InSb/Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te双色夹层式探测器

用InSb和Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te光伏探测器制备了双色探测系统。探测器排成同心形式,在结构上是分开的,从而在探测表面之间形成0.125毫米间隙。在300K2π视场背景条件下于77K工作时,PbSnTe和InSb的D_(λp)~*值已分别达到1.4×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)和9×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。     

高D~*、快响应钛酸锆酸铅热电探测器

已制得D~*(500°K,1.1)=7×10~8厘米·赫~(1/2)/瓦的大面积PZT探测器和最小响应时间为5毫微秒的快速探测器。热电系数为27毫微库仑/厘米~2°K及对此器件测得的材料灵敏值为2.8×10~(-9)库伦厘米/焦耳。     

高性能热释电探测器

制成了新的互补畴结构热释电探测器,这种新结构探测器能使振动噪声和周围环境温度变化引起的干扰比一般结构的探测器降低一个数量级。由于采用了离子束研磨技术,己制成了2—5微米厚的自支撑钽酸锂探测器。用这种互补畴结构制备的探测器(约1平方厘米的灵敏面积),在10赫下所测得的D~*为1.9×10~9厘米·赫(?)·瓦~(-1),当振动加速度高达0.1g、带宽为1赫时,测得D~*值的下降不到25%。     

高性能高密度平面碲锡铅探测器阵列

在PbSnTe衬底上用液相外延生长铅-锡碲层并通过很好限定的氧化物窗进行杂质扩散,已制备成可再现的高质量光伏探测器。外延层的载流子浓度约为4×10~(16)厘米~(-3),衬底的约为5×10~(18)厘米~(-3)。代替光致抗蚀剂作绝缘层用的氧化物层没有针孔并很好地附着在PbSnTe表面上。采用标准光刻和扩散技术制成了平面单片探测器阵列。在77K时,124(2×2密耳)元阵列的平均阻抗-面积乘积为1.85欧·厘米~2。在300K背景和180°视场时,在11微米不加增透膜情况下的平均量子效率和峰值探测度(D~*)分别为40％和2.6×10~(10)厘米·赫~(1/2)/瓦。     

10.6微米固态微波偏压光电导探测器的组装系统

本文介绍用于10.6微米辐射的全固态灵敏接收器的研究。此接收器由射频偏压锗掺汞光电探测器和固态微波组件组成,它包括探测系统及微波偏压源(变换式电子振荡器)。调制频率为1千赫时,光电探测器的响应度为9.6×10~3伏/瓦,在光功率1微瓦时测得的光电导响应时间为7毫微秒。调制频率高于1.5兆赫时,探测器系统受放大器噪声限制,其噪声指数为8.5分贝。探测器在4°K 的噪声等效功率NEP(10.6微米、1.5兆赫、1赫)和探测度 D~*(10.6微米、1.5兆赫、1赫)分别为2.5×10~(-13)瓦(赫)~(-1/2)及4.15×10~(10)厘米(赫)1/2/瓦。     

用电子束微探针测定Cd_xHg_(1-x)Te的均匀度和克分子浓度x

1.引言除其它半导体材料外,Cd_xHg_(1-x)Te因质优而可制作高品质红外光子探测器。探测度D_λ~*≥1×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)(λ=10微米)、时间常数τ≤1微秒的探测器,工作温度T=77K时,得用载流子浓度n<10~(15)厘米~(-3)、霍尔迁移率μ_H>100000厘米~2·     

InSb红外成象器的工艺进展

介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS(金属—氧化物—半导体)、MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)以及线列和二维CID(电荷注入器件)列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5×10~(10)厘米~(-2)·电子伏~(-1)。这些结果意味着能够制备自扫描单块列阵。借助探测率(D~*)和响应率(R)对线列和二维CID列阵的性能进行了评价。测出了一个64元的线列的平均D~*为3.4×10~(11)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),这个值相当于背景限D~*值的70%。R为1×10~(-5)伏/光子,其均匀性为10%。也得到了32×32元列阵的D~*和R值。     

