（Pb0.3Sr0.7）1-xKxTiO3薄膜制备与介电调谐性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的((Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5mol%多层均匀薄膜,井研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的相结构没有发生变化,晶粒尺寸明显减小,介电常数降低及介电损耗减小.1MHz时,随K含量从0增加至5mool%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.0576,其微波介电综合性能改善.     

钙长石／玻璃复合材料的制备和性能研究

采用电子陶瓷工艺制备了一系列钙长石／玻璃复合材料,并对复合材料进行X射线分析、扫描电镜观察和性能测试。结果表明：复合材料的介电常数、热膨胀系数随钙长石含量的增加而增加,而介电损耗和抗折强度随钙长石含量的增加而减小。钙长石含量大于50wt％的复合材料中α-石英和方石英的析出增加了材料的热膨胀系数,但对材料的介电性能影响不大。所制备的复合材料具有低的介电常数（5．4～6．1）、低的介电损耗（0．11％～0．41％）、低的热膨胀系数（4．3×10^-6～6．1×10^-6／℃）和低的烧结温度（≤900℃）,有望用于电子封装领域。     

ZrO2掺杂对(Ba0.9Ca0.1)TiO3陶瓷性能的影响

采用新型溶胶凝胶制粉技术和传统陶瓷工艺相结合，对（Ba0.9Ca0.1）TiO3陶瓷进行ZrO2掺杂，对陶瓷晶相特征及铁电、介电、压电性能进行了研究，结果表明，ZrO2的加入对（Ba0．9Ca0．1）TiO3陶瓷的铁电性能略有改善，Curie峰前移和展宽，提高了介电常数ε和介电损耗tanδ，压电常数d33却降低了。当ZrO2掺杂量为0.14mol时，陶瓷的介电常数有最大值2559．43，介电损耗有最小值0.027，此时压电常数为35。     

(1-x)BaTiO3-xBi0.5Na0.5TiO3陶瓷的微结构与介电性能研究

采用传统电子陶瓷制备工艺制备了（1-x）BaTiO3-xBi0．5Na0．5TiO3（x=O．2～0．6）陶瓷,研究了不同Bi0．5Na0．5TiO3（BNT）含量下陶瓷的微结构特征和介电性能。结果表明：在BNT为0.2～0.6mol时,陶瓷样品均具有单一的钙钛矿结构,陶瓷的晶粒形状和大小随BNT含量的增加发生变化,BNT含量增加时样品的晶粒趋于减小,样品结构更为致密。陶瓷样品都具有稳定的介电性能,较高的介电常数,较低的介电损耗、BT-BNT40的介电稳定性最好。居里温度随BNT含量的增加而升高、当BNT含量为0．6mol时,T=210℃。     

四氟化碳等离子体处理对聚酰亚胺介电性能的影响

采用等离子体活化的方法,使用四氟化碳（CF4）气体,对印刷线路板常用基材聚酰亚胺薄膜进行了处理,将含氟基团引入到聚酰亚胺薄膜表面。通过测量材料表面的接触角、x射线光电子能谱分析等,验证了通过等离子体处理,含氟基团成功引入了聚酰亚胺薄膜表面。通过改变等离子体处理的功率及反应时间,研究了不同处理条件对聚酰亚胺薄膜介电常数和介电损耗的影响。结果显示：随着处理功率和处理时间的增加,聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗在低频区域有显著的降低（频率范围1～100Hz）。在最优条件下,聚酰亚胺薄膜的介电常数从平均2．7降至平均1．9（频率范围1～100Hz）,介电损耗正切值从平均0．145降至平均0．06左右（频率范围1～100Hz）。     

双马来酰亚胺／BA／石墨介电材料的制备及性能研究

采用原位聚合法将石墨与N，N’-二氨基二苯甲烷型双马来酰亚胺（BMI）复合制备BMI/石墨介电复合材料。研究了石墨对复合材料的介电性能的影响。结果表明，石墨含量的增加提高了材料的介电常数和介电损耗，在石墨含量为11．975％（质量分数，下同）左右时出现渗流效应。BMI／O，O-二烯丙基双酚A（BA）/石墨介电材料的吸水率较小（低于1．7％）。湿热老化对材料的介电性能影响较大，其介电损耗最大增幅近26％。钛酸酯偶联剂NDZ-311可以显著改善石墨颗粒在BMI中的分散效果，同时可提高材料的介电常数。     

