超大规模集成电路的CVD薄膜淀积技术

介绍了在超大规模集成电路制造工艺中,用化学气相（ＣＶＤ）方法淀积各种薄膜的反应机理和特性,及这些薄膜在器件制造工艺中的应用。     

超大规模集成电路中的CVD薄膜淀积技术

介绍了在超大规模集成电路制造工艺中 ,用化学气相 (CVD)方法淀积各种薄膜的反应机理和特性 ,及这些薄膜在器件制造工艺中的应用。     

真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理

对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等效极化电荷数为２～５×１０１１ｃｍ－２。     

真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质

使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１．５５之间；介电常数大于３．６；击穿电场强度在１e７Ｖ／ｃｍ的量级；用氯氟酸腐蚀液（参考配方：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１２）测得膜的平均腐蚀速率约为１．２７ｕｍ／ｓ．试用表明，当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离，替代ＰＥＣＶＤ和热ＣＶＤ工艺时，器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改     

SiO_2上InP薄膜的连续Ar~+激光再结晶

在SiO_2绝缘层上用高频溅射法淀积一层InP薄膜。经过连续Ar~+激光再结晶以后,晶粒尺寸明显增大。利用离子背散射分析了激光再结晶前后InP化学计量比的变化,结果表明:采用SiO_2保护膜后较好地抑制了InP组分的分解。对A~+激光辐照引起的InP再结晶的机制进行了分析。     

在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 Al的面积百分比为 1% .上述两种结构中 Si层厚度均为 1— 3nm ,间隔为 0 .2 nm .为了对比研究 ,还制备了 Si层厚度为零的样品 .这两种结构在 90 0℃氮气下退火 30 m in,正面蒸半透明 Au膜 ,背面蒸 Al作欧姆接触后 ,都在正向偏置下观察到电致发光 (EL ) .在一定的正向偏置下 ,EL强度和峰位以及电流都随 Si层厚度的增加而     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响

根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。     

离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心

本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有效密度、电子俘获截面及与注入离子的关系;利用陷阱电子解陷的热激电流技术,研究了As~+注入氧化层中陷阱的能级深度.     

SiO_2中电子束辐照产生的电子陷阱

<正> SiO_2中的陷阱在MOS短沟道器件的设计中是一重要限制,随着MOS集成电路集成度的提高,器件尺寸的缩小,必须考虑器件的热电子效应,SiO_2中陷阱的存在使热电子注入后器件性能发生变化,严重影响器件的稳定性、可靠性,另外电子束曝光、离子刻蚀、     

谈谈SiO_2的浮选

前言在半导体器件的研制过程中,硅单晶片的抛光是一个极为重要的工艺环节;抛光质量的优劣直接影响着器件的成品率和优品率。采用 SiO_2抛光的镜面质量好,机械损伤少,因此这种工艺得到了迅速的发展和应用。     

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中SiO_2和SiO_2－Si界面的损伤

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中ＳｉＯ＿２和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ界面的损伤＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｉｎｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅｔｏＳｉＯ＿２ａｎｄＳｉＯ＿２－ＳｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｎｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｏｖｅｒｅｔｃｈ［刊，英...     

用氮离子注入硅中抑制SiO_2的生长

本文报道了硅片在相同的氧化条件中形成不同厚度的SiO_2层。采用注入氮离子进入硅中,将注入与未注入样品在1000℃的炉温中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测SiO_2层的厚度。结果表明,N_2~+离子注入硅样品的氧化层厚度明显薄于非注入样品的氧化层厚度。N_2~+离子注入硅表面在氧化时抑制SiO_2的生长,具有较明显的抗氧化的作用。这项实验说明,采用注入N_2~+离子,同一硅片在相同的氧化条件下开辟选择氧化是可能实现的。     

在厚SiO_2层中产生的界面态

本文给出了在某些具有厚SiO_2层(如场氧化层)的MOS结构中因辐照产生界面态的证据,其机理不同于以前在较薄的抗辐照加固栅氧化层中确认的那种低速两步过程。由新过程产生的界面态在辐照后迅速产生,与氧化物电场和极性无关,在室温和77K下的产生率大致相等。     