105°K用15.5微米(Hg,Cd)Te光电导红外探测器

1.引言本文是美国亨尼威尔辐射中心根据与国家宇航局Goddard宇宙飞行中心签定的合同(NAS 5-21068)进行研究的最后技术报告。所研究的是在105°K或更高温度下工作的高性能15.5微米(Hg,Cd)Te光电导红外探测器。其设计目的与技术指标如下: (1)在15.5微米处探测度D_λ~*大于5×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦; (2)工作温度高于105°K; (3)响应时间小于50微秒。所有的设计要求都得到了满足。另外,还进行了下列测量: (1)D~*与波长的关系(105°K); (2)D~*与探测器温度的关系(在15.5微米处);     

截止频率达千兆赫的10.6微米CdHgTe光伏探测器

利用化学计量偏离法制备了x(～-)0.20的p-n结Cd_xHg_(1-x)Te器件,来研究10.6微米波长的光伏探测。这种光电二极管的灵敏面积为4×10~(-4)～10~(-3)厘米~2,观测到器件在77°K下当反向偏压为-0.1伏时,其并联电阻和电容分别为10~5欧和8微微法。研究了探测CO_2激光的性能,当本机振荡器功率为1毫瓦时,所得结果是:10~(10)相似文献   

四象限和三色碲镉汞探测器

10.6微米四象限光伏探测器,量子效率(零偏压)48％,带宽(100毫伏偏压)>100兆赫,D~*(10.6μ,10千赫、零偏压)1.2×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1),串联电阻10欧,并联电阻806欧,工作温度77°K,单元尺寸0.2×0.2毫米,间隔0.025毫米。三色光导探测器性能如下:     

用碲作熔剂生长碲镉汞晶体

本文报告了碲镉汞晶体的生长方法,并对我们做的六种生长工艺作了比较。着重介绍用Te作熔剂生长高质量组分均匀Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的实验工艺,以及对所得结果进行分析讨论。所得晶锭中段组分比较均匀,且与预定值相近。单晶经切片退火后,在77K时电子浓度可达到3×10~(4)(厘米~(-3)),迁移率可达10~5厘米~2伏~(-1)秒~(-1),用这样的晶体制成的光导、光伏器件D_(bb~*均可达到6×10~9厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。光伏器件不需要加偏压。响应率较大,可达10~3伏·瓦~(-1)。     

PbTiO_3红外热电探测器

本文报导松下公司在红外热电探测器研制工作上的一些进展。在研究过的几种材料中,PbTiO_3元件的探测度D~*(500°K、20赫、1赫)达到了1.7×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦。但在高频下使用,要稍微低些。由于这个数值主要是以前置放大回路的噪声分析中推论出来的,因此,若降低场效应晶体管噪声,探测器的性能还可提高些。     

1～3微米光谱区用(Hg,Cd)Te光电二极管激光接收器

各种组分的(Hg,Cd)Te灵敏高速光电二极管探测器已制成,用于1～3微米的光谱区。这些探测器工作于室温,量子效率为40～70％,比探测度由1.3微米波长的3×10~(11)厘米·赫~(1/2)/瓦到3微米波长的5×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦。冷却光电二极管探测器可改进性能。在77°K下2.2微米波长的比探测度测得为2×10~(12)厘米·赫~(1/2)/瓦,接近背景限。对探测器-前置放大器组件进行了响应时间测量,用的是0.9、1.06及1.54微米的脉冲辐射。响应时间约为10毫微秒,似乎与波长无关,但受RC乘积和放大器频带宽的限制。若光电二极管接一频带很宽的放大器,脉冲响应就被RC之积限制到0.5毫微秒,并测得另一时间常数(约为5毫微秒),据说它是由储存的载流子的渡越时间决定的。     

