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沟道δ-形掺杂对于改善极小尺寸MOSFET性能、提高可靠性其重要。利用能量输出模型,报道了沟道δ-形掺杂分布对0.1μm沟长NMOSFET结构特性的影响。 相似文献
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利用能量输运模型(ETM)系统研究了沟道δ掺杂分子布对深亚微米MOSFET结构特性的影响,发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应,而且可以获得较高的驱动速度,改善了掺杂容限特性;只要δ掺杂峰值浓度界面保持一定距离,则热电子产生率无明显增长,提出了的δ掺杂分布适用于0.1μmMOSFET与均匀掺杂相比,它具有较高的综合品质因子。 相似文献
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利用低温(77-295K)短沟NMOSFET准二维解析模型,研究了77-295K温区NMOSFET衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变,其值约为7.6nm;低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量,但由于碰撞电离减弱,使NMOSFET的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明,提出的衬底电流机制和模型适用于77-295K宽温区范围。 相似文献
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非均匀掺杂增强型埋沟pMOSFET阈值电压的建模 总被引:1,自引:1,他引:0
比较了增强型埋沟pMOSFET和增强型表面沟道pMOSFET的导通机理,提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法,推导了增强型埋沟pMOSFET阈值电压的计算公式,比较了增强型埋沟pMOSFET阈值电压的计算值和测量值,计算值和测量值的相对偏差<10%,表明文中提出的有关方法和模型是有一定精度的。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值电压的两个主要参数。 相似文献
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深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
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通过求解经修正的二维泊松方程,并考虑了主要的短沟效应和高场效应,得到一个描述短沟道MOSFET器件I-V特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域,对0.8μm和1.4μm器件的漏极电流特性能较好地描述,可应用于亚微米、深亚微米级MOSFET的电路模拟。 相似文献
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本文系统描述了全耗尽短沟道LDD/LDSSOIMOSFET器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽SOIMOSFET模型,文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应,及由于LDD/LDS区的存在对本征MOS器件电流特性的影响。 相似文献
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小尺寸MOSFET的强场性,场畸变性和漏区尺度比例的增大,使它的分布效应增强,更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型。本文依据“幸运电子”概念,基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型,建立了NMOSFET的电子和空穴栅电流的分布模型,空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的,所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程,这将有利于MOSFET热载流子的损伤的 相似文献
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本研究了77K下薄栅NMOSFET在F-N均匀注入时栅氧化层对电荷的俘获特性,发现沟道区上方栅氧化屋将俘获电荷,使阀值电压下降,而栅边缘氧化层地电子的俘获明显增强,并高于室温一的对应值,从而导致NMOSFET关态特性变差,沟道电阻增大,以及电流驱动能力的显降低,提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷机制。 相似文献
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本文根据所建浮体效应物理模型,研究了器件参数对SOIMOSFET浮体效应影响关系.研究结果表明,降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等,可以有效地抑制浮体效应,提高器件的源漏击穿电压,这些参数在工艺上可以对应采用LDD&LDS的MOS结构、准确控制的沟道缺陷工程以减小少子在SOI体区的复合寿命等,为从工艺设计上进一步改善SOIMOSFET的器件特性打下理论基础. 相似文献
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介绍了在宽禁带半导体6H-SiC材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及MOSFET。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为6H-SiC禁带宽度为3eV,用MOS电容很难测量表面态,故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为20cm^2/V.s,而掩埋沟道MOSFET沟道中的体电子迁移率为180cm^2/V.s,掩埋沟道晶体管是第一只SiC离子注入沟道器件,也是 相似文献