SiO_2乳胶源扩散

一、前言 SiO_2乳胶扩散源的出现,开辟了氧化扩散工艺的新领域,由于它具有一般固态,液态源扩散所没有的一系列优点,可以它的出现引起人们的重视,目前它已成为一种有希望的扩散源,参加集成电路的会战。 由于SiO_2乳胶扩散源可会的元素相当多（AS、P、B、Al,Au,Sb,Ge等）掺会浓度可在10~(16)—10~(21)个/cm~3范围调整,所以TTL电路中的基区、发射区、收集区、MOS、CMOS电路中的漏、源区、阱均可以考虑使用,并可用磷硼乳胶做成磷硅玻膜,硼硅破膜作为表面钝化,以外获可子钠,提高器件的稳定性和可靠性。 本文将重探讨SiO_2乳胶源扩散在MOS、CMOS集成电路中的应用于以及乳胶Ⅲ—V族元素同步扩散问题,试图缩短工艺流程,减少光刻次数和高温处理时间。     

硅基SiO_2光波导

在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 μm) ,并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究 .另外 ,为实现光纤与波导的耦合 ,结合微电子机械系统技术 ,在波导基片上制作了光纤对准 V形槽     

硅单晶片的SiO_2抛光

本世纪六十年代中期前半导体基片抛光还大都沿用机械抛光,例如氧化镁、氧化锆、纯氧化铬等方法,得到的镜面表面损伤是极其严重的.1965年Walsh和Herzog提出SiO_2溶胶(Silica sol)和凝胶(Silica gel)抛光后,以二氧化硅为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替旧方法,目前国外最先进的硅片生产线均使用二氧化硅抛光方法.二硅化硅溶胶或凝胶抛光液的基本形式是由一个SiO_2抛光剂和一个碱性组份水溶液组成.SiO_2颗粒要求范围为10～150毫微米,碱性组成一般使用NaOH、氨或有机胺,pH值为9.5～11.0.SiO_2浓度为1.5%～50%.     

用XPS来测量SiO_2中辐射引起的损伤

在就地XPS测量时采用0～20eV的电子来对生长在硅〈100〉衬底上的器件优质栅氧化物(～850(?))进行辐射。由于采用了湿纯化学深度剖面法,因此这些结构已被逐渐减薄到25～60(?)。根据氧化物/衬底密度比分析法,推导出了这些结构原子密度(D)和电子平均自由程(λ)的乘积是深度的函数。也验证了空穴捕获系数变化范围宽的样品。另外,Si~( 3)形式是在Si/SiO_2界面处形成,并且只有在它们衰减和消失过程中才能观察到。这些形成物和呈现在界面处的被损伤的Si-O-Si键有关。对硬结构与软结构的辐射在界面处表现出不同的损伤键分布。这些样品的键分离和健损伤变化率的直观现象被用来扩展硅的不透明性,从而解释了固定氧化物和界面态电荷的产生。表明了这个键损伤变化率(BSG)模型是与种种实验性EPR以及离子辐射而产生的空穴、电子陷阱的电观察结果相一致。     

高质量CVD金刚石自支撑膜的连续激光损伤研究

利用HJ - 4型连续CO2 激光对金刚石膜进行了激光损伤阈值的研究,损伤后的金刚石膜用SEM和Raman进行了表征。研究结果表明,高质量CVD自支撑金刚石膜具有较高的 激光损伤阈值,金刚石膜抗连续激光损伤阈值的范围是在1. 15 ×106 ～2. 26 ×106W / cm2。金刚石膜激光损伤主要是由于热震损伤,其机制属于热- 力耦合机制。     

TiO_2/SiO_2、ZrO_2/SiO_2多层介质膜光学损耗及激光损伤研究

以TiO_2/SiO_2及ZrO_2/SiO_2多层介质膜为例,测试了不同工艺条件及不同膜系结构下薄膜样品的光学损耗及激光损伤阈值,同时对实验结果作了初步的分析讨论.     

CO2激光CVD制备纳米硅粉

本文分析了激光诱导化学气相沉积制备纳米材料的基本，获得了适宜的制备工艺参数，制得了三种粒径样品（１５ｎｍ，２５ｎｍ，８０ｎｍ）。讨论了制备工艺参数与粉末特征的关系。