晶体管的测试与选用

电子爱好者在选用晶体管时,首先应了解晶体管的性能。不同的用途,对晶体管性能的要求也不一样,这就需要对晶体管进行测试。一、晶体三极管的简易测试要全面测试晶体管的性能,必须使用“晶体管特性图示仪”等专用测试仪器。在此主要介绍用普通万用表如何测试晶体三极管。(1) 判断PN结的好坏。晶体三极管是由两个PN结构成的,因此可用万用表(R×1k档,下同)来测极间电阻,确定PN     

硅晶体管热阻测试系统

介绍了硅晶体管热阻测试原理，以及硅热阻测试系统的硬件和软件设计     

大功率晶体管的开关时间及测试

本文介绍了晶体管的开关时间的计量及测试方法，并对测试误差作了分析。     

脉冲法测试静电感应晶体管极间电容

求解S1T对阶跃信号的响应,寻找出各极间电容对上升时间t_r的影响,以此为基础,推算各极间电容,分离出器件线性区的C_(GS)、C_(GD)。实测表明,在器件沟道夹断后,C_(GS)随I_D的上升而略有增加,而不是常规测试的恒定值。     

硅晶体管热阻测试系统

介绍了硅晶体管热阻测试原理，以及硅热阻测试系统的硬件和软件设计     

晶体管特性图示仪用于电路特性的测试与研究

图示仪不但可以测量各种半导体特性曲线,而且还可以测试电子电路的特性。由于它能够直观地、完整地、细致地观测电路特性的全貌,从而给电路设计和分析带来很多方便。显然电路的形成众多,本人在长期的测试实践中总结出诸多电路测试经验,本文仅列举典型的电路实例来说明电路特性的测试方法,从晶体管施密特电路滞后特性的测试举例说明。     

一种简单的晶体管β值在线测试电路

文章介绍了一种晶体管β值在线测试电路的工作原理及结构。本电路原理简单，结构不复杂，容易制作，使用方便。     

一种简单的晶体管β值在线测试电路

文章介绍了一种晶体管β值在线测试电路的工作原理及结构。本电路原理简单，结构不复杂，容易制作，使用方便。     

微波晶体管测试夹具空旷误差模型分析

在用微波网络分析仪测试微波晶体管时，往往夹具尺寸而管子尺寸小，本文针对这种普遍存在的实际情况，建立了夹具空旷误差模型，提出了一具多用的新方法，并在实际测试中得到了验证。     

微波晶体管测试夹具技术的研究

微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过测试夹具完成对测试器件固定、馈电以及信号同轴传输转微带传输的功能。微波器件测试是保证器件质量和发展的关键手段,夹具制作技术对测试结果影响巨大,对微波晶体管测试夹具制作进行了研究,并提出了解决方案。     

随着特性/环境测试技术的不断发展晶体管的特性也在改变

芯片的自行调整功能正在不断开发之中。NEC公司开发了测试时间抖动的技术(见图A-4)。在芯片实际工作时可以测出抖动。NEC的水野表示:为避免错误动作,可用抖动的强度信号选择工作状态。该公司还开发了一项技术,可以在芯片工作时测试各种信号。九州工业大学微型综合技术中心助理教授有马裕先生研发了称为VS-MOS(variable channel size MOS)的新技术,即可以在制造晶体管后,控制其增益系数(b)(见图A-5)。这里有一个总线和接口输入输出电路的应用。该技术可以根据连接总线的装置数量以及连接印刷电路板的种类,动态地改变负载和阻抗,同时,…     

绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析

通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。     

大功率晶体管的开关时间及测试

晶体管在大功率工作时,由于开关时间(主要是存储时间)的影响,容易引起电路误导通。直接关系到设备的可靠性。所以晶体管的开关时间是电路设计中的一项重要参数。本文介绍了晶体管的开关时间的计量及测试方法,并对测试误差作了分析。