阻隔性透明蒸镀薄膜“ェコシア-ル”各种牌号的特征及应用

前言 无机二元阻隔性蒸镀薄膜“ェコシア-ル”，有以PET薄膜为基膜的和以PA薄膜为基膜的，可充分利用基膜的各式各样的特性，特别是利用尼龙的特性，开拓蒸镀透明尼龙薄膜的市场。     

软盘介质采用蒸镀锗和钴铬工艺

日本日立公司采用基膜上蒸镀厚30毫微米锗层,然后再蒸镀0.2～0.3微米的钴铬层技术。与直接在薄膜上涂钴铬层相比,钴铬晶体方向性更为优良。从垂直磁记录软盘的记录密度特性看,D_(50)有大幅度提高。在磁盘上采用溅射工艺,在高导磁率钴锆钼非晶态合金液上,     

功能性包装薄膜论略(三)

(上接《塑料包装》2015年第2期)4、蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的一般特性我们可以列举蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的众多具有实际应用价值的特性,首先是对氧气和水蒸气的特别优良的阻隔性,虽然由于各公司生产方法或生产条件不同,不同蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜工业化品牌,阻隔性方面有一定的差异,但总体上均接近于铝箔而明显地高于普通阻隔性塑料包装薄膜,而且当蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜与PE、CPP等热封性薄膜复合之后,阻     

日本功能性高分子薄膜的市场动向

2010年,日本塑料杂志(フラスチックス)7月号,介绍了日本功能性高分子薄膜的市场动向,经节译整理介绍如后。这里所涉及的功能性薄膜,包括应用塑料薄膜的基膜经蒸镀、涂布或积层复合等二次加工薄膜制得的功能性薄膜以及通过运用原料填充合等     

氧化物蒸镀薄膜

本文从技术发展、制备方法、原辅材料、工艺要点、产品特性、产品指标以及技术进展等方面,对氧化物蒸镀薄膜进行了介绍说明,为读者从技术层面全面认知氧化物蒸镀薄膜提供指导与帮助。     

功能性包装薄膜论略(二)

(上接《塑料包装》2015年第1期)二、功能性包装薄膜(一)蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜1、概述蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜中,蒸镀氧化硅型透明阻隔性包装薄膜,是开发应用比较成功的一个品种,也是二十世纪末期,复合软包装领域中,最引人注目的重大突破之一。蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜,是透明蒸镀型阻隔型包装薄膜的代表性产品,被塑料软包装界认为是最有发展前途的软包装材料之一。蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜和镀铝型阻隔     

真空蒸镀钝化太安(PETN)薄膜的研究

对真空蒸镀钝化太安 (PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率 ;提出了增加薄膜和基片附着力的方法。     

真空蒸镀钝化太安（PETN）薄膜的研究

对真空蒸镀钝化太安(PETN)炸药薄膜进行了研究。分析了真空度、蒸镀温度、蒸发速率、基片表面状态等因素对形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件、最佳蒸镀温度和蒸发速率；提出了增加薄膜和基片附着力的方法。     

真空蒸镀聚乙烯醇薄膜

采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布于衬底表面,且以梯田状台阶式长大.衬底温度是影响PVA薄膜沉积速度的主要因素.红外光谱分析表明其蒸镀薄膜的主要化学结构特点是羰基代替了部分羟基.     

Mg-PbO2-Ti-PbO2-PTFE复合薄膜烟火材料的制备及性能

采用磁控溅射和真空蒸镀结合的方法,制备了Mg-PbO2-Ti-PbO2-PTFE复合薄膜烟火材料,利用X射线光电子能谱(XPS)分析了真空蒸镀的薄膜成分,并测定了薄膜材料与基底间的附着力.采用光纤法测量薄膜材料的燃烧线速度,分析了其燃烧过程.结果表明,利用真空蒸镀法可得到PbO2薄膜,复合薄膜烟火材料与基底有较好的附着...     

