10号优质碳钢管壳结构改进和性能优化

通过对10号优质碳素结构钢、玻璃熔封件的热应力计算,阐明了10号优质碳素结构钢、玻璃熔封结构的可行性。通过采取控制玻璃用量、合理设计孔口、烧结模具、优化工艺过程等手段,解决了熔封件玻璃开裂、漏气和管壳的抗蚀性等问题。机械和温度应力试验表明,采用该材料的金属电子封装外壳漏气速率不超过1×10-3Pa.cm3/s,并能承受24h盐雾试验。     

双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管

叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2～3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯的最大光输出功率大于10mW。激光器组件由半导体致冷器,热敏电阻和 PIN 探测器组成,采用了标准的14针双列直插式管壳,实现了激光器组件的全金属化耦合封装,漏气率小于5×10~(-3)Pa·cm~2/s,尾纤输出功率典型值为1mW。     

SMA同轴封装高速光电探测器

采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少了约０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。     

功率混合集成电路的封装应力分析

文章对贮能焊封装过程中管壳的受力状态进行了分析，给出了各结合层残余应力的计算结果，结果表明，管壳的翘曲度对电路内部各结合层受力装态的影响很大。     

挑战21世纪封装业的光电子封装

光电子技术是连接光学元器件与电子电路的单元。光电子封装是把经过组装和电互连的光电器件芯片与相关的功能器件和电路等集成在一个特制的管壳内，通过管壳内部的光学系统与外部实现光连接，其封装和装配包括有源及无源元件、模块，板与子系统等级别，光电子封装是继微电子封装之后的一项迅猛发展起来综合高科技产业，本文通过光电子封装的设计要求探讨了光电子封装的工艺与材料，并描述了光电子器件在高速宽带网络和无线通讯技术的显著优势，最后提出了目前光电子封装存在的问题与未来的挑战。     

基于CQFP 64线外壳的封装寄生参数研究

封装寄生效应对高频器件性能的影响越来越明显.为了在高频器件设计中充分考虑寄生参数的影响,需对封装的寄生效应进行模拟,以便保持高频电路封装后信号的完整性.利用Anfost公司的软件Q3D和HFSS,对CQFP 64管壳的引脚和键合线进行电磁仿真分析,提取出三维封装结构的RLC参数和高频下的S参数;分析管壳在封装前后、不同频率、不同封装环境下寄生参数的变化情况;将仿真结果与实验结果进行了对比,为设计人员设计产品提供依据.     

K1-5型外壳共晶贴片热应力研究北大核心

针对采用10号钢为基材的K1-5型外壳的芯片裂纹问题，对其共晶应力进行了仿真，并尝试对工艺过程进行仿真优化。结果表明，无论采用何种缓慢或快速的散热方式，都不能从根本上改变10号钢与Si芯片因热膨胀系数的巨大差异而导致的热应力。通过比较三种不同的管壳材料可知，以可伐材料为基体的K1-5管壳的共晶热应力最低，为316 MPa,而以10号钢为基体的热应力最高，为19 800 MPa,远远超出了硅芯片的极限断裂强度544 MPa。根据应力的基本理论，可伐与Si芯片的热膨胀系数的差异最小，无氧铜次之，而10号钢为最大，这也是以10号钢为基体的K1-5管壳在共晶时芯片开裂的根本原因。将管壳基材更换为可伐材料，仿真分析和实际试验结果均证明该管壳能够有效解决芯片开裂的问题。     

SMO-8封装器件的焊接可靠性

SMO-8陶瓷管壳封装的器件在焊接到印制板作温度冲击试验后,管壳底部的陶瓷层出现了裂纹。使用ANSYS有限元分析的方法对管壳焊接到印制板的整体结构的应力分布情况进行仿真分析,找出陶瓷出现裂纹的力学原因。并据此提出SMO-8陶瓷管壳焊接的改进方案:SMO-8管壳接地焊盘由方形设计改为边缘圆弧形设计,然后重新做应力分析。通过对比,在相同温度条件下管壳陶瓷层所受应力分布改善,边沿所受应力值明显降低。根据仿真结果制作样品并对样品做温度冲击试验进行验证。结果表明,圆弧形焊盘设计可以解决SMO-8封装器件焊接后经温度冲击时出现的陶瓷层裂纹问题。     

