Athlon1.33GHz VS Pentuim4？GHz

在微处理器的频率攀升追求上,被大家视为理所当然的时候,AMD的Athlon打了漂亮的一仗,以较低频率的微处理器,展现了超越对手高频率产品的性能。这次新推出的Athlon 1.3GHz及1.33GHz,在外频上200MHz、266MHz的超高带宽,果然带来了不同凡响的性能。     

2.4GHz和5GHz WLAN干扰对比分析

通过对WLAN干扰机制和干扰类型进行较为详细的理论分析,然后进行了全面的实际测试,得出了2.4 GHz WLAN的干扰较严重,5 GHz WLAN干扰比较小的结论。这一结论为5 GHz WLAN的引入提供了较为有力的依据。     

2 GHz～6 GHz宽带功率放大器的研究

着眼小型化、大功率,对宽禁带半导体中的GaN功率器件的宽带内匹配技术进行了研究.基于国产的GaN功率器件,采用切比雪夫宽带匹配理论,研制了一款工作频率覆盖2 GHz～6 GHz的宽带功率放大器,在设计过程中重点关注了功率放大器在各种工作条件下的稳定性.测试结果表明在漏源电压为36 V,连续波条件下,在2 GHz～6 G...     

1.9GHz与2.6GHz传播损耗对比研究

为了更加精确地比较将用于TD-LTE室外覆盖的F频段(1.9GHz)和D频段(2.6GHz)在相同条件下的传播损耗差异,专门选取了室内和室外典型场景进行了F/D频段对比测试。就测试方法、测试过程和测试结果做一个全面的介绍,并根据实测数据总结出测试结论,以供参考。     

应用于EoC芯片的1.2 GHz/2 GHz/2.4 GHz三频段上混频器

采用0.13 μm RF CMOS工艺,设计了一款可应用于EoC收发芯片的三频段上混频器,通过改变接入并联LC负载谐振网络中电容的值,使电路分别工作在1.2 GHz,2 GHz,2.4 GHz频段。在3.3 V电源电压下,1.2 GHz,2 GHz,2.4 GHz频段上,总电流为35.1 mA;单边带(SSB)电压转换增益分别为3.77 dB,4.97 dB,4.78 dB;输出1 dB压缩点分别为-0.22 dBm,0.78 dBm,0.5 dBm;噪声系数分别为5.13 dB,5.76 dB,6.67 dB。通过控制输入跨导级的偏置实现混频器的开启和关断,上混频器的开启时间为200 ns,关断时间小于100 ns。     

0.03GHz～3GHz宽带取样混频器的研制

阐述了宽带微波取样混频器的工作原理,分析了其与一般平衡式混频器的区别。同时对脉冲信号发生器也做了研究。通过对取样器的分析设计,得到了实际的测试数据,表明此混频器能在0.03GHz～3GHz的射频范围内与较低的本振混频得到几百kHz的中频,宽带混频效果明显。     

14 GHz带宽的63 GHz CMOS低噪声放大器

据《信学技报》(日)2009年109(133)期报道,日本东京大学藤岛实等人采用90 nm 1P8M CMOS工艺+1层WCSP(Wafer Level Chip Size Package)工艺开发了毫米波低噪声放大器。63 GHz下的最大微分增益(differential gain)为20     

8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz~10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。     

一种1.2GHz～2.8GHz环形振荡器设计

压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)是锁相环的关键模块之一,其性能极大地影响锁相环的性能。该文利用宏力(GSMC)0.18μm CMOS工艺设计了一种环形压控振荡器,该环形振荡器采样三级差分反相延时单元构成,频率范围为1.2GHz~2.8GHz。仿真结果表明,该环形振荡器的相位噪声为-94.6dBc/Hz@1MHz。     