含Pt金属芯压电陶瓷纤维的微观结构和电学性能

以传统固相法制备的0．55Pb（Ni1/3Nb2／3）O3-0．45Pb（Zr0.3Ti0.7）03（PNN-PZT）压电陶瓷粉体为原料,采用挤压成型工艺制备含Pt金属芯压电陶瓷纤维。以PbTi03作为保护粉体,对纤维坯体进行1200℃不同时间（0．5、1．0h和2．0h）的烧结处理。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阻抗分析仪和铁电分析仪等研究了烧结时间对纤维微观结构、压电性能和铁电性能的影响。结果表明：在烧结时间范围内制备的压电陶瓷纤维为单一钙钛矿结构,未发现焦绿石相或其他杂相;随烧结时间增加,陶瓷纤维晶粒尺寸增大,压电和铁电性能明显提高。在1200℃保温2．0h制备的压电陶瓷纤维电学性能较好,压电常数（西1）、相对介电常数（曲、介电损耗（tanδ）和矫顽场（＆）分别为-145pC／N、3313、2．6％和0．27kV／mm。介电温谱结果表明：该陶瓷纤维的特征Curie温度为125℃,峰值相对介电常数为8093。     

掺杂对准同型相界附近PMN-PT陶瓷介电和铁电性能的影响

采用氧化物固相反应法制备了A、B位离子掺杂0．67Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0．33PbTiO3陶瓷,研究了掺杂对陶瓷的相结构、介电和铁电性能等的影响。Sm和La两种A位掺杂离子的引入,均较大幅度的降低了样品的介电常数峰温和声誉极化值,同时材料的最大介电常数也有了不同程度的降低。而随着B位离子Mn掺杂量的增加,使陶瓷样品中钙钛矿相逐渐增加,焦绿石相逐渐降低;而且部分掺杂的Mn离子会进入到晶格的B位,形成第二相;同时随着Mn离子掺杂量的增加,介电峰值逐渐增大,压电性能有所提高,弥散度依次增大。当锰掺杂量为1．5％mol时的压电陶瓷组分,其介电和压电性能各为：ε=2300,kp=0．54,Qm=900,tanδ=0．004,d33=400pC／N,适合于制作大功率压电陶瓷变压器。     

(1-x)BaTiO3-xLiNbO3陶瓷的制备及性能研究

采用复合溶胶凝胶法制粉技术结合传统陶瓷制备工艺，制备了（1-x）BaTiO3-xLiNbO3陶瓷，并对其晶相特征、介电及压电、铁电性能进行了研究。在1250℃下烧结的陶瓷形成了单一相的钙钛矿结构固溶体，该固溶体在20-40℃之间存在二级相变，介电常数及介电损耗出现异常变化。陶瓷的铁电、压电性能随LiNbO3的加入得到显著提高。LiNbO3加入量为0．005mol的陶瓷压电常数d33为121pC／N，剩余极化强度为2．8μC／cm^2。     

Sm掺杂对Ba4La19.33Ti18O54陶瓷结构和介电性能的影响分析

主要研究了不同Sm掺杂浓度对Ba4La19.33Ti18O54陶瓷的微波介电性能和微观结构的影响。首先利用常规固相反应技术制备了Sm含量y分别为0、0．1、0．3、0．5和0．7的5种Bat（La1-y,Smy）9.33T18O54陶瓷样品;室温下在0．373．0GHz频率范围内,利用网格分析仪测量了这些样品的介电常数和介电损耗因子;结果表明随着Sm掺杂含量的增大,样品介电损耗明显减小,而介电常数只有微小减少。当Sm掺杂含量y=0．5时,样品的介电性能最好。此外,还利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜研究了样品的微观结构及随微波介电性能的变化。     

Effects of composition and stacking sequence on dielectric properties of the multilayered (Pb,Sr)TiO3 thin films for tunable device application

Multilayered (Pb_1−xSr_x)TiO₃ (PST(x)) thin films consisted of uniform, PST(x) and heterostructure, PST(x)–PST80 were synthesized by coating the solutions with different Sr contents (50 ≤ x, Sr(mol%) ≤80), respectively. Their structural and dielectric properties were investigated in terms of composition and stacking sequence of each film. Among uniform PST(x) thin films, the PST60 films showed the highest dielectric constant and tunability, while so lower figure of merit which is an important parameter for microwave tunable device application was obtained due to relatively higher dielectric loss. In an effort to bring down the dielectric loss, the PST(x) thin films were alternately coated with PST80 thin layer. Dielectric properties of the heterostructured PST(x)–PST80 films were found to be dependent on the intrinsic dielectric values of each film composition and corresponding phase transition temperature shift effect. Furthermore, surface roughness became smoother by inserting PST80 thin layer, resulting in decrease in dielectric loss. In case of the PST60–PST80 heterostructured film, despite of slight decrease in tunability, the figure of merit on account of lowered dielectric loss was effectively improved (>40%), compared to that of the uniform PST60 film.     