减小灵敏度随机械振动和温度变化的补偿畴热电探测器

已经制得一种新的补偿畴结构的LiTaO_3热电探测器。它减小了振动噪声源和环境温度变化所带来的影响,它比普通的热电探测器性能要好一个数量级。用这种补偿畴结构做得的探测器的D~＊超过10~9厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),而在1赫带宽下存在0.05g加速度或温度变化10℃/分时测得的D~＊下降小于10％。     

溅射的碲镉汞光电二极管

在汞等离子体装置中进行三极溅射制成了红外(Hg,Cd)Te光电二极管探测器。采用共溅射技术,用加偏压的金属(金或铝)辅助靶,形成了p型和n型材料。用此法制得了2～14微米光谱区的高灵敏的异质结和同质结二极管。在10.6微米时,约2×10~(-3)厘米面积的光电二极管工作于77K时,呈现的比探测度D_λ~*(10.6,900赫,1赫)为1.5～4×10~(10)厘米·赫~(1╱2)瓦~(-1),零偏压下的电阻-面积乘积在1.2～3欧·厘米~2,外量子效率为55～60％。在10~5赫频率下测得的噪声电平约10~(-9)伏·赫~(-1╱2)。     

图片介绍

7用Therm Atrace红外行扫描仪进行单行扫描。(详见本期第72页) Eltec仪器公司生产的钽酸锂器件—前放组件,响应率10万伏/瓦,D~*3.5×10~8厘米赫~1、2瓦~(-1),404CM型器件装T0-99外壳,内有电流型放大器和5×10~(11)欧反馈电阻,响应波长0.2～20微米(无窗);2毫米探测器可用Ge、兰宝石、石英或硅标准窗,     

HgCdTe光导探测器阵列

为前视红外系统发展了200元光导阵列。制作这种阵列时,要严格控制晶体生长过程中的热流,掺铟控制裁流子浓度。由50元的片子拼接而成。77K 时这个阵列的探测率均匀,D~*平均值(12微米,1000,1)为3.2×10~(10)厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)(视场50°)。     

离子注入InAs和InSb

已用 S~ 和Zn~ 离子注入InAs和InSb制备具有红外探测器性能的p-n结二极管。在两种材料中都已制备出性能良好的平面型镶嵌式红外探测器。对于InAs已测得黑体探测度(D~*_(BB))为2×10~9厘米·赫1/2瓦和4％的均匀性。同样,InSb的D~*_(BB)值为1.3×10~(10)厘米·赫1/2瓦,而阵列中元件间均匀性为49％。在0.2和1.8兆电子伏之间得出了Zn~ 注入InSb中的注入距离与能量关系的实验数据,并与LSS理论的预计值作了比较。理论上预计的注入距离要比实验所指的值较深一些,但是为了得到器件设计的有用曲线,这些差别是要足够小的。曲线的斜率指出,大部分粒子的终止主要是在这个能量范围内。     

全国红外器件材料经验交流会资料简介

1 浸没型硫化铅红外探测器沈阳冶炼厂该探测器为室温工作的光导器件。工作面积1×1毫米~2。主要性能指标: 暗阻在0.1～1.5兆欧范围内; 探测度D~*(500K、800、1)在1.5～2.7×10~9厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。光谱分布1.2～2.6微米,峰值波长2.2～2.4微米。用不锈钢密封,经少量例行实验,从初步结果看,元件性能较稳定,可满足制导、跟踪及自动控制系统、测温等各种     

质子轰击的锑化铟n-p结光伏探测器

本文介绍了用质子轰击产生 n-型层来制备锑化铟 n-P 结光伏探测器的方法。在77°K 时,直径为20密耳的二极管具有几十万欧姆的零偏压电阻。这些二极管在4.9微米时的典型峰值探测度在2π,300°K 背景条件下大于3×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦,所观察到的最大值是10~(11)厘米赫~(1/2)/瓦。已观察到接近35％的二极管量子效率。