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1.
介绍了日本松下电工生产的可编程控制器FP-1的通信协议MEWTOCOL-COM,以实例说明了利用VB5.0实现微机与可编程控制器串行通信的方法。 相似文献
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用MOV作变压器绕组内保护的试验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对用MOV作变压器绕组内保护的原理,接入方式,限压规律进行了理论和试验研究,并用相似理论对超高压大容量变压器进行降压真型试验,获得了宝贵数据,证实用MOV保护的优异效果。 相似文献
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本文提出一种能改善小信号转换精度的CMOS全波整流电路。该电路通过对执行电压-电流转换任务的P-MOS和N-MOS晶体管施加偏置电压,且偏压数值近似等于各管的阈电压VTP和VTN,从而克服了CMOS整流中"死区"较大和阈电压失配造成的影响。模拟电路的测量结果表明,该电路对0.1mV级的输入信号也有线性度极好的转换特性。 相似文献
4.
叙述了以31.5MVA变压器为例,采用变压器π型等值电路、具体计算、分析带负荷调压变压器的调压特性(阻抗三角形的谐振调压特性、导纳对地支路的无功变化调压特性、带负荷切换分接头调压特性),同时,也说明了其物理概念 相似文献
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姚孟电厂500kV联变B相故障的检查与处理陈立新(河南省平顶山姚孟电厂,平顶山467031)1联变的基本技术参数姚孟电厂3×25MVA/500kV联变系由法国ALSTHOM公司进口的。其基本技术参数如下:型式:单相、户外、强油风冷、有载调压自耦变压器... 相似文献
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110kV 无分压型光纤电压互感器的研制 总被引:10,自引:1,他引:9
介绍一种新型的用于110kV以上高压光纤电压互感器的原理、系统及有关试验结果。它不用电容分压,以110kV以上的高电压直接加到BGO晶体上,采用硅橡胶复合绝缘瓷套作高压绝缘支撑,内充SF6绝缘气体。该互感器体积小、重量轻、输入阻抗高,在80%~120%UH测量范围内,其相对误差在±0.2%以内;SF6压力在0.20~0.30MPa范围内变化时,其相对误差在±0.15%以内;运行稳定性在±0.3%以内;并通过了继电保护的动态模拟实验。 相似文献
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千瓦级质子交换膜燃料电池 总被引:11,自引:2,他引:11
成功地组装了35对千瓦级质子交换膜型燃料电池。电池采用表面改性的金属双极板;氢气采用内增湿,冷却水排热;采用美国杜邦公司的Nafion117质子交换膜,热压法制备膜电极三合一电极;采用碳载铂为电催化剂,铂担量为0.4mg/cm2;电池组工作温度为室温~100℃,H2工作压力/O2工作压力为0.25MPa~0.45MPa/0.30MPa~0.50MPa;电池组输出功率为1kW~1.5kW,电池组输出电流为40A~69A,输出电压为27V~23V,电极工作电流密度为300mA/cm2~530mA/cm2,电池组能量转化效率为52%。 相似文献
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35—220kV敞开式变电所采用金属氧化物避雷器保护距离的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用ATP(微机版EMTP)程序对35-220kV敞开式变电所,在不同出线方式下雷电侵入波过电压和了计算研究。通过对比分析金属氧化物避雷器MOA与普通阀式避雷器(FZ)的保护效果,给出了(MOA)保护电气设备的最大距离。 相似文献
10.
我公司110kV八步变电站装置1×63+1×31.5MVA二台三卷主变、带有载调压、负荷功率因数低,1995年全年主电源110kV两回线送入年平均加权cosφ=0.78。为了改善电压质量,降低网损,就地补偿系统无功不足,1996年6月投入第Ⅰ组10k... 相似文献
11.
张尊儒 《电力电容器与无功补偿》1999,(2)
我公司110kV八步变电站装置1×63+1×31.5MVA二台三卷主变、带有载调压、负荷功率因数低,1995年全年主电源110kV两回线送入年平均加权cosφ=0.78。为了改善电压质量,降低网损,就地补偿系统无功不足,1996年6月投入第Ⅰ组10k... 相似文献
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本文用电磁暂态程序对安徽电网即将建设的500kV阜阳东-洛河-滁州系统的内部过电压进行了预测分析,提出该500kV系统不必装设高压电抗器,断路器可以取消合闸电阻,仅用MOA就可把合闸操作过电压限制以2.0p.u以下。 相似文献
13.
日本特高压系统过电压和绝缘配合 总被引:17,自引:1,他引:16
日本电力部门对特高压(UHV)系统过电压和绝缘配合提出了以下新措施和新观念:最大工频过电压虽为1.5pu,但采用继电保护缩短了工频过电压的持续时间(<0.2s),金属氧化物避雷器(MOA)的额定电压可选用1.3pu;采用高速接地开关消除潜供电流,重合闸无电流间隙时间小于1s;断路器和隔离开关均装有分闸、合闸电阻;采用压比特别低的MOA;UHV线路为同杆双回,采用平衡高绝缘,逆相序,负保护角;为限制变电站侵入波过电压,使用较多的MOA。日本成功地把过电压限至相当低的水平,对1100kV设备的冲击试验电压仅仅相当一些国家对750kV设备的要求。 相似文献
14.
介绍了利用VDMOSFET的寄生pn结二极管Dsd作为温敏元件来测量功率VDMOS管热阻抗的方法,给出了温敏参数中温度系数和几类功率VDMOS管瞬态热阻抗的测量结果,讨论了对热阻抗测量准确度有较大影响的四个因素,其结果,在一定条件下进行的瞬态热阻抗测量可用来监测VDMOS管的芯片粘接质量和用作功率VDMOS管的快速热筛选。 相似文献
15.
针对220KV级有载调压电力变压器,分析了传统结构的调压线圈的环流损耗问题。通过实例计算说明,对于三相150MVA变压器调压线圈中的环流损耗已达该线圈直流电阻损耗的35%。并指出了调压线圈结构改进的必要性和改进方案。 相似文献
16.
文章介绍MOA事故特征和预防MOA事故的简便方法,并根据MOA扔U1mA和0.75U1mA下Id这两个参数在伏安特性曲线小电流区的特点,较详细地分析了它们与MOA事故特征的关系,进而提出了用测定这两个参数的变化情况可以有效地预防MOA事故的论据,同时也对MOAU1mA和0.75U1mA的含义和概念提出了见解。 相似文献
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对淡水低电导介质火电厂凝汽器的电化学保护防腐蚀技术进行了研究。根据阴极保护技术的原理和实践,先在实验室进行了有关电化学试验,然后在模拟实验台上研究凝汽器阴极保护的方式和保护参数的范围,最后在12MW机组上进行了现场试验并 磁 式自动恒电位仪和铂铌辅助阳极。试验结果表明:淡水低电导介质 阴极保护宜采用外加电流式:保护电位范围为+0.40-+0.10V,保护电流为1.0-2.5A;合理的电极定位和适当 相似文献
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研制出一种高可靠性、具有过流自保护功能的高压大功率VDMOSFET器件,它采用与常规VDMOSFET工艺相同,结构不同的设计。该器件的漏=源击穿电压大于200V〈正常工作电流大于2A,过流自保护小于4A,它能大大提高应用的可靠性。 相似文献
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讨论了MCT的结构设计及耐压设计。通过对结构参数的最佳化选择,制造出开关电流9A,耐压900V的MCT芯片。n沟MOS阈值电压为2V,p沟MOS阈值电压为-5V。当门极加-7V电压时,其关断电流密度为220A/cm^2。 相似文献