用于正电子湮没寿命谱仪的探测器

一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器，该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器，与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同，本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器，在停止道探测器的闪烁体中央，有一圆形井，放置测量样品与22^Na正电子放射源。     

高纯锗探测器的快定时性能及其应用

为了将高纯锗（ＨＰＧｅ）探测器用于快定时的物理实验中，本实验研究厂影响高纯锗探测器定时谱仪时间性能的各种因素，找出了获得谱仪最小时间分辨的各种最佳参数。并建立了分辨时间为４．１９ｎｓ，能量分辨率为２０ｋｅＶ，微分非线性好于±２．０％，计效率可承受１２０×１０￣３ｓ￣（－１）的时间微分扰动角关联谱仪。利用此谱仪，以￣（２０４）Ｂｉ为探针核，研究了Ｂｉ系高温超导的微观机理，取得了较好的结果。     

GASP—在束γ装置

本文介绍了一套大型在束γ谱仪－ＧＡＳＰ，它属于意大利国家核科学院（ＬＮＦＮ）ＬＮＬ实验室。谱仪主要包括：４０个带ＢＧＯ康普顿抑制器的ＨＰＧｅ探测器，８０个ＢＧＯ滤波器探测器以及４０个△Ｅ和４０个Ｅ带电粒子探测器。ＧＡＳＰ还可与一台该实验室现有的反冲质量谱仪ＣＡＭＥＬ进行符合测量实验。在当时，这是世界上最先进的一套原子核结构研究的实验设备。     

HPGe低本底反康普顿γ谱仪

本文报道了以ＨＰＧｅ为主探测器的低本底反康普顿γ谱仪，该谱仪以环形和圆柱形ＮａＩ（ＴＩ）组成阱型反符合屏蔽探测器，以钢，铅及不锈钢等材料组成复合结构屏蔽室。对＾４０Ｃｏ１３３２．５ｋｅＶγ射线，ＨＰＧｅ主探测器能量分辨率为１．８６ｋｅＶ，相对效率为３８％，在阱型反符合屏蔽条件下，谱仪对＾１３７Ｃｓ点状薄膜源测得康普顿抑制系数为４．４；峰康比为８７０：１；５０￣２０００ｋｅＶ能区内每ｍｉｎ积分本底为     

专利简讯

用于正电子湮没寿命谱仪的探测器【公开日】2006.02.22【分类号】G01N23/22I【公开号】CN1737550【申请号】CN200510099897.9【申请日】2005.09.09【申请人】中国科学院高能物理研究所【文摘】一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器,该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器,与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同,本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器,在停止道探测器的闪烁体中央,有一圆形井,放置测量样品与22Na正电子放射源。本仪器为湮没光子能量全吸收型正电子湮没寿命谱仪,可以获得优于…     

手持式γ谱仪用核辐射探测器综述

介绍了γ谱仪探测器基本性能评价指标,分析了手持式γ能谱测量中常用的核辐射探测器,如高纯锗、碘化钠、碘化铯、碲锌镉和溴化镧等的主要性能特点,指出碲锌镉和溴化镧的产生与发展,以及高纯锗谱仪小型化是近年来手持式γ谱仪探测器技术的主要进展。为了应对不断增长的手持式放射性核素识别应用需求,建议加强碲锌镉和溴化镧探测器研制及其在手持式谱仪中的应用研究。     

中国先进研究堆中子织构谱仪二维位置灵敏探测器数据分析与处理方法

中子织构谱仪在航空航天、交通、核工业等领域关键材料的织构研究中具有独特的优势。为了提升探测效率，中国先进研究堆中子织构谱仪在2020—2021年进行了升级改造，将探测系统从单个³He计数管升级为大尺寸二维位置灵敏探测器。本研究针对中国先进研究堆中子织构谱仪升级后的实验测量数据，提出了从二维位置灵敏探测器获得的衍射中子计数到织构极图转换的数据处理与分析方法，并基于该方法使用Python语言开发了中子织构数据处理和分析软件系统，对实际测量数据的应用验证了该软件系统的可靠性。该系统实现了二维位置灵敏探测器数据到极图数据的转换和极图绘制，满足了中子织构谱仪升级后的功能需求。     

基于脉冲幅度谱的3He正比计数管中子散射谱仪探测系统关键参数测定方法

中子散射谱仪探测系统各部件性能参数需相互匹配,准确的参数测定方法利于改进谱仪探测系统的实际性能,提高物理实验数据质量（可信度等）。本文基于³He正比计数管中子散射谱仪探测系统,开发了脉冲幅度甄别器甄别阈、核辐射探测器工作电压以及气体核辐射探测器性能参数的脉冲幅度谱测定方法,这些方法较传统的积分曲线测定方法、坪曲线测定方法以及电压-电流曲线测定方法具有测量时间短、准确度高、应用范围广等优势。     

微小角中子散射谱仪探测器移动小车驱动机构设计及精度测试

针对中国散裂中子源（China Spallation Neutron Source,CSNS）微小角中子散射谱仪（Very Small Angle Neutron Scattering Spectrometer,VSANS）探测器移动小车对重载、大行程和较高定位精度的要求,设计了双导轨导向、齿轮齿条传动的驱动结构,通过高精度伺服电机的控制实现对探测器移动小车的较高精度定位控制。通过激光跟踪仪对探测器移动小车的往返5次定位测试可知,其双向重复定位精度为140μm,定位精度为167μm。测试结果表明：齿轮齿条传动结构能够满足微小角中子散射谱仪探测器移动小车所要求的200μm的定位精度。     

