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介绍了一种CMOS数字温度传感器的设计方法,并针对因工艺偏差所导致一致性差、成品率低的问题提出一种新型自校正技术.利用自校正技术可以有效抑制温度传感器核心模块的基准电压随工艺波动而变化,改善芯片之间的一致性.文中设置不同的工艺角对基准电压源进行仿真,通过对比开启与关闭自校正模块状态下基准电压的最大偏差,验证了自校正技术的有效性.本设计采用CSMCB5212 0.5 μm CMOS工艺实现,提供SPI数字接口,输出10-bit温度值.实际测试结果表明该温度传感器在-35℃~105℃温度范围内温度精度±1℃,整体功耗小于0.6mW. 相似文献
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本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率起主要作用.但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系.文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系,公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合. 相似文献
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设计并流片实现了一款具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片.分析了远端测温原理和寄生电阻对测温精度的影响,利用差分结构采集远端三极管产生的温度信号.采用一阶∑-△模数转换器(ADC)将温度信号进行量化,并使用寄生电阻消除技术降低寄生电阻对测温精度的影响.该芯片采用0.18 μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,当远端三极管在-40℃下,使用寄生电阻消除技术可以将1.5 k-Ω寄生电阻对测温精度的影响降低到0.5℃以内;远端三极管在-40~125℃温度范围内,消除寄生电阻影响后远端测温芯片的3σ误差小于±0.6℃. 相似文献
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着重介绍了三种测量基区电阻Rb的DC测量法,并通过反面实例说明其中两种方法(1.由I-V特性来提取Rb及Re;2.基于碰撞离子产生的反向基区电流的DC法)的局限性,指出第三种方法(双基极引线孔法)是值得借鉴的方法。DC测量法因其简单易行而被广泛接受,但在实践中须特别注意其适用范围。 相似文献
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采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻 总被引:1,自引:1,他引:0
采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。 相似文献
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射频晶体管具有高的特征频率fT,高的功率增益GP。为此在工程上多采用浓硼扩散形成嫁接基区。尽可能减少基极电阻Rbb’,同时采用梳状结构电极,浅结扩散,小的结面积等工艺,提高fT,从而双方面提高功率增益GP。文章以该公司生产的射频晶体管3DG2714为例,分析了发射结下基区部分电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb1,分析了发射极与基极之间淡硼扩散区的电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb2,忽略了两个影响极小的电阻,计算了总的基极电阻Rbb’。为减小基极电阻提高功率增益的射频晶体管设计制造提供了依据。 相似文献
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双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量 总被引:1,自引:0,他引:1
采用一种新的方法计算双极器件中离子注 B硅基区和原位掺 B的锗硅基区禁带变窄量 .在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下 ,应用这种方法只需测量室温和液氮温度下的电学特性就可以获得禁带变窄量 .这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG.利用这种方法测试了硅双极器件和锗硅基区双极器件 ,其基区禁带变窄量分别为 相似文献
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带隙基准是各种模拟/数模混合集成电路中的基础性组成部件,其温度稳定性是决定整体电路性能的重要因素之一。使用级联三极管的带隙基准结构能够有效的降低运算放大器输入失调对基准电路稳定性的影响。但是在CMOS工艺中,由于三极管器件的放大倍数值较小,“发射极-基极”电流对集电极电流的分流作用较为显著,致使基准电压输出存在较大的温度漂移。针对这个问题,提出了一种自适应的基极电流补偿的技术,能够有效的提高级联三级管的带隙基准电路中输出基准电压的温度稳定性,实现基准电压的温度响应曲线的曲率校正。基于0.13μm CMOS工艺的实现结果表明,输出基准电压的温度稳定性可达到6.2ppm/℃(-40℃~125℃),输出基准电压1.238V。 相似文献
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