海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2 GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技     

更快更省电的内存技术

移动内存技术 Rambus的移动内存（Mobile Memory Initiative）技术,计划为高带宽、低功耗的内存技术提供解决方案,能达到4.3Gbps的数据传输率,功耗每秒3mw．提供设计人员透过单一移动DRAM装置．实现每秒超过17 Gigabytes的内存带宽。这些技术推动的内存架构将可符合新一代智能型手机、小笔电、便携式游戏机和便携式媒体产品等应用需求。     

更快更省电的内存技术

移动内存技术 Rambus的移动内存（Mobile Memory Initiative）技术．计划为高带宽、低功耗的内存技术提供解决方案，能达到4．3Gbps的数据传输率，功耗每秒3mW，提供设计人员透过单一移动DRAM装置，实现每秒超过17 Gigabytes的内存带宽。这些技术推动的内存架构将可符合新一代智能型手机、小笔电、便携式游戏机和便携式媒体产品等应用需求。     

存储器市场回顾与展望

惨淡经营的2001年 据统计,2001年世界范围内计算机芯片的销量下降了三分之一,世界半导体市场规模由2000年的2270亿美元,剧减到2001年的1520亿美元,减幅高达33％,各厂家半导体销售额无一例外都大大下降。而去年在历经2000年通信和网络业的风光后,更突显低迷的窘境。 这其中存储器市场的不景气显得尤为突出。因PC内存的用量占DRAM总产量的60％以上,PC的出货量左右着DRAM的需求。近十几年来,PC所消费的内存芯片数量以每年60％的速度增长。然而,在经历了长达15年的增长之后,2001年的PC出货量出现了首次下滑趋势,全球共售出1.28亿台PC,同比下降了4.6％。PC的不景气导致内存市场的剧烈下滑。2001年全球DRAM芯片的销售额比2000年的315亿美元减少55.5％,只有140亿美元,芯片的平均价格下降了90％,128M标准内存的价格一度     

市场趋势

Q2 DRAM内存市场销售环比增长34%据市场研究公司iSuppli称,2009年第二季度全球DRAM内存芯片的销售收入达45亿美元,比今年第一季度的34亿美元增长了34%。今年第一季度全球DRAM内存芯片的销售收入比去年第四季度下降了19%。不过,与去年同期相比,第二季度的DRAM内存芯片的销售收入下降了33.5%。     

DRAM今年市场前景依然暗淡

2006年全球DRAM内存市场将比2005年稍有下降。全球DRAM内存2006年的销售收入预计将达到239．7亿美元，比2005年的252．5亿美元下降5．1％。然而，2007年全球DRAM内存市场的销售收入预计将反弹，比2006年增长12％，达到2680亿美元。     

三星将大批量生产30纳米DDR3DRAM内存芯片

三星电子近日称,30纳米DDR3DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。2GBDDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电量减少了30％,生产成本效率提高了一倍多。三星用于笔记本电脑、台式电脑和服务器的2GBDDR3内存芯片只使用1．5伏或1．35伏电源。     

RAMBUS推出新一代移动内存技术

Rambus发表其创新移动内存（Mobile Memory Initiative）技术。这项技术开发计划聚焦于高带宽、低功耗的内存技术，目标为在同等级最佳能源效率下，达到4．3Gbps的数据传输率。此卓越效能可协助设计人员透过单一移动DRAM装置，实现每秒超过17 Gigabytes的内存带宽。这些技术推动的内存架构将可符合新一代智能型手机、小笔电、便携式游戏机和便携式媒体产品等应用需求。     

三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%

三星电子20日宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,此芯片为'全球最小'的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。与第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%。     

Micron：DRAM领域的新赢家

成立于1978年的美国美商美光科技(Microntechnolgy)公司,总部设在美国爱达荷,公司成立之初是一家只有4名员工的半导体设计公司,公司主要生产和销售DRAM、快速SRAM、闪存及其他半导体组件及内存模块。1994年,美光公司通过了ISO9001国际认证;1999年,一跃成为全球最大的DRAM内存供应商之一,《财富》500强之一,拥有员工近2万名;2000年,公司在全球DRAM市场领域排名第2,销售额约60亿美元,占全球总销量的20.6％。据2001年3月结束的第二财季统计结果,公司总资产已超过     