20keV～17MeV中子能谱测量

基于质子反冲方法，建立了一套宽能区，高效率的中子谱仪系统，分别用三支充不同气压氢和甲烷的球形正经计数管和一个有机闪烁探没器分段测量２０ｋｅＶ～１７ＭｅＶ的中子能谱，为了去除γ射线本底，对两种探测器分别采用了两种不同的脉冲形状别技术，谱仪直接测量的是中子在探测器中产生的反冲质脉冲幅度谱，通过解决矩阵方程的方法得到中子谱，解谱中所用的各个探测器的中子响应矩阵均蒙特－卡洛方法计算得到，谱仪在全能区的中子     

p—^11B三体级联衰变连续能谱测量与干净聚变核能源

借助ＰＩＰＳ新型探测器和ΔＥ穿透型探测器，首次得到１１Ｂ（ｐ，２α）４Ｈｅ级联衰变连续能谱，为准确获得ｐ－１１Ｂ截面测量提供了实验依据。同时利用系统能量分辨率达１３．９ｋｅＶ的带电粒子谱仪对另一影响截面精确度的因素——靶成份进行了实验分析。     

韧致辐射测量法分析放射性废水中^90Sr含量

用ＨＰＧｅγ谱仪与低本底ＮａＩ（Ｔ１）γ谱仪相结合，通过测量放射性废水中￣（９０）Ｓｒ－￣（９０）Ｙ发射的高能电子与探测器作用所产生的韧致辐射，确定￣（９０）Ｓｒ含量。运用本方法取样测量了中国原子能科学研究院积存的７种放时性废水样品。５种废水中￣（９０）Ｓｒ含量的测量结果与放化法测量结果在１０％以内相符。     

中子残余应力谱仪控制系统修复改造

中国先进研究堆（CARR）中子散射工程拟建造1台测量应力的中子残余应力谱仪。为缩短研制周期，节省费用，从瑞典的R2反应堆引进了一些中子残余应力谱仪部件。这些部件包括样品台xy平台、样品台z平台、探测器台转台、欧拉环、Omega转台和控制这些设备运动的电路板组等。     

硅光电管-闪烁体探测器γ谱仪研制

实验研制了硅光电管-闪烁体探测器γ谱仪。该γ谱仪用硅光电倍增管代替普通光电倍增管作为闪烁体探测器的光学读出端,配置闪烁体探测器,构成新型γ谱仪。测试结果表明:新型γ谱仪随温度漂移变化程度大;能量线性较好,线性相关度R为0.9987;配置LaBr_3:10%Ce~(3+)晶体,其能量分辨率为4.3%~4.9%;配置NaI(TI)晶体,其能量分辨率为8.4%。     

参加~(241)Am、~(137)Cs和~(60)Co点薄膜源活度的比对

1引言我们参加了由中国计量科学研究院在1996年所组织的241Am、137Cs和60Co点薄膜源活度比对工作。所使用的测量装置是HPGe低本底反康普顿γ谱仪，参加这次点薄膜源活度比对是该谱仪接受的第一项正式测量工作。因此，对该谱仪自身性能及所使用的标准源和γ谱分析软件等都是一次很好的检验。由于低本底反康普顿γ谱仪主要从事低活度样品（如环境样品）的分析和测量工作，样品与主探测器的距离都很近，从过去经验看所测样品活度最多只有几千Bq，但这次比对样品的活度从约3万Bq到10万Bq，因此被测样品只有远离主探测器20到35厘米，才能使多…     

北京谱仪Ⅱ（BESⅡ）顶点探测器数据获取系统

北京谱仪（ＢＥＳⅡ）顶点探测器数据获取系统是北京谱仪数据获取系统的一部分，该子系统电子学采用快总线标准，本文描述了该系统的硬件结构和软件系统，软件包括快总线系统的微码软件和上层控制软件，该系统的死时间为１．５ｎｓ，对ＢＥＳⅡ系统总死时间的贡献小于０．５ｍｓ。     

低温小立体角α谱仪的研制

研制了１套工作温度在室温至－２７．５℃、面源对探测器所张的相对立体角在５．２８７×１０－２—１．１１９×１０－４之间、分辨率达到１３．３ｋｅＶ的低温小立体角半导体α谱仪，研究了谱仪分辨率与探测器温度和相对立体角之间的关系。该谱仪已应用于α放射性比、α粒子能量、α粒子辐射几率和α放射性活度的测量。     

用于硬X光诊断的宽量程滤波谱仪

介绍了利用滤片和探测器阵列组合的硬Ｘ光能谱仪（简称ＦＦＳ）的工作原理，结构性能和测温特点，文章最后给出了ＦＦＳ在惯性约束聚变（ＩＣＦ）实验中测到的硬Ｘ光谱的典型结果。     

α谱仪探测器和面源不同轴情况下几何因子的计算

使用投影法计算了α谱仪探测器和面源不同轴情况下的几何因子,并与实验结果进行了比较。结果表明,不同轴距情况下,α谱仪探测器和面源的几何因子与实验测量结果差异基本一致,对α谱仪刻度和实际测量时几何位置引起的不确定度的评估有参考价值。     

用于瞬发γ中子活化在线元素分析的高计数率γ谱仪

高纯锗探测器制技术及谱仪电子学的迅速发展，使瞬发γ中子活化分析所要求的高计数率γ谱仪已可以由适当地选择谱仪系统中的各个部件而实现，本文针对ＰＧＮＡＡ的应用，就高计数率γ谱仪对各训件指标的要求与选择依据及系统总体考虑进行介绍，并给出系统所能达到的总性能参数。