170 GHz和340 GHz CSMRs滤波器选频网络研究

为了实现倍频器多谐波输出,满足系统多频率需求,同时减少成本,增加系统集成度,引入了改进紧凑型悬置微带谐振单元（Compact Suspended Microstrip Resonators（CSMRs））滤波器,主要研究并实现了170 GHz和340 GHz双频段分别输出。仿真中分别设计170 GHz和340 GHz探针,引入CSMRs低通滤波器增加170 GHz对高频段的隔离,减小波导高度,提高WR.2.8波导截止频率,增加对300 GHz以下频段抑制,为了测试其输出特性和网络损耗,设计170~340 GHz背靠背模块。仿真结果为低通CSMRs滤波器满足在20~180 GHz通带内反射系数小于-18 dB,在266~520 GHz阻带内抑制度大于20 dB,背靠背结构仿真170 GHz与340 GHz频段反射系数均小于-15 dB,端口隔离大于30 dB,表现出良好的选频特性。测试结果表明:在170 GHz端口通带为150~185 GHz,反射系数小于-10 dB,损耗大于1.2 dB;在340 GHz端口,通带为306~355 GHz,反射系数小于-10 dB,损耗2 dB,两端口隔离度大于10 dB,最好60 dB。     

8 GHz～12 GHz推-推压控振荡器设计

文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析.根据分析结果制作了8 GHz～12 GHz压控振荡器.测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果.推-推的方法能有效提高晶体管的工作频率,同时还可以改善压控振荡器的负载牵引能力.这种方法适用不同形式的器件,对高频率、宽频带压控振荡器的制作有一定指导意义.     

M-Type 1GHz示波器

力科推出两款M—Type 1 GHz示波器WaveSurfer 104 MXs和WaveRunner MXi。每台示波器标配系列分析工具，包括WaveScan和分析功能、WaveStream快速查看模式和独特的文件管理和报告编制工具LabNotebook。     

2GHz功率源

<正> 2GHz功率源是一种离子加速器,是在2GHz微波炉的基础培训上进行改进的,从而使2GHz功率源的功率山原来的通断时间长短而定变为阻极电压数值改变和连续加电。     

94GHz低噪声PM-HEMT

<正>《IEEE EDL》1990年12月报道了94GHz频段以GaAs为衬底的迄今最低噪声系数的PM-HEMT器件.首先在半绝缘GaAs衬底上生长未掺杂超晶格/GaAs/超晶格结构的缓冲层,并在其上相继生长19nm未掺杂In_(0.15)Ga_(0.85)As沟道;30nm未掺杂Al_(0.25)Ga_(0.75)As隔层,其表面有一浓度为5×10~(12)cm~(-2)的Si平面掺杂;30nm未掺杂Al_(0.25)Ga_(0.75)As和40nm掺杂浓度为6×10~(18)cm~(-8)     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.     

4GHz正交调制器

TRF370317是一款高性能正交调制器,可满足对GSM、CDMA2000、TD—SCDMA、W—CDMA以及WiMAX的严格要求,并达到诸如LTE与多载波GSM等新一代的无线标准。TRF370317具有－163dBm／Hz的噪声底限,以及26．5dBm三阶输入截取点（OIP3）特性。该器件具有介于0～350MHz（直流）之间的输入信号,并可产生介于400MHz～4GHz之间的调制RF输出。     

InP HBT 在0.2GHz 至220 GHz频段稳定性研究

The frequency stabilities of InP DHBTs in a broadband over 1 to 220 GHz are investigated. A hybrid-topology small-signal model is used to accurately capture the parasitics of devices. The model parameters are extracted from measurements analytically. The investigation results show that the excellent agreement between the measured and simulated data is obtained in the frequency range 200 MHz to 220 GHz. The dominant parameters of the-topology model, bias conditions and emitter area have significant effects on the stability factor K. The HBT model can be unconditionally stable by reasonable selection of the proper bias condition and the physical layout of the device.     

1GHz网络分析仪

日本安立公司开始出售一种1GHz网络分析仪,型号为MS3606A,动态范围达120dB,测量速度每点400μs。此网络分析仪是分析元件电路和输电线必不可少的一种仪器,可广泛应用于研究和开发,以及大规模生产线。