Intersil举办研讨会 免费传输模拟知识

奇梦达股份公司近日宣布，该公司正在批量生产DDR2全缓冲内存模组（FB—DIMM）。全新FB—DIMM将用于英特尔Bensley服务器平台，规格包括容量从512MB～4GB的533MHz和667MHz内存模组。此外，奇梦达是全球主要服务器OEM厂商，例如戴尔、惠普、富士通西门子和IBM等的关键合作伙伴。奇梦达的总体目标是面市后赢得服务器内存市场50％左右的份额。FB-DIMM是由高级内存缓冲（AMB）芯片、DDR2DRAM芯片和一款专有散热器构成，这些均由奇梦达提供。     

全球半导体市场:上半年触底,下半年反弹

SIA发表研究报告指出,因受DRAM和内存市场疲软的影响,2008年全球半导体市场销售额将为2666亿美元,全年市场的增幅为4.3%。2009年增长率在6.0%以上,达2832     

内存市场升级换代明年1GBDDR2芯片将成主流

目前1GbDDR2内存芯片价格已低于2美元以下，这将进一步加快电脑内存的升级速度。随着市场变化，在2008年第2季度之前，1GbDDR2芯片将成为内存主流市场标准。[第一段]     

第三季总营收大幅衰退19.4％，唯三星DRAM市占率逼近45％持续攀升

根据集邦科技（TrendFOrCe）旗下研究机构DRAMeXchange调查．全球DRAM产业于第三季度营收总计为约65．66亿美元．由于总体经济持续疲弱、供过于求情况加剧．导致第三季DDR32Gb合约价均价下跌35％,第三季总营收与上季相较大幅衰退19．4％．除了三星半导体外．其余内存厂商皆缴出赤字财报．DRAM产业正式迈入另一波市场黑暗期。     

爱立信与意法半导体成立合资公司

意法半导体与爱立信2008年8月20日宣布合作协议,将整合爱立信移动平台（EMP）与ST-NXP Wireless公司．成立一家合资公司。由双方各持50％股份的合资公司将拥有移动应用市场上最强的半导体与平台产品阵容,并将是诺基亚、三星、索尼爱立信、LG和夏普的重要供应商。     

第三季度移动DRAM爆发,出货量大增

据IHS iSuppli公司的DRAM市场动态简报,第三季度移动DRAM市场爆发,厂商抓紧为平板电脑和智能手机生产内存芯片,迎接圣诞销售旺季。但不是所有供应商都表现同样良好。第三季度移动DRAM的全球出货量环比大增37%,这是两年来的最佳表现。在之前的八个季度,增长率最低达负3%,最高是24%,如图3所示。但直到最近,还没有一个季度的增长率能够接近46%,这是2010年第三季度创出的移动DRAM出货量增长率。     

爱立信与意法半导体成立合资公司

意法半导体与爱立信于8月20日对外宣布合作协议,将通过整合爱立信移动平台（EMP）与ST—NXP Wireless公司,成立一家合资公司。由双方各持50％股份的合资公司将拥有移动应用市场上强大的半导体与平台产品阵容,并将是诺基亚、三星、索尼爱立信、LG和夏普的重要供应商。     

瑞萨电子推出新一代1.1Gb内存装置

瑞萨电子宣布,将专为网络设备,包括新一代Ethernet标准（100GbE）以上之交换器及路由器,推出1.1Gb内存装置。新款的网络内存装置,在单一芯片中结合了低耗电量、超大容量及高速传输等特色．相较于瑞萨电子现有的288Mbit低延迟DRAM装置,新版装置的内存容量高出四倍,高速数据读写的随机循环效能提高了30％．而运作频率更提升两倍。     

奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议

奇梦达公司（Qimonda）与中芯国际集成电路公司目前宣布签署协议，扩大双方于标准内存芯片（DRAM）的技术合作。根据该项协议，奇梦达将转移其80nm DRAM沟槽技术给中芯国际位于北京的12英寸晶圆厂。中芯国际将运用此技术，为奇梦达制造针对各种计算机运算应用的专属DRAM组件。     

2011年移动式内存与云计算需求大增长

根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查,2011年全球PC增长率约10%,预估其单机平均内存搭载量将增长至3.9GB,倘若标准型DRAM产能不断开出下,市场始终有供过于求的疑虑,各DRAM无不思索未来的方向,将标准