一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器

本文描述一种由MOCVD生长的GaAs/GaAlAs 分别限制单量子阱片子制作的锁相列阵大功率激光器.由十个单横模器件耦合而成的列阵器件,其阈值电流为67mA,线性输出功率大于500mW,微分量子效率达60％.列阵器件由强耦合区和弱耦合区构成,考察了强耦合区的几何结构对耦合模即输出远场分布的影响.     

均匀分布锁相列阵半导体激光器的微扰理论

本文从宽接触半导体激光器的简单模型出发,运用微扰理论分析了均匀分布锁相列阵半导体激光器的侧模行为。分析表明,对增益导引、折射率导引锁相列阵,器件一般以N阶模工作,但在增益导引列阵中将会出现大于N的高阶模。反折射率导引均匀分布锁相列阵可获得基侧模工作,其远场由于周期性微扰的作用表现为三瓣,能量主要集中于中心瓣上。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

梯形凸台衬底内条形半导体激光锁相列阵

在P型GaAs梯形凸台衬底上,利用一次液相外延技术,研制出内条形半导体激光锁相列阵.在直流工作条件下,单面最大输出功率超过136mW,平行于结平面方向远场半角宽度2.1°,器件最高激射温度超过80℃.     

光泵用大功率半导体激光器列阵

本文报导工作波长适合于泵浦掺Nd固体激光器的GaAIAs/G&As激光锁相列阵。采用氧化物掩蔽和Zn扩散条形结构工艺,获得了十单元列阵器件。其工作波长为809±5nm,输出功率大于200mW。已用于Nd∶YAG和Nd玻璃激光器的泵浦。     

人造金刚石热沉的锁相列阵半导体激光器热特性计算分析

用镜象法求解金刚石薄膜和铜组成的热沉中的热传导方程,计算了不同厚度金刚石薄膜对器件温升和各条间温差的影响。     

锁相激光列阵的自成像补偿法孔径装填

锁相激光列阵产生多旁瓣的远场衍射花斑,本文提出了用列阵的Talbot衍射自成像转化为等幅相位分布的概念,并用相位补偿使旁瓣能量转移到主光瓣,实现了孔径装填.     

外腔锁相二极管激光列阵超模的阈值分析

利用耦合矩阵本征值求得了外腔锁相二极管激光列阵的各阶超模所应满足的阈值条件 ,研究了激光器前端面剩余反射和外腔长度对各阶超模阈值增益的影响。在无剩余反射的理想情况下 ,阈值增益曲线随外腔长度变化缓慢 ,从而可以通过选择外腔长度使DLA稳定运行在最高阶或最低阶超模 ;在有剩余反射时 ,外腔长度在波长范围内的变化都可能使DLA在最高阶和最低阶模式之间交替运行     

半导体大光腔激光器列阵

本文报告了一种具有实用价值的半导体大光腔激光器列阵,介绍了该器件的两种典型结构和基本特征,以及设计思想,制作工艺等.该器件阈值电流为2-4A,峰值功率为75-100瓦,是目前国内列阵器件的最高水平.     

透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器

本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。     

高功率GaAlAs／GaAs量子阱SCH半导体激光器

利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测试结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管,室温连续工作,功率为１Ｗ,斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。     

增益导引(1×10)列阵波导CO_2激光器的实验研究

1 引言 列阵波导激光器的发展旨在提高激光功率的同时使器件的几何尺寸更加紧凑。以往的实验表明,空心脊波导结构在三列阵以上时便难以获得波导间相位的完全锁定,而交叉波导结构除外加相移波片外,也只能获得反对称模输出。 本文报告一种新结构的列阵波导CO_2激光器。其基本思想与增益导引半导体激光器列阵是一样的,即在波导中通过空间上为周期分布的增益区来获得列阵激光束,由相邻光束间辐射场的耦合来实现相位的同步锁定。     

腔面低反射大功率半导体激光器阵列

光束质量问题是制约半导体激光器应用的主要因素,采用出光面蒸镀低反膜LD阵列半导体激光器阵列锁相技术较好地解决了这个问题.本文设计并制作了高反膜系和极低反膜系,获得了高阈值的LD阵列.本文的低反膜系有大的带宽和小于0.2%的剩余反射率,易于工艺实现,LD阵列的阈值电流密度达到480A/cm2.     

GaAs/GaAlAs active-passive-interference laser

A GaAs/GaAlAs interference laser with an active and a passive section is reported. A very clean single longitudinal mode is obtained and maintained without mode hopping over about 10°C, which results from the combined effect of interference and real index waveguiding in the lateral direction.     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs／GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD—SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体，使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜，使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29％、71％提高到90％以上，进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。     

阵列半导体激光器光束准直设计

根据变折射率介质对光束自动聚焦特点,并利用光线微分方程,设计了阵列变折射率介质棒准直阵列半导体激光束,计算机仿真表明,该准直系统能达到较为理想的准直效果,其准直结果可达3mrad～4mrad。     

夜视系统用GaAs/GaAlAs半导体激光器

利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ 夜视系统用光源。样品质量达到了设计要求。测量结果表明,样品在１０ Ｋ 下的光荧光谱的峰值波长为９２６ ．２６ ｎｍ 。利用该材料制作的激光二极管,其峰值输出功率达到１５ Ｗ。