仲氨基笼型倍半硅氧烷改性室温固化环氧树脂的研究

采用直接水解法合成了氨丙基笼型倍半硅氧烷(OapPOSS)。为了改善POSS与环氧树脂的相容性和分散性,在OapPOSS基础上制备了仲氨基笼型倍半硅氧烷(SaPOSS),并将其用于E-51/脂肪胺室温固化环氧树脂改性,研究了SaPOSS对环氧树脂力学性能、玻璃化转变温度、介电性能的影响。结果表明:SaPOSS能显著提高树脂的冲击性能和耐热性,降低介电常数和介电损耗。当SaPOSS加入量为3%时,环氧树脂的冲击强度从原来的20.5kJ/m2,提高到了29.7kJ/m2,玻璃化转变温度从113℃提高到117℃,扫描电镜的观测结果与力学性能的变化趋势相一致。当SaPOSS加入量为5%时,介电损耗从原来的0.035降到了0.024,介电常数也有大幅下降。     

Suppression of Liquid Film Migration and Improvement of Dielectric Properties in Niobium-Doped Strontium Titanate

In an attempt to improve the dielectric properties of SrTiO₃-based boundary-layer capacitors (BLCs), the effects of infiltrant composition on the liquid film migration and dielectric properties in 0.2-mol%-Nb₂O₅-doped SrTiO₃ were investigated. Powder compacts were sintered at 1480°C for 5 h in 5H₂·95N₂ and infiltrated with 80Bi₂O₃·20( x CaO–(1 – x )BaO) at 1300°C for various times in air. When the value of x was 0, 0.2, 0.7, and 1.0, liquid film migration occurred, which formed a new solid-solution layer containing solute species. On the other hand, when x = 0.5, no liquid film migration was observed. The effective dielectric constant was the highest in the sample with x = 0.5 (no liquid film migration), and it decreased as the migration distance increased. In addition, the loss tangent was the lowest, <1%, in the sample with x = 0.5. Agreement between the estimated effective dielectric constants and the measured values showed that the suppression of liquid film migration improved the dielectric constant. The agreement further indicated that the prediction of the dielectric constant in SrTiO₃-based BLCs was possible using a two-layer model with a liquid-infiltrated layer and a SrTiO₃-based oxidized layer.     

方波溶出法分析铜锌含量的研究

应用方波溶出伏安法,玻炭汞膜电极为工作电极对铜、锌测定进行了研究。在NH3-NH4Cl体系中,得出铜对锌测定最低影响浓度为5×10^-6 mol/L,低于此浓度时,适合单一锌离子标准曲线ip（10^-6A）=0.609 1 c（10^-5 mol/L）＋4.1495,r=0.995 4;锌对铜测定最低影响浓度为5×10^-3mol/L,铜在含锌5×10^-5 mol/L时适用标准曲线ip（10^-5A）=0.662 2 c（10^-5 mol/L）＋0.966 5,r=0.995 2,铜在含锌低于10^-7 mol/L时适用单一铜离子的标准曲线ip（10^-5A）=0.891 2 c（10^-5mol/L）＋0.848 5,r=0.992 0,同时测得回收率为94%～97%     

Gd_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同量Gd2O3(分别为0 001、0 002、0 003、0 005、0 007mol mol)的BaTiO3陶瓷,并对其电性能进行了研究。结果表明:Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的电阻率明显下降,当添加量为0 002mol mol时,电阻率最小,为1 27×105Ω·m;晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,而且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明Gd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的PTC效应是一种晶界效应;Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电常数和介电损耗在低频时明显增大,在高频时又明显降低。     

Preparation and Properties of （Na0.50＋xK0.50-2xLix）Nb0.9Ta0.1O3 Lead-Free Piezoelectric Ceramics by Sol-Gel Method

