磁控溅射二氧化硅薄膜的制备工艺

研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁控溅射可以在更低的温度下制作致密、均匀、重复性好的ＳｉＯ＿２膜。     

用磁控溅射技术制备氮化铝薄膜

报道了用磁控溅射制备氮化铝薄膜的工艺过程和实验结果.给出了氮化铝薄膜的光学常数与氩气、氮气压强之间的关系.结果表明,氮化铝薄膜的光学性质,很大程度上取决于氮气和氩气之间的压强比.     

铜薄膜的直流磁控溅射制备与表征

根据薄膜的形成机理,用直流磁控溅射方法制备出了表面结构平滑、致密的Cu薄膜.实验中,采用纯度＞99.9%的铜靶,工作气压保持在2.7 Pa不变,玻璃衬底温度随环境温度变化.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)研究了薄膜的织构、晶粒尺寸和表面形貌.结果表明,随着溅射功率增大,薄膜织构减弱;溅射功率增大和溅射时间增加均可使薄膜的晶粒尺寸增大,在溅射功率≤100 W时获得的薄膜晶粒细小,有裂纹缺陷;溅射功率为150 W,溅射时间为30 min时,薄膜表面结构平滑、致密,晶粒尺寸相对较大.须进一步改进工艺参数,如衬底温度等,从而制备出表面结构平滑、致密、晶粒细小的薄膜.     

射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .     

直流磁控溅射ZnO薄膜的结构特性

通过改变工作气压、溅射电流、氩氧比等工艺参数,较为系统地探索了用反应式直流磁控溅射法制备ＺｎＯ薄膜的工艺条件,并采用ＸＲＤ和ＡＥＳ对这些薄膜的结构特性进行测试分析,成功地得到了具有ｃ轴择优取向、结晶度高的ＺｎＯ薄膜。     

磁控溅射设备国外发展趋势及关键技术

<正> 微电子技术在现代化科技中占有极为重要的地位,而微电子技术的核心在于集成电路。集成电路是世界上公认的现代电子信息设备和系统的核心器件。当今大规模、超大规模集成电路已迅速发展,器件功能也日益复杂,芯片直径不断增大,先进国家正向0.2μm、256MDRAM的方向发展。由于集成度的不断提高,图形线宽之不断缩小,工艺的复杂化,对工艺设备提出更新更高的要求。磁控溅射技术是VLSI电路制作的重要技术。     

磁控溅射技术及其发展

磁控溅射技术可制备超硬膜、耐腐蚀摩擦薄膜、超导薄膜、磁性薄膜、光学薄膜,以及各种具有特殊功能的薄膜,在工业薄膜制备领域的应用非常广泛.本文着重介绍了磁控溅射技术原理、特点、磁控溅射技术的发展史及其发展趋势.     

SED的磁控溅射法制作技术试验研究

介绍了表面传导电子发射显示(SED),采取了一种使用PdO膜和ZnO膜磁控溅射制作SED的方法,它具有发射均匀的优点。SED器件的电极厚度、导电膜材料、导电膜宽度对发射性能有很大影响,文中对这些参数进行了讨论。通过参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射。     

磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究

采用射频磁控溅射方法,在不同的基片温度Ts和偏压Us条件下淀积300 nm厚的Cu膜,用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、四点探针电阻测试仪,研究了薄膜的表面形貌和电阻率。结果表明:Cu膜的表面粗糙度和电阻率随工艺参数的改变而变化。随着Ts的升高,薄膜表面粗糙度Rrms与电阻率ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面粗化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,但是,当Ts>673 K时,晶粒发生团聚而造成其几何形态和分布方式改变,进而导致ρ异常增加。随着Us的增加,Rrms呈现出先降低再增加的趋势,而ρ则逐渐递减。     

磁控反应溅射氧化镍薄膜电致变色特性的研究

本文介绍了直流磁控反应溅射制备的氧化镍薄膜。研究了所沉积的氧化镍薄膜的电致变色性能、响应速度、开路记忆能力及循环寿命。实验结果表明：氧化镍薄膜初始态透射率和电化学测试方法与条件的选择对其电致变色性能有较大的影响。     

真空磁控溅射镀膜设备及工艺技术研究

磁控溅射技术在薄膜制备领域广泛应用,适合的工艺和制造技术对磁控溅射镀膜有着重要的影响。介绍了用于薄膜电路的生产工艺流程以及由此而决定的设备组成及控制技术,并重点叙述了薄膜制备的方法、参数选择、设备设计方法。     

TM-1201溅射台及其工艺的完善

引进的俄罗斯TM-1201溅射台,经过在生产过程中结合现状不断革新改进、工艺技术上精雕细啄,从而使该设备长期保持良好的运行状态。薄膜的质量、膜厚均匀性也得到显著提高,并能满足1000MHz器件(铝条间隔0．58μm)对镀膜提出的质量要求。     

磁控溅射技术的研究与应用

随着市场对各种新型功能薄膜需求的日益增加，磁控溅射技术在科学研究和工业生产领域获得迅速发展。本文介绍了磁控溅射技术的研究进展以及国内外利用磁控溅射技术在薄膜制备方面所取得的一些成果。     

交流磁控溅射技术及其应用

本文阐述了交流溅射技术的原理，特点及其应用。     

磁控溅射生长Cu/Si薄膜

用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜。用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量。结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462nm,粗糙度为薄膜厚度的3%。在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好。