日本其他真空应用工业设备

我国为了要广泛了解真空技术在工业上 的应用,除对冶金、冷凉干燥、单晶制备、 真空泵等制造使用工厂外,也参观了真空蒸 馏,真空蒸镀等应用真空技术工业装置和使 用工厂。现在简略汇报如下: (一)真空蒸镀 日本制造真空蒸镀装置的工厂很多,凡 是制造真空设备工厂都生产蒸镀设备,大都 为小型种罩式,真空度为10-6～10-8,蒸发源 加热方式大都用电阻加熟,也有用感应加热, 电子束加热方式,也生产半连续式工件转动 特种型式蒸镀设备。真空蒸镀应用在光学镜 头镀膜,树脂薄膜,人造革纸金属化、玩 具、装饰品、反光镜蒸镀金属涂料薄膜,微 型电子器件制…     

碲化锡材料的制备及其特性研究

用Bridgman法合成SnTe晶体,并用X射线衍射仪测试其显微结构,发现其晶格常数比标准值略小.以制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了银灰色SnTe多晶薄膜,并对薄膜的显微结构、伏安特性及表面形貌进行了研究.结果发现,薄膜上晶粒的生长有一定择优取向,其伏安特性曲线有突变点,通电后薄膜表面的原子形成了团簇.     

斜蒸镀Ni-Co薄膜磁性能的研究

本文讨论斜蒸镀Ni—Co薄膜经氧化后矫顽力提高的机理。实验说明薄膜氧化后氧原子可能进入晶格,使薄膜晶格产生畸变,应力增加,从而导致矫顽力增大。在氧气氛中斜蒸镀Ni—Co薄膜应有同样的效应。     

真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析

红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。     

镀膜材料对场发射扫描电镜图像的影响

以具有纳米孔道结构的不导电介孔氧化硅SBA-15为研究对象,系统研究了3种常见导电薄膜(金膜、铂膜和铬膜)对扫描电镜图像的影响。结果表明:在同样的镀膜条件下,蒸镀3种导电膜后扫描电镜图像的荷电现象均得到改善,但是镀金膜后无法观察到直径为4nm的孔道,其完全被金颗粒所掩盖;蒸镀铂膜后,孔道形貌基本保持,但孔径显著降低;蒸镀铬膜后孔径和孔壁尺寸均与未镀膜前相差不大。导电薄膜中晶粒大小是决定薄膜对材料显微结构掩盖程度的关键因素,金颗粒大部分直径大于5nm,铂颗粒大部分直径约为2nm,因此蒸镀该两种薄膜均会导致SBA-15介孔材料4nm的孔道不同程度地被掩盖;铬颗粒直径仅为1nm,且主要以非晶状态存在,因此对介孔孔道的掩盖最少。     

真空镀膜技术

由真空蒸镀所获得的薄膜,是实现部件超小型化的有力手段之一,但在真空中的薄膜表面,易受剩余气体成分,分压强,蒸发温度和时间的影响以及蒸发源的形式,温度等影响而产生变化。另外,如何既经济又有效地进行电连接和涂敷保护层,在提高性能上也是一种重要问题。因此,除非常稳定地控制蒸镀条件提高工作效率以外,大量生产能保持一定质量水平的产品,就显得非常重要了。本文介绍制备薄膜电子元件的蒸镀技术和采用的多级蒸镀装置概况。 真空抽气装置 在分子运动服从麦克斯韦分布定律的前提下,碰撞于蒸镀膜的分子数N为: /厘米2·秒·乇 式中; P:压强(…     

真空镀二氧化钛聚乙烯塑料包装薄膜

塑料包装薄膜上进行无机氧化物镀层在材料科学领域和包装应用领域都有重要的意义.采用蒸镀、多弧镀和硅油轰击蒸镀3种真空镀膜方法,在聚乙烯塑料包装薄膜上实现了的二氧化钛镀膜.采用扫描电镜、X-射线衍射、气体渗透、透湿性、紫外分光等进行了表征和性能研究.结果表明在聚乙烯塑料包装薄膜上成功实现了二氧化钛镀膜;真空镀二氧化钛聚乙烯薄膜的气体阻隔性能大大提高,其气体透过量约为原聚乙烯薄膜的0.1%～1%;水汽阻隔性也有所提高;并表现出较好的紫外线屏蔽性能.     

Pentcene/SiO2表面随温度变化的AFM研究

以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素.     

可用于高温蒸煮包装的GL薄膜浅析

近年来,随着世界环境保护问题的日益严峻,透明蒸镀薄膜代替PVDC涂层薄膜和铝箔的市场正在逐年扩大,2005年已超过十几亿平方米。日本凸版印刷株式会社（以下简称凸版公司）依靠其独创的蒸镀加工技术,成功地开发了阻隔性和稳定性较强的高阻隔、透明、环保性GL薄膜。     

锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响

在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多。采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10%。