采用溶胶–凝胶法制备Li＋取代（K0.5Na0.5）＋及Ta5＋取代Nb5＋的（K0.5Na0.5）NbO3陶瓷粉体,采用无压烧结工艺制备（Na0.50＋xK0.50–2xLix）Nb0.9Ta0.1O3（x=0,0.02,0.04）陶瓷样品。研究了前驱体煅烧温度对陶瓷粉体物相组成的影响。分析了不同Li＋掺杂量对样品物相组成、微观结构、体积密度及电学性能的影响。结果表明：前驱体的最佳煅烧温度为600℃,通过透射电子显微镜分析陶瓷粉体的粒径为49nm;不同Li＋掺杂量制备的（Na0.50＋xK0.50–2xLix）Nb0.9Ta0.1O3陶瓷样品均为正交相钙钛矿结构;随着Li＋掺杂量的增加,（Na0.50＋xK0.50–2xLix）Nb0.9Ta0.1O3陶瓷的体积密度先增大后减小,介电常数逐渐升高,压电常数先降低再升高,剩余极化强度逐渐升高。Li＋掺杂量x为0.04时样品的压电常数（d33=94pC/N）、相对介电常数（εr=684.33）及剩余极化强度（Pr=98.27μC/cm2）较好。     

反相高效液相色谱法测定人尿中多种多环芳烃代谢物

建立了用反相高效液相色谱-紫外检测法同时检测人尿中6种多环芳烃羟基代谢产物的新方法。采用DiamonsilTMC18(5μm,150 nm×4.6 nm)色谱柱分离,以V(甲醇)∶V(乙酸钠缓冲液)=66∶34为流动相,在波长280 nm检测,流速为0.95 mL/min。结果表明,当9-羟基菲、α-萘酚、β-萘酚、1-羟基芘、2-羟基芴和9-羟基芴的摩尔浓度分别为0.105~500.0μmol/L,0.106~135.0μmol/L,0.120~135.0μmol/L,0.085~50.00μmol/L,0.094~200.0μmol/L和0.101~200.0μmol/L时,峰面积与质量浓度呈很好的线性关系,相对标准偏差分别为2.5%~4.4%,2.1%~4.3%,2.3%~3.2%,1.7%~3.9%,1.9%~2.6%和1.8%~3.5%(n=6),平均回收率分别为92.6%,100.4%,101.0%,91.0%,106.7%和95.5%。方法准确可靠,用于尿样测定,结果满意。     

聚氨酯弹性体介电性能的研究

通过对比不同种类、不同相对分子质量多元醇以及不同异氰酸酯,研究了聚氨酯弹性体(PUE)结构与材料介电性能(体积电阻率、介电常数、介电损耗)的关系。结果表明,当多元醇种类变化时,聚氧化丙烯二醇(PPG)型PUE介电损耗最大;聚四氢呋喃二醇(PTMEG)型PUE、介电常数、介电损耗都最小;聚己内脂二醇(PCL)型PUE体积电阻率和介电常数最大。当多元醇相对分子质量增加时,PUE体积电阻率减小,介电常数和介电损耗增加;二苯基甲烷二异氰酸酯/1,4-二羟基丁烷(MDI/BDO)型PUE与甲苯二异氰酸酯/3,3’-二氯-4,4’-二氨基二苯甲烷(TDI/MOCA)型PUE相比,体积电阻率更低、介电常数和介电损耗更高。     

D311B型阴离子交换树脂吸附Cr（Ⅵ）的研究及应用

以去除模拟浓缩果汁中的Cr（Ⅵ）为目的,研究了D311B型阴离子交换树脂对Cr（Ⅵ）的吸附性能。实验发现,D311B型阴离子交换树脂在弱酸性条件下（pH在1~4的范围内）对Cr（Ⅵ）具有较强的吸附选择性,等温吸附曲线符合Freundlish等温方程。1.0 g树脂对50 mL浓度为100μg/mL的Cr（Ⅵ）标液的吸附率达74.2%,最大吸附量为3 710μg/g;K＋、Na＋、Ca2＋、Mg2＋、Cl-、SO42-等常见离子等质量浓度对铬吸附无干扰。负载Cr（Ⅵ）的树脂可用1 mol/L的NaCl溶液解吸,解吸后的树脂可再生利用。采用静态吸附方法,0.5 g树脂对50 mL浓度10.0μg Cr（Ⅵ）/mL模拟浓缩果汁,Cr（Ⅵ）的一次去除率可达91.5%。