纳米晶粒Ag—TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜，在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右，粗糙度也为纳米量级，同时在大气及室温条件下，在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态作用点的直径为为70nm.     

Ag-TCNQ薄膜电双稳态特性的XPS研究

本文采用X光电子谱仪 (XPS)研究了Ag TCNQ薄膜的电双稳态特性。对TCNQ粉末、热处理前后的TCNQ薄膜及Ag TCNQ薄膜作了分析。结果发现 ,真空蒸镀及大气环境中热处理不会引起TCNQ化学状态的变化 ,而热处理会促使Ag与TCNQ发生反应 ,薄膜电双稳态特性的优劣则与反应程度有关。最后讨论了这一现象的可能机理     

电双稳薄膜阻抗转变机理研究

采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag-TCNQ金属—有机络合物薄膜，并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应，即当外电压超过某一阈值后，完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排，致使电导率发生跃变。     

一种具有电双稳特性的聚合物薄膜

发现了在室温下具有电双稳特性的聚合物材料聚对萘二甲酸乙二酯(PEN)。通过真空蒸发方法制备的PEN薄膜,其表面晶粒尺寸小于100nm,粗糙度也为纳米量级,而且具有较高的热稳定性。在3．5V电压作用下,PEN薄膜可从高阻状态跃变到低阻状态,跃迁时间小于20ns。该材料有可能用于大容量存储器的制作。     

一种制备金属有机电双稳薄膜的新方法

提出了一种真空蒸发和电化学反应相结合的技术来制备金属有机络合物电双稳薄膜的新方法。利用该方法制备的Ag—TCNQ薄膜具有均匀的电双稳特性,其跃迁闽值电压4．5V,跃迁时间小于20ns。同时该方法还兼顾了真空反应蒸发方法表面平整度高和化学溶液法化学配比严格的优点。因而该方法在微电子器件、分子电子器件和海量存贮器的制备中有着广泛的应用前景。     

酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性

一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性.通过对CuPc有机薄膜器件的,I-V曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性.研究了膜厚对器件I-V特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750 nm器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51V.Ag底电极器件的转变电压(9.6V)与ITO底电极器件的转变电压(7.47V)不同,简要分析了造成这种区别的原因.并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释.     

纳米晶粒PLT（28）薄膜的制备和性能研究

本文首先报道了纳米晶粒ＰＬＴ（２８）薄膜的制备，并研究其微结构、铁电、电光性能，讨论不同热处理条件对薄膜微结构的影响，以及晶粒尺寸与电光性能的关系。     

K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同.但不同的是,在300K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性.因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景.     

制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响

采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电压的分散性小于10%,延迟时间基本小于5μs,转变时间在20ns左右).Al/PAR/Al结构可以简单等效为电阻与电容的并联,而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定.     

K（TCNQ）薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下，首次利用固态化学置换反应制备了K（TCNQ）薄膜，其分子结构与已报道过的K（TCNQ）单晶、多晶相同。但不同的是，在300K以上，K（TCNQ）薄膜具有可逆的双稳特性。因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景。     

有机电双稳材料与器件的研究进展

由于有机分子材料和聚合物材料本身的各种优良性质,用其取代传统的无机半导体材料来修饰电信号具有非常广阔的研究前景.本文简要介绍了近年来有机电双稳材料与器件在电存储方面的研究进展,并讨论了有机电双稳器件(OEBD)目前存在的问题以及今后发展的方向.     

沸腾回流强迫水解法制备纳米TiO2微粒

本文采用沸腾回流强迫水解法,以硫酸钛为原料,制备出了二氧化钛钠米微粒,燕利用红外光谱透射电镜及Ｘ光晶体衍射对其进行了表征。结果表明,利用该方法可以在较高的钛盐浓度下「Ｔｉ＾４＋浓度可达０．１ｍｏｌ．Ｌ＾０１」制备出均分散圆球状的二氧化钛纳米微粒,粒径大小为２０－３０ｍｍ。     

单一有机材料PAN的电双稳特性及其应用

发现单一有机材料 1 (2吡啶偶氮 ) 2 萘酚 (PAN)在室温下即具有电双稳特性。在真空中制成的薄膜 ,两边在数伏电压的作用下 ,即可从高阻态变为低阻态 ,且跃迁时间小于 10ns。由此可作为功能材料用于非易失性存贮器和过电压保护器等     

一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应

报道了一种新的高稳定的有机分子(SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物.由这种材料制成的薄膜,在室温6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态,其跃迁时间小于20ns,并具有极佳的热稳定性.因此可望用于制作电子器件,如一次写入存储器(WORM)等.进一步的研究还发现,在适当的工艺条件下,SCN能够与Cu和Al一起构成Cu-SCN-Al结,这种结具有极性记忆效应,即只能被单向驱动.     

双稳系统的振动共振及特性分析

基于非线性双稳系统受高、低两种不同频率作用的双时间尺度特性和谐波平衡法，解析地分析了双稳系统对低频信号响应的幅值与高频信号参数、系统参数之间的关系，表明系统响应的幅值随高频信号或系统参数的变化并非单调，而是存在着称之为振动共振的极大值。基于这些参数与共振曲线的关系，提出了共振状态下的频率特性。理论近似解析分析的结论与数值仿真计算的结果基本一致。     

纳米／微米复合颗粒的制备及其应用研究进展

纳米／微米复合技术是粉体表面改性的重要方法,通过微米粉体表面纳米化修饰,不仅能有效解决纳米粒子易团聚的难题,同时还能赋予微米粉体新的功能,提高其附加价值。为此,重点综述了纳米／微米复合粒子制备的主要方法,简述了其在复合材料、固体推进剂等领域的应用,并对其今后的发展方向进行了讨论。     

WO_3-TiO_2纳米材料的制备及其光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备WO3-TiO2纳米复合材料,并用透射电镜和X射线衍射对所制备材料进行表征和分析。以WO3-TiO2纳米材料为光催化剂对甲基橙进行光催化降解处理,研究WO3的掺杂量、煅烧温度、光照时间等因素对甲基橙降解率的影响。结果表明:在紫外灯照射下,使用w(WO3)=3%、550℃下煅烧得到的WO3-TiO2纳米复合粉体0.02 g,甲基橙溶液20 mL(ρ=5 mg/L,pH=4),光催化3 h后,甲基橙降解率达到94.93%。     

P型SnO TFTs制备及其电学性能研究

采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件。研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题。研究发现预溅射5 min、氧气比例为13%、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管。器件开关比可达到6.2×10³,亚阈值摆幅为9.96 V·dec^-1。通过延长退火时间至2 h,可以大幅提高线性区迁移率至1.61 cm²·V^-1·S^-1,且亚阈值摆幅仅增大了0.54 V·dec^-1。通过延长预溅射时间至8 min,可以大幅提高p型SnO薄膜晶体管的载流子迁移率,器件线性区迁移率为5.25 cm²·V^-1·S^-1,饱和区迁移率为0.43 cm²·V^-1·S^-1。