0.1μmNMOSFET沟道δ—掺杂与结构特性

沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性其重要。利用能量输出模型，报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响。     

深亚微米沟道δ掺杂NMOSFET结构特性和设计

利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分子布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较高的驱动速度，改善了掺杂容限特性；只要δ掺杂峰值浓度界面保持一定距离，则热电子产生率无明显增长，提出了的δ掺杂分布适用于０．１μｍＭＯＳＦＥＴ与均匀掺杂相比，它具有较高的综合品质因子。     

1．55μm InGaAsP／InPDH激光器中的0．95μm发光带与Auger复合

报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＨ激光器Ｔ０值的主要因素。     

Nd∶TAG激光器从1．06μm向1．32μm的改装

证实了１．３２μｍ波长上运转的输出功率大于２．０Ｗ的单模稳定连续波Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器可通过对性能较好的进口激光器进行简单的改装而获得。同时讨论了Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器在１．３２μｍ波长上连续波调Ｑ及连续波锁模运转的可能性．     

10Gb／s0．18μm CMOS限幅放大器

采用SMIC0．18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb／s速率上。小信号增益为46．25dB,-3dB带宽为9．16GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1．8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。     

台湾有望年底前开放半导体0．18μm登陆大陆

来自中国台湾的消息，台湾工商时报周一报道，考虑到台湾半导体企业进大陆投资公司的市场竞争力，制程门槛将一并由此前的0．25μm进一步放宽为0．18μm。消息称，如决定放宽制程门槛，则已获准赴大陆投资的台极电等也将适用此项政策。力晶和茂德科技大陆投资建设Ф200mm厂方案也有望在12月中旬获得审议通过。     

华润上华发布多款新型BCD及0．13μm工艺平台

华润上华近日发布其新近开发的BCD工艺平台,同时其8英寸生产线也推出多款新型BCD和0．13μm工艺平台,以满足客户在新兴半导体应用市场的需求。     

青山遮不住，毕竟“西”流去——看台湾0．18μm半导体技术将首次对大陆开放

2006年8月初，台湾“经济部”放出消息称将公布台商投资大陆的最新管理办法，其中，0．18um半导体技术将有望对大陆首次开放。该消息引起了业界的极大关注，更为台湾工商界热切期盼。8月10日，北京一家主流媒体报道，最快8月底，台商热盼的西进大陆政策解禁令将签出，而以台积电、力晶、茂德为首的一线芯片代工商将先行一步，集体登陆沪上。     

P~＋－Ge_（0．3）Si_（0．7）／P－Si异质结内光发射红外探测器77K的特性

首次报导了一种改进结构的Ｐ＋—Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｐ—Ｓｉ异质结内光发射长波长红外探测器在７７Ｋ下的电学特性和光学响应特性。     

0．18μm锗硅3G WCDMA射频芯片组

广晟微电子有限公司采用捷智半导体公司0．18μm锗硅BiCMOS工艺成功开发出中国首次可供商用的3GWCDMA手机射频收发芯片组。广晟微电子的WCDMA射频收发芯片组包括零中频接收芯片（RS1007W）和发射芯片（RS1007RF），广晟微电子拥有该芯片组的全部知识产权。RS1007W和RS1007RF为3GWCDMA手机射频前端芯片组提供了一套完整的方案。RS1007W使用先进的零中频结构，片内集成了低噪声放大器，下变频混频器，自动增益放大器，低通滤波器，∑-△小数分频锁相环，压控振荡器，直流偏移校准电路，RC校准电路和I／Q不平衡校准电路。     

Bi0．5（1-y）（Na1-χ-yLix）0．5SryTiO3无铅陶瓷的压电性能和微观结构

利用传统陶瓷工艺制备了新型的Bi0．5(1-y)(Na1-χ-yLix)0．5SryTiO3无铅压电陶瓷，并研究了该陶瓷的压电性能和微观结构。研究结果表明，该陶瓷体系具有较好的压电性能，压电常数d33-143pC／N，径向机电耦合系数κp=0．30，并可在1100℃／2h烧结条件下获得致密的陶瓷体。     

1．3μm Nd~（3＋）∶YAG脉冲激光器的特性与设计

对Ｎｄ３＋：ＹＡＧ１．３μｍ波段的脉冲激光器进行了特性分析和实验研制。尤其是输出腔镜的最佳透过率的选择，谐振腔类型的选择，以及与１．０６μｍ脉冲器件的比较和改造。文中给出了最佳透过率，１．３２ｕｍ，１．３４ｕｍ两波长激光能量与输出镜透过率的关系等实验数据。     

拥有完全自主知识产权的永中OfficeV1．0正式发布

本刊讯（记者宿建光）无锡永中科技有限公司在京宣布，正式推出永中Office个人版集成办公软件V1.0正式版。作为目前国内拥有完全自主知识产权的新一代国产办公软件，“永中Office”是第一个集成的办公软件，是“第一个真正的Office”。它打破了微软Office操作系统中“1 1 1”的     

φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备

综述了３００ｍｍ／０１８μｍＣＤ对光刻工艺的要求以及光刻设备的发展。     

5GHz0．18μm CMOS功率放大器设计

文中介绍了一个基于TSMC 0．18μm CMOS工艺,可应用于802．11a无线局域网标准的功率放大器设计。该电路采用三级全差分结构,驱动级采用电阻并联负反馈网络来保证稳定性。在3．3V电源电压下,增益为16dB,输出1dB压缩点为17dBm,电路功耗为0．8 W,效率为18．1%。芯片面积为1．2mm×1．1 mm。     

1.32μm Nd:YAG激光器及其医学应用

研制了医用1．32μmNd：YAG激光器，平均输出功率不低15W，功率不稳度小于±5％，光纤耦合效率达到90％。1．32μm激光被生物组织（水）吸收是1．06μm的10倍，且组织穿透深，具有更好的凝固、止血效果和高的切割效率，热灼伤小。可在神经外科、妇科、皮肤科、肿瘤及内窥镜治疗等领域发挥巨大作用。     

中芯国际应用安捷伦EDA软件提供0．18μm工艺全新设计工具集

中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布其一套全新的ADS(高级设计系统)设计工具集投入使用，该工具集可帮助实现0．18μm技术工艺上的微波、射频、混合信号／射频、模拟及数字等集成电路的设计。该工具集包含了无源和有源元件，可应用安捷伦科技最新版本的ADS进行仿真。中芯国际此前与安捷伦科技密切协作，共同提高这套工具集在准确性与可应用性方面的性能，以提高设计精确性、高效性，以及缩短产品的设汁开发时间。