用基于自注意力Transformer模型对关键路径进行全局聚合编码,预测众工艺角下关键路径的统计延迟。在EPFL基准电路下进行验证,结果表明该方法的平均绝对误差范围为5.8%～9.4%,有良好的预测性能,可以提高时序分析的准确度和效率,进而缩短数字电路设计周期和设计成本。     

工艺变化下互连线分布参数随机建模与延迟分析

随着超大规模集成电路制造进入深亚微米和超深亚微米阶段,电路制造过程中的工艺变化已经成为影响集成电路互连线传输性能的重要因素.文中引入高斯白噪声建立了互连线分布参数的随机模型,并提出基于Elmore延迟度量的工艺变化下的互连延迟估计式;通过简化工艺变化量与互连线参数之间的关系式,对延迟一阶变化量与二阶变化量进行了分析,给出一般工艺变化下互连延迟的统计特性计算方法;另,针对线宽工艺变化推导出互连延迟均值与方差的计算公式.最后通过仿真实验对工艺变化下互连线延迟分析方法及其统计特性计算公式的有效性进行了验证.     

转变观念 开拓工艺工作的新局面

在市场经济条件下，如何搞好工艺工作需要从认识上，思想上，信念上转变观念，正确处理工艺与设计的关系，培养工艺人才，加强宣传工作，努力发展工艺，使工艺工作者不继强健起来，最终实现工艺的目标，为企业创造良好效益，担当起时代赋予的历史使命。     

脉冲电泳沉积制备电致变色WO3薄膜

采用正交设计法优化了脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的工艺参数,并通过分析薄膜的微观结构、透射光谱和循环伏安曲线等研究了最佳工艺条件下制备的WO3薄膜的电致变色性能.结果表明,脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的最佳工艺参数为平均电流密度0.2×10-3A/cm2,沉积时间6 min,占空比75%,脉冲周期10 ms.最佳工艺条件下...     

厚膜PTC电阻烧结工艺的研究

研究厚膜PTC电阻的电性能随烧结工艺的变化规律，确定了在不同的烧结制度下的最佳烧结峰值温度。比较了两种烧结工艺条件下烧结的厚膜PTC电阻性能的差异。结果表明：厚膜PTC电阻对烧结温度敏感，随着烧结峰值温度上升，方阻Rs下降，电阻温度系数TCR上升；烧结工艺条件决定了厚膜PTC电阻的电性能，烧结工艺Ⅱ优于烧结工艺Ⅰ。本文运用液相烧结模型对实验结果进行了探讨。     

试论微波印制板孔金属化加工技术

本文在简单介绍印制板孔金属化加工技术的基础上,对微波印制板孔金属化加工技术进行了较为详细的论述。     

微孔电镀填孔技术在IC载板中的应用

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制板在高密度互连技术上面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通常树脂、导电胶和电镀铜都可以用来进行填孔,比较其它的方法,电镀填孔技术工艺流程短、可靠性高,该文讨论不同电镀设备、操作条件和添加剂条件对填孔效果的影响。     

多层印制板生产中的电镀锡保护技术

对多层印制板生产中的电镀锡保护技术进行了详细阐述,对电镀钝锡的工艺过程、工序过程的质量控制、产品质量问题的产生原因及所采取的相应措施进行了简单介绍。     

次亚磷酸钠还原化学镀铜工艺研究及展望

化学镀铜是印制电路制作中重要工序,开发新的非甲醛体系化学镀铜工艺是当前化学镀铜领域中的热点。文章根据化学镀铜的基本原理,分析了以次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺的特点、以及该技术的研究情况,并提出了该工艺未来的研究方向。     

脉冲技术的应用与发展

介绍了脉冲技术发展以来在我国的研究应用概况。重点介绍了该技术在表面处理领域,包括前处理工艺、电镀单金属及合金金属工艺、印制电路板镀覆、阳极氧化处理工艺、纳米级涂层镀覆及废水处理中的应用及发展,揭示了脉冲技术发展的良好前景。     

微波组件产品的激光密封焊接技术

主要介绍了微波组件产品的激光密封焊接技术,从镀层种类、镀层厚度、焊接方式和焊接气氛等进行分析,比较了不同镀层厚度、叠焊焊接方式和对焊焊接方式对激光焊接的影响,试验表明,表面镀镍金层较厚时,将对激光焊接质量产生影响。不同的焊接方式对镀层的要求也有差别,采用对焊方式时,盒体镀层厚度应严格控制,而使用叠焊方式时,表面镀层厚度控制范围可以稍宽一些。除激光焊接参数外,激光焊接气氛对激光焊接的影响也较大。     

高速连续电镀技术在集成电路引线框架生产中的应用

本文主要介绍了集成电路塑封引线框架高速卷对卷连续电镀的工艺特点及方法，并对局部点镀技术及引线框架高速镀银的工艺条件进行了分析探讨.     

纳米化学复合镀的开发及在PCB制造中的应用研究

化学镀表面处理技术使用范围很广,镀层均匀、装饰性好;在防护性能方面,能提高产品的耐蚀性和使用寿命;在功能性方面,能提高加工件的耐磨性和导电性、润滑性能等特殊功能,因而成为表面处理技术的一个重要部分。钠米化学复合镀是在化学镀液中加入纳米粒子,使其与化学镀层共沉积的工艺技术。文章主要研究在化学镀Ni-P中加入纳米颗粒,在基体表面沉积具有镀厚均匀、耐磨、耐腐蚀、可焊的纳米复合镀层,阐明镀液组成和工艺条件对沉积速率、镀液稳定性、镀层与基体的结合力的影响,获得钠米化学复合镀技术的工艺参数,并对纳米复合镀层的性能进行了研究。     

集成电路用磷铜阳极及相关问题研究

随着半导体技术的发展,铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,铜互连采用双大马士革工艺(Dual Damascene)进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用,本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。     

太阳能电池埋栅电极制造新技术

介绍了用电镀法来制造太阳能电池的埋栅电极方法,对各镀层所需的溶液配制及操作工艺参数进行了详细的说明,通过与传统工艺的比较,可以看出采用新技术制造太阳能电池片,可有效降低栅线电极成本,提高电池片转换效率。