提高金属——玻璃封装集成电路外壳的可靠性途径

本文简单地介绍了金属－－玻璃封装的集成电路外壳的两种失效原因－－“断腿”和慢性漏气的机理，在此基础上，结合本研究小组的工作实践，从原材料的预备，封装外壳的生产工艺及其使用等三方面提出了一些提高金属－－玻璃封装的集成电路外壳可靠性的方法。     

声表器件用表贴式封装管壳的研制

本文主要阐述了某种声表器件(SSD)用表贴式封装(SMP)管壳的结构设计过程,以 及为了适应大批量生产在工艺上所作的改进及创新。     

声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

堆叠封装技术进展

目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展。堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能够提升封装密度,节省PCB板组装空间,缩短互连线路长度。该技术已从初期的低密度双层堆叠发展至当前的高密度多层堆叠,并在互连方式与塑封形式等封装结构及工艺上不断改进,以适应高性能电子产品的发展需求。通过对PoP上层与下层封装体结构及其封装工艺的近期研究成果进行综述,对比分析它们的各自特点与优势,并展望PoP未来发展趋势。     

芯片封装技术介绍

微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发。本文主要介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。     

方形扁平无引线QFN封装的研究及展望

方形扁平无引线(QFN)封装是方形扁平封装(QFP)和球栅阵列(BGA)封装相结合发展起来的先进封装形式,是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品.讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展进程,指出其必将成为半导体器件高端主流封装形式之一.     

长期贮存对气密性封装的影响研究

密封微电子器件在对可靠性要求较高领域占有绝对的地位,为了研究长期室内自然贮存对密封微电子封装性能的影响,对贮存在北京某研究所库房的多种气密性封装微电子器件进行试验分析。运用破坏性物理分析(DPA)方法检验样品的密封性、内部形貌、键合强度和芯片粘贴强度等,总结出长期贮存对气密性封装器件封装性能影响的结论;并根据密封性测试结果对器件分组,分别得到密封合格与不合格产品长期贮存后封装性能的实测数据,对密封性能对元器件贮存可靠性的影响进行研究,为元器件的筛选和贮存提供借鉴。     

芯片封装技术介绍

微电子技术的飞速发展也同时推动了新型芯片封装技术的研究和开发.本文主要介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析.     

浅谈IC封装材料对产品分层的影响及改善

IC封装不仅要求封装材料具有优良的导电性能、导热性能以及机械性能,还要求具有高可靠性、低成本和环保性,这也是引线框架、环氧树脂成为现代电子封装主流材料的主要原因,其市场份额约占整个封装材料市场的95%以上。由于环氧树脂封装是非气密性封装,对外界环境的耐受能力较差,尤其是受到湿气侵入时,产品会出现一些可靠性问题,最容易发生的现象是分层。简要分析了框架和环氧树脂对产品可靠性的影响,在此基础上提出一些改善措施。     

MEMS器件的封装材料与封装工艺

随着各种MEMS新产品的不断问世,先进的MEMS器件的封装技术正在研发之中.本研究综述了MEMS的封装材料,包括陶瓷、塑料、金属材料和金属基复合材料等.阐述了MEMS的主要封装工艺和技术,包括圆片级封装、单芯片封装、多芯片组件和3D堆叠式封装等.并展望了MEMS器件封装的应用和发展前景.     

CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进、协调发展、密不可分的关系。     

固网运营商捆绑型套餐还需"策略"捆绑

首先阐述了捆绑型套餐的定义和目标,介绍了国外固网遍营商的捆绑型套餐,然后分析了我国固网运营商现行的典型捆绑型套餐的情况及其优势、局限性。最后提出对我国圆网运营商发展捆绑型套餐的建议。